一种气化设备的制作方法

本发明涉及煤化工，特别涉及一种气化设备。

背景技术：

1、...在煤化工技术领域，现有的气化设备内部具有依次连接的气化腔、连接通道和辐射腔。在实际生产过程中燃料在气化腔中进行气化，燃料在气化后形成合成气和熔渣，并通过连接通道进入到辐射腔内进行热量回收。然而在实际工作中由于燃料在气化过程中形成的熔渣的温度较高，其中一些灰颗粒还处于熔融状态，黏度较大，容易黏附在连接管道或者辐射腔的内壁上，进而对气化工作产生不利影响。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种气化设备，能够避免熔渣粘附在气化设备的内壁上，进而保证了气化工作的顺利进行。

2、为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：

3、一种气化设备，包括：内部具有气化腔体的气化部、连通管道和内部具有辐射腔体的辐射部；

4、所述气化部位于所述辐射部的上方，并且在所述气化部的底部具有出口，在所述辐射部的顶部具有入口，所述连通管道竖直设置在所述气化部和所述辐射部之间，并且两端分别连接在所述入口和所述出口上，以使所述气化腔体内的物质能够通过所述连通管道进入到所述辐射腔体中；

5、所述连通管道包括激冷管段，所述激冷管段的外壁由第一管体沿螺旋形盘绕形成，所述第一管体与外部水源连接，外部水源中的水能够进入到所述第一管体之内，以对通过所述连通管道进入所述辐射腔体的物质进行冷却。

6、较优地，在沿所述连通管道的轴线延伸方向，所述第一管体盘绕的圈数为一圈以上。

7、较优地，在所述第一管体面对所述连通管道的轴线的表面上设置有喷水孔，以使所述第一管体内的水能够通过所述喷水孔喷射到所述连通管道之内。

8、较优地，在所述喷水孔上设置有喷头，所述第一管体内的水通过所述喷头喷射到所述连通管道之内。

9、较优地，所述喷水孔的数量为至少两个，至少两个所述喷水孔沿所述连通管道的周向均匀排布。

10、较优地，所述连通管道还包括位于所述激冷管段下方的下连通管段；

11、所述下连通管段的外壁由多个沿竖直方向延伸立管沿圆形阵列排布形成，在所述第一管体的底壁上设置有入水孔，所述立管的顶端固定连接在所述入水孔上，底端处于封闭状态，所述入水孔的数量和所述立管的数量相等并一一对应；

12、所述立管与外部水源连接，以使外部水源中的水能够通过所述立管进入到所述第一管体之内。

13、较优地，还包括入水管段和连接管；

14、所述入水管段的形状为环形并套设在所述下连通管段的外部，所述立管通过所述连接管与所述入水管段连通，所述入水管段与外部水源连接，以使外部水源的水能够依次通过所述入水管段和所述连接管进入到所述立管之内；

15、所述连接管的数量与所述立管的数量相等，并一一对应。

16、较优地，还包括驱动泵；

17、所述驱动泵设置在所述入水管段和外部水源之间，以驱动外部水源中的水进入所述入水管段之内。

18、较优地，所述连通管道还包括位于所述激冷管段上方的上连通管段；

19、所述上连通管段的外壁由能够与外部水源连接的第二管体沿螺旋形盘绕形成。

20、较优地，所述气化部由能够与外部水源连接的第三管体沿螺旋形盘绕形成；

21、和/或，所述辐射部由能够与外部水源连接的第四管体沿螺旋形盘绕形成。

22、本发明的气化设备通过采用所述连通管道包括激冷管段，所述激冷管段的外壁由第一管体沿螺旋形盘绕形成，所述第一管体与外部水源连接，外部水源中的水能够进入到所述第一管体之内，以对通过所述连通管道进入所述辐射腔体的物质进行冷却的技术方案，能够避免熔渣粘附在气化设备的内壁上，进而保证了气化工作的顺利进行。

技术特征：

1.一种气化设备，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的气化设备，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的气化设备，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的气化设备，其特征在于：

5.根据权利要求3所述的气化设备，其特征在于：

6.根据权利要求1至5任意一项所述的气化设备，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的气化设备，其特征在于：

8.根据权利要求6所述的气化设备，其特征在于：

9.根据权利要求1至5任意一项所述的气化设备，其特征在于：

10.根据权利要求1至5任意一项所述的气化设备，其特征在于：

技术总结本发明提供一种气化设备，包括：内部具有气化腔体的气化部、连通管道和内部具有辐射腔体的辐射部；气化部位于辐射部的上方，并且在气化部的底部具有出口，在辐射部的顶部具有入口，连通管道竖直设置在气化部和辐射部之间，并且两端分别连接在入口和出口上，以使气化腔体内的物质能够通过连通管道进入到辐射腔体中；连通管道包括激冷管段，激冷管段的外壁由第一管体沿螺旋形盘绕形成，第一管体与外部水源连接，外部水源中的水能够进入到第一管体之内，以对通过连通管道进入辐射腔体的物质进行冷却。其能够避免熔渣粘附在气化设备的内壁上，进而保证了气化工作的顺利进行。技术研发人员：李岩岩,张礼,李锡华,王江涛,张志鹏,宋傲磊受保护的技术使用者：北京航天迈未科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/1