指令回应方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元与流程

本发明涉及一种存储器管理技术，尤其涉及一种指令回应方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。背景技术：：：1、移动电话与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式电子装置中。2、一般来说，主机系统可发送开发者指令至存储器存储装置，以指示存储器存储装置执行某些客制化功能，例如回报存储器存储装置的温度等等。然而，在主机系统与存储器存储装置执行指令和/或数据传输的期间，额外传送的开发者指令会占用主机系统与存储器存储装置之间的传输带宽，从而导致主机系统与存储器存储装置之间的存取效能下降。此外，为了处理与开发者指令有关的任务内容，主机系统与存储器存储装置中都需要配置额外的工作流程，导致产品开发负担增加。技术实现思路1、本发明提供一种指令回应方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可改善上述问题并提高主机系统与存储器存储装置之间的信息传递效率。2、本发明的范例实施例提供一种指令回应方法，其用于存储器存储装置，所述指令回应方法包括：从主机系统取得操作指令；根据所述操作指令产生回应信息，其中所述回应信息携带第一类回应数据与第二类回应数据，所述第一类回应数据反映所述操作指令的执行结果，且所述第二类回应数据与所述操作指令的所述执行结果无关；以及将所述回应信息传送至所述主机系统，以回应所述操作指令。3、在一范例实施例中，所述操作指令包括写入指令、读取指令及抹除指令的其中之一。4、在一范例实施例中，所述第二类回应数据反映所述存储器存储装置在取得所述操作指令或产生所述回应信息之前的状态。5、在一范例实施例中，所述状态包括温度状态与工作状态的至少其中之一。6、在一范例实施例中，所述第二类回应数据存储于所述回应信息中的保留比特区。7、在一范例实施例中，根据所述操作指令产生所述回应信息的步骤包括：检测用于产生所述回应信息的事件；响应于所述事件，从状态寄存器读取状态数据，其中所述状态数据反映所述存储器存储装置的状态；以及在产生所述回应信息的期间，根据所述状态数据，将所述第二类回应数据填入所述回应信息中。8、在一范例实施例中，所述的指令回应方法还包括：在检测到用于产生所述回应信息的所述事件之前，将所述状态数据写入所述状态寄存器中。9、在一范例实施例中，所述的指令回应方法还包括：在取得所述操作指令之前，将所述状态数据写入所述状态寄存器中。10、在一范例实施例中，所述状态寄存器包括多个子存储区，所述回应信息包括多个保留比特区，其中根据所述状态数据，将所述第二类回应数据填入所述回应信息中的步骤包括：根据从所述多个子存储区中的第一子存储区读取的第一状态数据，将所述第二类回应数据中的第一子数据填入至所述回应信息中的第一保留比特区；以及根据从所述多个子存储区中的第二子存储区读取的第二状态数据，将所述第二类回应数据中的第二子数据填入至所述回应信息中的第二保留比特区，其中所述第一子存储区不同于所述第二子存储区，且所述第一保留比特区不同于所述第二保留比特区。11、本发明的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以：从所述主机系统取得操作指令；根据所述操作指令产生回应信息，其中所述回应信息携带第一类回应数据与第二类回应数据，所述第一类回应数据反映所述操作指令的执行结果，且所述第二类回应数据与所述操作指令的所述执行结果无关；以及将所述回应信息传送至所述主机系统，以回应所述操作指令。12、在一范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述操作指令产生所述回应信息的操作包括：检测用于产生所述回应信息的事件；响应于所述事件，从状态寄存器读取状态数据，其中所述状态数据反映所述存储器存储装置的状态；以及在产生所述回应信息的期间，根据所述状态数据，将所述第二类回应数据填入所述回应信息中。13、在一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以：在检测到用于产生所述回应信息的所述事件之前，将所述状态数据写入所述状态寄存器中。14、在一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以：在取得所述操作指令之前，将所述状态数据写入所述状态寄存器中。15、在一范例实施例中，所述状态寄存器包括多个子存储区，所述回应信息包括多个保留比特区，其中所述存储器控制电路单元根据所述状态数据，将所述第二类回应数据填入所述回应信息中的操作包括：根据从所述多个子存储区中的第一子存储区读取的第一状态数据，将所述第二类回应数据中的第一子数据填入至所述回应信息中的第一保留比特区；以及根据从所述多个子存储区中的第二子存储区读取的第二状态数据，将所述第二类回应数据中的第二子数据填入至所述回应信息中的第二保留比特区，其中所述第一子存储区不同于所述第二子存储区，且所述第一保留比特区不同于所述第二保留比特区。16、本发明的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元，其用以控制存储器存储装置。所述存储器存储装置包括可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以：从所述主机系统取得操作指令；根据所述操作指令产生回应信息，其中所述回应信息携带第一类回应数据与第二类回应数据，其中所述第一类回应数据反映所述操作指令的执行结果，且所述第二类回应数据与所述操作指令的所述执行结果无关；以及将所述回应信息传送至所述主机系统，以回应所述操作指令。17、在一范例实施例中，所述存储器管理电路根据所述操作指令产生所述回应信息的操作包括：检测用于产生所述回应信息的事件；响应于所述事件，从状态寄存器读取状态数据，其中所述状态数据反映所述存储器存储装置的状态；以及在产生所述回应信息的期间，根据所述状态数据，将所述第二类回应数据填入所述回应信息中。18、在一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以：在检测到用于产生所述回应信息的所述事件之前，将所述状态数据写入所述状态寄存器中。19、在一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以：在取得所述操作指令之前，将所述状态数据写入所述状态寄存器中。20、在一范例实施例中，所述状态寄存器包括多个子存储区，所述回应信息包括多个保留比特区，其中所述存储器管理电路根据所述状态数据，将所述第二类回应数据填入所述回应信息中的操作包括：根据从所述多个子存储区中的第一子存储区读取的第一状态数据，将所述第二类回应数据中的第一子数据填入至所述回应信息中的第一保留比特区；以及根据从所述多个子存储区中的第二子存储区读取的第二状态数据，将所述第二类回应数据中的第二子数据填入至所述回应信息中的第二保留比特区，其中所述第一子存储区不同于所述第二子存储区，且所述第一保留比特区不同于所述第二保留比特区。21、基于上述，在从主机系统取得操作指令后，回应信息可根据所述操作指令而产生。特别是，此回应信息可用以携带第一类回应数据与第二类回应数据。第一类回应数据可反映操作指令的执行结果，而第二类回应数据则与所述操作指令的执行结果无关。然后，此回应信息可被传送至主机系统，以回应所述操作指令。由此，可有效提高主机系统与存储器存储装置之间的信息传递效率。当前第1页12当前第1页12