一种高气密性的发光器件的制作方法

本技术涉及led，特别涉及一种高气密性的发光器件。

背景技术：

1、气密性封装就是利用不透气及防水材料制成的腔体，将电子器件与周围的环境隔离开，通过消除密封过程中来自封装腔体的水汽，并阻止在工作寿命阶段内器件封装周围潮气的侵入，使器件封装体获得良好的长期可靠性，气密性封装是高可靠性封装的基础。

2、现有的气密性的封装方法，通过塑胶料围设基板形成碗杯，并填充基板间缝隙形成绝缘。但仍然会存在以下不足：塑胶料与金属基板结合性较差，会存在微小缝隙，水汽容易进入，从而降低led器件的可靠性和寿命；光转换层一般由荧光粉加上硅胶混合组成，混合物粘度较低，填充支架碗杯后，也容易从上述缝隙渗透至基板底部，从而造成不良品。

3、现有的解决方案，增加基板与塑胶料的结合面积，延长水汽进入路径的制作方法，改善效果有限，不能满足高气密性的封装要求。

4、因此，针对现有技术的不足提供一种高气密性的发光器件。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种高气密性的发光器件，该装置具有解决无法满足高气密性封装要求的问题。

2、为了达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

3、一种高气密性的发光器件，包括：基板、所述基板上固设有至少一个led芯片、连接所述led芯片与所述基板的导线、所述基板四周围设有支架，所述基板上方覆盖有光转换层，所述光转换层覆盖所述led芯片、所述导线；

4、所述基板设有若干半蚀刻区，所述半蚀刻区包括缓冲层和保护层，所述基板、所述保护层分别设置在所述缓冲层两端面，所述保护层与所述支架连接；

5、所述缓冲层设有第一粗糙面，所述保护层铺设于所述第一粗糙面，所述保护层与所述支架连接的一端面设有第二粗糙面。

6、作为本实用新型技术方案的进一步改进，所述第一粗糙面与所述第二粗糙面形状相似，所述第一粗糙面、所述第二粗糙面呈凹凸状。

7、作为本实用新型技术方案的进一步改进，所述保护层的厚度小于第一粗糙面的最高点和最低点的高度差，所述第一粗糙面、所述第二粗糙面的最高点和最低点的高度差为0.1-3um。

8、作为本实用新型技术方案的进一步改进，所述半蚀刻区呈台阶状或倒台阶状。

9、作为本实用新型技术方案的进一步改进，所述半蚀刻区通过冲压或蚀刻的方式形成。

10、作为本实用新型技术方案的进一步改进，所述第一粗糙面通过局部微腐蚀或局部电镀沉积的方式形成。

11、作为本实用新型技术方案的进一步改进，所述缓冲层为镍或镍、铜、镍叠层结构。

12、作为本实用新型技术方案的进一步改进，所述保护层为银、钯、金中的一种或几种金属的叠层结构。

13、与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

14、本实用新型的高气密性的发光器件中，通过基板设有若干半蚀刻区，半蚀刻区包括缓冲层和保护层，基板、保护层分别设置在缓冲层两端面，保护层与支架连接；缓冲层设有第一粗糙面，保护层铺设于第一粗糙面，保护层与支架连接的一端面设有第二粗糙面；通过控制第一粗糙面表面的粗糙度和保护层的厚度，使得保护层表面也存在第二粗糙面，从而增强金属基座和塑料支架的结合力，粘接会更加牢固，同时由于粗糙面的存在，使得水汽或杂质进入的路程变长，进一步提升其气密性。本高气密性的发光器件，具有满足高气密性封装要求的特点。

技术特征：

1.一种高气密性的发光器件，其特征在于，包括：基板、所述基板上固设有至少一个led芯片、连接所述led芯片与所述基板的导线、所述基板四周围设有支架，所述基板上方覆盖有光转换层，所述光转换层覆盖所述led芯片、所述导线；

2.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述第一粗糙面与所述第二粗糙面形状相似，所述第一粗糙面、所述第二粗糙面呈凹凸状。

3.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度小于第一粗糙面的最高点和最低点的高度差，所述第一粗糙面、所述第二粗糙面的最高点和最低点的高度差为0.1-3um。

4.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述半蚀刻区呈台阶状或倒台阶状。

5.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述半蚀刻区通过冲压或蚀刻的方式形成。

6.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述第一粗糙面通过局部微腐蚀或局部电镀沉积的方式形成。

7.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述缓冲层为镍或镍、铜、镍叠层结构。

8.根据权利要求1所述的一种高气密性的发光器件，其特征在于，所述保护层为银、钯、金中的一种或几种金属的叠层结构。

技术总结本技术涉及LED技术领域，特别涉及一种高气密性的发光器件。该高气密性的发光器件具体包括：基板、基板上固设有至少一个LED芯片、连接LED芯片与基板的导线、基板四周围设有支架，基板上方覆盖有光转换层，光转换层覆盖LED芯片、导线；基板设有若干半蚀刻区，半蚀刻区包括缓冲层和保护层，基板、保护层分别设置在缓冲层两端面，保护层与支架连接；缓冲层设有第一粗糙面，保护层铺设于第一粗糙面，保护层与支架连接的一端面设有第二粗糙面。本技术具有满足高气密性封装要求的优点。技术研发人员：徐波,万垂铭,曾照明,朱文敏,李晨骋,徐凯雄,刘杰淳受保护的技术使用者：广东晶科电子股份有限公司技术研发日：20231128技术公布日：2024/7/23