一种半导体封装结构和滤波器的制作方法

本技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体封装结构和滤波器。

背景技术：

1、倒装芯片(flip-chip)是一种集成电路封装技术，相比于传统的芯片封装方式，倒装芯片具有更高的集成度、更低的电阻、更短的信号路径、更好的散热性能。

2、金属铝具有良好的导电性和导热性，并且价格低廉、易于加工，因此是滤波器金属加厚层(键合金属层)的优质选择。

3、正是由于金属铝质地较软、容易变形的特点，在倒装过程中铝受到压力会发生变形，如果变形后延伸出的铝触碰到叉指换能器、母线等功能区域，极易造成短路或者部分功能区失效等问题。此外，延伸出的铝可能增加滤波器的电阻，使电性能变差。

技术实现思路

1、本实用新型提供了一种半导体封装结构，以解决在倒装过程中被挤出的键合金属触碰到叉指换能器、母线等功能区域，造成短路或者部分功能区失效的问题。

2、根据本实用新型的一方面，提供了一种半导体封装结构，包括：基板、芯片和键合结构，所述键合结构位于所述基板与所述芯片之间，且键合连接所述基板和所述芯片；

3、所述芯片包括芯片本体和键合金属层，所述键合金属层位于所述芯片本体与所述键合结构之间，所述键合金属层与所述键合结构键合连接；

4、所述芯片还包括位于所述键合金属层中的凹槽结构，所述凹槽结构至少部分贯穿所述键合金属层。

5、可选地，所述键合结构包括中心键合区域，所述键合金属层至少在所述中心键合区域与所述键合结构键合连接；

6、所述凹槽结构设置于所述中心键合区域的至少一侧。

7、可选地，所述凹槽结构围绕所述中心键合区域。

8、可选地，所述凹槽结构包括多个凹槽子结构，多个所述凹槽子结构沿第一方向排列；所述第一方向为所述中心键合区域指向所述凹槽结构的方向

9、多个所述凹槽子结构包括第一凹槽子结构和第二凹槽子结构，沿所述第一方向，所述第二凹槽子结构位于所述第一凹槽子结构远离所述中心键合区域的一侧；

10、所述第二凹槽子结构在所述第一方向上的开槽宽度小于所述第一凹槽子结构在所述第一方向上的开槽宽度，和/或，所述第二凹槽子结构的深度小于所述第一凹槽子结构的深度。

11、可选地，沿所述第一方向，多个所述凹槽子在所述第一方向上的开槽宽度逐渐减小，和/或，多个所述凹槽子结构的深度逐渐减小。

12、可选地，所述凹槽结构包括多个凹槽分部，相邻两个所述凹槽分部之间存在间隙，所述间隙中设置有所述键合金属层。

13、可选地，所述凹槽结构包括连续凹槽结构。

14、可选地，所述键合金属层的边缘限定面积为s1，所述凹槽结构的开槽面积为s2，其中，0＜s2/s1＜30％。

15、可选地，所述芯片还包括位于所述芯片本体与所述焊合金属层之间的功能金属层，所述功能金属层中设置有功能器件。

16、根据本实用新型的另一方面，提供了一种滤波器，包括上述的半导体封装结构。

17、本实用新型实施例的技术方案，通过键合结构键合连接基板和芯片，其中，芯片是通过键合金属层与键合结构连接的，如此实现倒装芯片的结构，可以提供半导体封装结构的集成度；进一步的，在键合金属层上设置有凹槽结构，凹槽结构可以容纳芯片倒装过程中挤出的键合金属，减小了键合金属的挤出体积，避免了被挤出的键合金属触碰到叉指换能器、母线等功能区域，造成短路或者部分功能区失效的问题。另外，键合金属层中设置有键合电极，通过在键合金属层中设置容纳键合金属的凹槽结构，保证键合电极周围容易被键合金属因积压波及的不可使用范围减小，从而可以减小半导体封装结构的尺寸，符合现代滤波器往小型化发展的趋势。

18、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本实用新型的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本实用新型的范围。本实用新型的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括基板、芯片和键合结构，所述键合结构位于所述基板与所述芯片之间，且键合连接所述基板和所述芯片；

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，所述键合结构包括中心键合区域，所述键合金属层至少在所述中心键合区域与所述键合结构键合连接；

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凹槽结构围绕所述中心键合区域。

4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凹槽结构包括多个凹槽子结构，多个所述凹槽子结构沿第一方向排列；所述第一方向为所述中心键合区域指向所述凹槽结构的方向；

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，沿所述第一方向，多个所述凹槽子结构在所述第一方向上的开槽宽度逐渐减小，和/或，多个所述凹槽子结构的深度逐渐减小。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凹槽结构包括多个凹槽分部，相邻两个所述凹槽分部之间存在间隙，所述间隙中设置有所述键合金属层。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凹槽结构包括连续凹槽结构。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述键合金属层的边缘限定面积为s1，所述凹槽结构的开槽面积为s2，其中，0＜s2/s1＜30％。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片还包括位于所述芯片本体与所述键合金属层之间的功能金属层，所述功能金属层中设置有功能器件。

10.一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的半导体封装结构。

技术总结本技术公开了一种半导体封装结构和滤波器，半导体封装结构包括：包括基板、芯片和键合结构，所述键合结构位于所述基板与所述芯片之间，且键合连接所述基板和所述芯片；所述芯片包括芯片本体和键合金属层，所述键合金属层位于所述芯片本体与所述键合结构之间，所述键合金属层与所述键合结构键合连接；所述芯片还包括位于所述键合金属层中的凹槽结构，所述凹槽结构至少部分贯穿所述键合金属层。本技术提供的半导体封装结构通过在键合金属层中设置凹槽结构，容纳芯片倒装过程中挤出的键合金属，减小了键合金属的挤出体积，避免了被挤出的键合金属触碰到叉指换能器、母线等功能区域，造成短路或者部分功能区失效的问题。技术研发人员：张玲琴,毕秀文,沃基·特梅斯根·贝利受保护的技术使用者：天通瑞宏科技有限公司技术研发日：20231116技术公布日：2024/7/25