一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统的制作方法

本发明涉及太阳能电池，具体涉及一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统。

背景技术：

1、太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能，而转化效率为太阳电池性能的重要指标。ibc（interdigitatedback contact）太阳能电池，也即叉指型背接触电池，其正/负电极均设计于电池的背面，使得前表面彻底避免了金属栅线的遮挡，杜绝了金属栅线遮挡所带来的光学损失，同时电极宽度可设计的较现有更宽，降低了串联电阻损失，从而大幅提高电池转化效率。另外，由于正面无电极的设计下，产品外观更优美，适合于多种应用场景。

2、现有技术中，背接触太阳能电池的背面形成交错设置的p区和n区，通常地，p区对应的金属电极进入p型掺杂多晶硅层的深度与n区对应的金属电极进入n型掺杂多晶硅层的深度相等，由于p型掺杂多晶硅层与金属电极接触效果相对较差，使得p型掺杂多晶硅层与金属电极导电性能差，影响电池的转换效率。

技术实现思路

1、本发明提供一种背接触太阳能电池，旨在解决现有技术的背接触太阳能电池存在p型掺杂多晶硅层与金属电极接触效果差，影响电池转换效率的问题。

2、本发明是这样实现的，提供一种背接触太阳能电池，包括：

3、硅基底，所述硅基底具有相对设置的背面和正面；

4、p型掺杂多晶硅层，位于所述硅基底的背面的第一区域；

5、n型掺杂多晶硅层，位于所述硅基底的背面的第二区域，且所述第一区域异于所述第二区域；

6、设于所述第一区域、并与所述p型掺杂多晶硅层接触的第一金属电极；

7、设于所述第二区域、并与所述n型掺杂多晶硅层接触的第二金属电极；

8、其中，所述第一金属电极的金属晶体进入所述p型掺杂多晶硅层的深度大于所述第二金属电极的金属晶体进入所述n型掺杂多晶硅层的深度。

9、优选的，所述第一金属电极的金属晶体进入所述p型掺杂多晶硅层的深度与所述第二金属电极的金属晶体进入所述n型掺杂多晶硅层的深度的比值为1~4，且不等于1。

10、优选的，所述第一金属电极的金属晶体进入所述p型掺杂多晶硅层的深度与所述第二金属电极的金属晶体进入所述n型掺杂多晶硅层的深度的比值为1~2，且不等于1。

11、优选的，所述第一金属电极的金属晶体进入所述p型掺杂多晶硅层的深度为2~300nm；所述第二金属电极的金属晶体进入所述n型掺杂多晶硅层的深度为1~200nm。

12、优选的，所述第一金属电极与所述第二金属电极均包括银、玻璃料及有机材料，且所述第一金属电极中的玻璃料含量大于所述第二金属电极中的玻璃料含量。

13、优选的，所述p型掺杂多晶硅层的折射率小于所述n型掺杂多晶硅层的折射率。

14、优选的，还包括位于所述p型掺杂多晶硅层背面与所述n型掺杂多晶硅层背面的背面钝化膜层，所述第一金属电极的金属晶体穿过所述背面钝化膜层进入所述p型掺杂多晶硅层，所述第二金属电极的金属晶体穿过所述背面钝化膜层进入所述n型掺杂多晶硅。

15、优选的，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸大于所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸。

16、优选的，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸与所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸的比值为1~4，且不等于1。

17、优选的，所述n型掺杂多晶硅层的厚度大于所述p型掺杂多晶硅层的厚度。

18、优选的，所述n型掺杂多晶硅层的厚度与所述p型掺杂多晶硅层的厚度的比值为1~2，且不等于1。

19、本发明还提供一种电池组件，包括上述的背接触太阳能电池。

20、本发明还提供一种光伏系统，包括上述的电池组件。

21、本发明提供的一种背接触太阳能电池通过将第一金属电极的金属晶体进入p型掺杂多晶硅层的深度设置成大于第二金属电极的金属晶体进入n型掺杂多晶硅层的深度，在第二金属电极的金属晶体进入n型掺杂多晶硅层的深度不变的前提下，增加第一金属电极的金属晶体进入p型掺杂多晶硅层的深度，可以增加第一金属电极的金属晶体与p型掺杂多晶硅层的接触面积，提升第一金属电极与p型掺杂多晶硅层的接触效果，实现良好的欧姆接触，提高第一金属电极与p型掺杂多晶硅层的导电性能，从而提高电池转换效率。

技术特征：

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一金属电极的金属晶体进入所述p型掺杂多晶硅层的深度与所述第二金属电极的金属晶体进入所述n型掺杂多晶硅层的深度的比值为1~4，且不等于1。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一金属电极的金属晶体进入所述p型掺杂多晶硅层的深度与所述第二金属电极的金属晶体进入所述n型掺杂多晶硅层的深度的比值为1~2，且不等于1。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一金属电极的金属晶体进入所述p型掺杂多晶硅层的深度为2~300nm；所述第二金属电极的金属晶体进入所述n型掺杂多晶硅层的深度为1~200nm。

5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一金属电极与所述第二金属电极均包括银、玻璃料及有机材料，且所述第一金属电极中的玻璃料含量大于所述第二金属电极中的玻璃料含量。

6.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层的折射率小于所述n型掺杂多晶硅层的折射率。

7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括位于所述p型掺杂多晶硅层背面与所述n型掺杂多晶硅层背面的背面钝化膜层，所述第一金属电极的金属晶体穿过所述背面钝化膜层进入所述p型掺杂多晶硅层，所述第二金属电极的金属晶体穿过所述背面钝化膜层进入所述n型掺杂多晶硅。

8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸大于所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸。

9.根据权利要求8所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸与所述n型掺杂多晶硅层的平均晶粒尺寸的比值为1~4，且不等于1。

10.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂多晶硅层的厚度大于所述p型掺杂多晶硅层的厚度。

11.根据权利要求10所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂多晶硅层的厚度与所述p型掺杂多晶硅层的厚度的比值为1~2，且不等于1。

12.一种电池组件，其特征在于，包括如权利要求1~11任意一项所述的背接触太阳能电池。

13.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求12所述的电池组件。

技术总结本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统，背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底具有相对设置的背面和正面；P型掺杂多晶硅层，位于硅基底的背面的第一区域；N型掺杂多晶硅层，位于硅基底的背面的第二区域；设于第一区域、并与P型掺杂多晶硅层接触的第一金属电极；设于第二区域、并与N型掺杂多晶硅层接触的第二金属电极；第一金属电极的金属晶体进入P型掺杂多晶硅层的深度大于第二金属电极的金属晶体进入N型掺杂多晶硅层的深度。本发明的背接触太阳能电池可以提升金属电极与P型掺杂多晶硅层的接触效果，从而提高金属电极与P型掺杂多晶硅层的导电性能，提高电池转换效率。技术研发人员：王永谦,陈刚受保护的技术使用者：浙江爱旭太阳能科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25