一种脉冲电容器框架的制作方法

本技术涉及一种脉冲电容器框架。

背景技术：

1、现有陶瓷脉冲电容器芯片耐压一般为几千至一万伏，受现有的脉冲电容器材料及工艺的影响，电容器芯片具有耐压极限，若将耐压极限设计得更高，则会对电容器芯片的可靠性造成不良影响，因此这使得现有的脉冲电容器所能应用的高压场合受到限制。为了使脉冲电容器能够用于更高电压场合，可将多组陶瓷芯片串联，但现有技术中还没有对应的可实现多组陶瓷芯片串联的框架。

技术实现思路

1、本实用新型提出一种脉冲电容器框架，能够实现多组陶瓷芯片的串联，从而使脉冲电容器能够适用于更高电压场合。

2、本实用新型通过以下技术方案实现：

3、一种脉冲电容器框架，用于使多个陶瓷芯片组串联，陶瓷芯片组包括多个竖直间隔布置且并联的陶瓷芯片，框架包括相对竖直布置的第一焊接片组和第二焊接片组，第一焊接片组包括两第一焊接片和间隔布置在两第一焊接片之间的若干第二焊接片，第二焊接片组包括间隔布置的若干第二焊接片，第一焊接片与一组陶瓷芯片组焊接，第二焊接片与两组陶瓷芯片组焊接，如此能够实现各陶瓷芯片组的串联，当应用于更高电压场合时，各陶瓷芯片组可进行分压，从而使得各陶瓷芯片所承受的电压降低，保证陶瓷芯片以及脉冲电容器的可靠性。

4、进一步的，所述第一焊接片组包括间隔布置的两第一焊接片，所述第二焊接片组包括一第二焊接片，一陶瓷芯片组两端分别焊接在一第一焊接片与第二焊接片之间，另一陶瓷芯片组两端分别焊接在另一第一焊接片与第二焊接片之间，实现两陶瓷芯片组的串联。

5、进一步的，所述第一焊接片和第二焊接片上均间隔设置有若干让位孔，让位孔位置与两竖直相邻的陶瓷芯片之间的间隙对应。

6、进一步的，所述第一焊接片竖直折弯形成与位于边缘的陶瓷芯片组外侧面间隔相对的引出面，引出面下端向外水平折弯形成引出端。

7、进一步的，所述第二焊接片中部竖直间隔设置有多个第一透气孔。

8、进一步的，所述第一焊接片和第二焊接片的相邻两让位孔之间均设置有横向间隔的多个第二透气孔。

9、进一步的，所述引出面下端低于第一焊接片和第二焊接片下端。

技术特征：

1.一种脉冲电容器框架，用于使多个陶瓷芯片组串联，陶瓷芯片组包括多个竖直间隔布置且并联的陶瓷芯片，其特征在于：框架包括相对竖直布置的第一焊接片组和第二焊接片组，第一焊接片组包括两第一焊接片和间隔布置在两第一焊接片之间的若干第二焊接片，第二焊接片组包括间隔布置的若干第二焊接片，第一焊接片与一组陶瓷芯片组焊接，第二焊接片与两组陶瓷芯片组焊接，以实现各陶瓷芯片组的串联。

2.根据权利要求1所述的一种脉冲电容器框架，其特征在于：所述第一焊接片组包括间隔布置的两第一焊接片，所述第二焊接片组包括一第二焊接片，一陶瓷芯片组两端分别焊接在一第一焊接片与第二焊接片之间，另一陶瓷芯片组两端分别焊接在另一第一焊接片与第二焊接片之间，实现两陶瓷芯片组的串联。

3.根据权利要求1所述的一种脉冲电容器框架，其特征在于：所述第一焊接片和第二焊接片上均间隔设置有若干让位孔，让位孔位置与两竖直相邻的陶瓷芯片之间的间隙对应。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种脉冲电容器框架，其特征在于：所述第一焊接片竖直折弯形成与位于边缘的陶瓷芯片组外侧面间隔相对的引出面，引出面下端向外水平折弯形成引出端。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种脉冲电容器框架，其特征在于：所述第二焊接片中部竖直间隔设置有多个第一透气孔。

6.根据权利要求3所述的一种脉冲电容器框架，其特征在于：所述第一焊接片和第二焊接片的相邻两让位孔之间均设置有横向间隔的多个第二透气孔。

7.根据权利要求4所述的一种脉冲电容器框架，其特征在于：所述引出面下端低于第一焊接片和第二焊接片下端。

技术总结本技术提供一种脉冲电容器框架，用于使多个陶瓷芯片组串联，陶瓷芯片组包括多个竖直间隔布置且并联的陶瓷芯片，框架包括相对竖直布置的第一焊接片组和第二焊接片组，第一焊接片组包括两第一焊接片和间隔布置在两第一焊接片之间的若干第二焊接片，第二焊接片组包括间隔布置的若干第二焊接片，第一焊接片与一组陶瓷芯片组焊接，第二焊接片与两组陶瓷芯片组焊接，如此能够实现各陶瓷芯片组的串联，当应用于更高电压场合时，各陶瓷芯片组可进行分压，从而使得各陶瓷芯片所承受的电压降低，保证陶瓷芯片以及脉冲电容器的可靠性。技术研发人员：朱江滨,陈小吟,吴育东,白龙山,王凯星受保护的技术使用者：福建火炬电子科技股份有限公司技术研发日：20231122技术公布日：2024/7/25