半导体装置的制作方法

本技术实施例涉及一种半导体装置。更具体来说，本技术实施例涉及一种具有环结构以及盖结构的半导体装置。

背景技术：

1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)行业已经历快速增长。在此增长的过程中，装置的功能密度一般会因装置特征大小而增大。此种按比例缩小工艺一般藉由提高生产效率、降低成本及/或改善效能来提供有益效果。此种按比例缩小亦已增加了处理及制造ic的复杂性。为达成该些进步，需要在ic制作方面有所进步。

技术实现思路

1、一种半导体装置包括衬底、第一装置、第二装置、环结构、盖结构以及第一黏着层。所述第一装置设置于所述衬底上。所述第二装置相邻于所述第一装置且设置于所述衬底上。所述环结构设置于所述衬底以及所述第二装置上。所述环结构包括盖体以及自所述盖体延伸出的腿部。所述盖体具有贯穿开口。所述盖结构设置于所述环结构以及所述第一装置上。所述盖结构包括本体以及自所述本体突起的突起部。所述盖结构的所述突起部插入至所述环结构的所述盖体的所述贯穿开口中。所述第一黏着层设置于所述盖结构与所述环结构的所述盖体之间。所述第一黏着层包含相变热界面材料(phase change thermalinterface material，pctim)。

2、一种半导体装置包括衬底、第一装置、第二装置、环结构、第一盖结构、第二盖结构以及第一黏着层。所述第一装置设置于所述衬底上。所述第二装置相邻于所述第一装置且设置于所述衬底上。所述环结构设置于所述衬底上以环绕所述第一装置以及所述第二装置。所述第一盖结构设置于所述环结构以及所述第二装置上。所述第一盖结构具有贯穿开口。所述第二盖结构设置于所述第一装置上。所述第二盖结构局部地位于所述第一盖结构的所述贯穿开口中。所述第二盖结构的材料不同于所述第一盖结构的材料。所述第一黏着层设置于所述第二盖结构与所述第一装置之间。所述第一黏着层包含相变热界面材料(phase change thermal interface material，pctim)。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述贯穿开口在所述衬底上的垂直投影与所述第一装置在所述衬底上的垂直投影重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述盖结构的所述本体与所述突起部是一体成形的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述盖结构的所述本体与所述突起部在空间上分离，且所述突起部藉由胶层贴合至所述本体。

6.一种半导体装置，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第二盖结构的厚度大于所述第一盖结构的厚度。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第四黏着层进一步设置于所述环结构与所述第二盖结构之间。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一盖结构的顶表面与所述第二盖结构的顶表面位于不同的水平高度处。

技术总结本技术提供一种半导体装置包括衬底、第一装置、第二装置、环结构、盖结构以及第一黏着层。第一装置设置于衬底上。第二装置相邻于第一装置且设置于衬底上。环结构设置于衬底以及第二装置上。环结构包括盖体以及自所述盖体延伸出的腿部。盖体具有贯穿开口。盖结构设置于环结构以及第一装置上。盖结构包括本体以及自本体突起的突起部。盖结构的突起部插入至环结构的盖体的贯穿开口中。第一黏着层设置于盖结构的本体与环结构的盖体之间。技术研发人员：洪文兴,陈琮瑜,李孟灿受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：20231115技术公布日：2024/7/25