半导体装置及半导体装置的制造方法与流程

本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化膜半导体场效应晶体管)等半导体装置被用于电力转换等用途。在半导体装置中，要求提高可靠性。

技术实现思路

1、实施方式的半导体装置具备导电部件、焊料层、芯片、覆盖膜、绝缘部和密封树脂。所述焊料层设于所述导电部件之上。所述芯片设于所述焊料层之上。所述覆盖膜为绝缘性。所述覆盖膜设于所述芯片之上。所述覆盖膜包含第一覆盖部分。所述第一覆盖部分覆盖所述芯片的上表面的外周端。所述绝缘部设于所述覆盖膜之上。所述密封树脂对所述焊料层、所述芯片、所述覆盖膜及所述绝缘部进行密封。

2、根据本实施方式，可提供能够提高可靠性的半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

9.一种半导体装置，其特征在于，具备：

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

技术总结本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备导电部件、焊料层、芯片、覆盖膜、绝缘部和密封树脂。所述焊料层设于所述导电部件之上。所述芯片设于所述焊料层之上。所述覆盖膜为绝缘性。所述覆盖膜设于所述芯片之上。所述覆盖膜包含第一覆盖部分。所述第一覆盖部分覆盖所述芯片的上表面的外周端。所述绝缘部设于所述覆盖膜之上。所述密封树脂对所述焊料层、所述芯片、所述覆盖膜及所述绝缘部进行密封。技术研发人员：神谷俊佑,村上和裕受保护的技术使用者：株式会社东芝技术研发日：技术公布日：2024/7/25