一种半导体晶片的封装结构及其形成方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种半导体晶片的封装结构及其形成方法。

背景技术：

1、在半导体芯片的封装过程中，来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片（半导体芯片），然后将切割好的晶片用粘结材料贴装到相应的载板的相应位置上，然后再对封装基板进行封装处理，封装完成后进行成品测试，进而获得合格的半导体封装构件，然后将合格的半导体封装构件贴装到印刷线路板上。而在半导体封装构件的制备过程中，为了消除电磁干扰，通常需要在封装树脂层外设置一金属屏蔽层，常规通过电镀工艺或蒸镀工艺直接沉积一层金属层作为金属屏蔽层，而由于金属屏蔽层与封装树脂层的结合力较差，进而容易导致金属屏蔽层剥离。

技术实现思路

1、本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体晶片的封装结构及其形成方法。

2、为实现上述目的，本发明提供了一种半导体晶片的封装结构的形成方法，所述半导体晶片的封装结构的形成方法包括以下步骤：提供一临时载板，在所述临时载板上设置多个半导体晶片。对多个所述半导体晶片进行封装处理，以形成封装树脂层，所述封装树脂层覆盖所述临时载板和所述半导体晶片。对所述封装树脂层进行切割处理，以形成多个凹槽，相邻所述半导体晶片之间均具有一个凹槽。在所述封装树脂层上形成第一金属纳米线层，所述第一金属纳米线层覆盖所述封装树脂层的上表面以及所述凹槽的侧面。在第一压力条件下沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一金属纳米线层。在所述第一金属层上形成第二金属纳米线层，接着在第二压力条件下沉积第二金属层，以得到屏蔽层，其中，所述第二压力大于所述第一压力。接着进行切割处理并剥离所述临时载板，以形成多个封装体，所述封装体的四周边缘处产生金属毛刺，接着去除所述金属毛刺。

3、优选的是，所述封装树脂层通过传递模塑成型、压缩成型、层压、旋涂或喷涂工艺形成。

4、优选的是，所述凹槽为v型凹槽，所述v型凹槽通过刀具切割处理形成。

5、优选的是，所述第一金属纳米线层和所述第二金属纳米线层通过旋涂工艺或喷涂工艺形成。

6、优选的是，所述第一金属层的厚度小于所述第二金属层的厚度。

7、优选的是，所述第一金属层的厚度为5-30纳米。

8、优选的是，所述第一压力为200-1000pa，所述第二压力为500-2000pa。

9、优选的是，去除所述金属毛刺的具体工艺为：对所述封装体的四周边缘区域进行氧离子注入工艺或氮离子注入工艺，使得所述金属毛刺被氧化或氮化，以形成金属氧化物毛刺或金属氮化物毛刺，然后通过激光烧蚀工艺去除所述金属氧化物毛刺或所述金属氮化物毛刺。

10、本发明还提出一种半导体晶片的封装结构，所述半导体晶片的封装结构采用上述形成方法制备形成的。

11、相较于现有技术，本发明的半导体晶片的封装结构及其形成方法有如下的有益效果：在本发明中，形成屏蔽层的具体工艺为：在所述封装树脂层上形成第一金属纳米线层，在第一压力条件下沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一金属纳米线层；在所述第一金属层上形成第二金属纳米线层，接着在第二压力条件下沉积第二金属层，所述第二压力大于所述第一压力，通过上述方法形成的屏蔽层，可以有效提高屏蔽层与封装树脂层的结合力，进而避免屏蔽层剥离。此外，当进行切割处理并剥离临时载板形封装体时，所述封装体的四周边缘处产生了金属毛刺，通过对所述封装体的四周边缘区域进行氧离子注入工艺或氮离子注入工艺，且通过控制离子注入的方向，可以有效使得金属毛刺被氮化或氧化，且不会损伤屏屏蔽层的主体结构，然后通过激光烧蚀工艺去除所述金属氮化物毛刺或所述金属氧化物毛刺，可以方便毛刺去除干净，进而可以有效避免后续安装过程损伤封装基板的电路，有效避免短路现象。

技术特征：

1.一种半导体晶片的封装结构的形成方法，其特征在于：所述半导体晶片的封装结构的形成方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的半导体晶片的封装结构的形成方法，其特征在于：所述封装树脂层通过传递模塑成型、压缩成型、层压、旋涂或喷涂工艺形成。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片的封装结构的形成方法，其特征在于：所述凹槽为v型凹槽，所述v型凹槽通过刀具切割处理形成。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片的封装结构的形成方法，其特征在于：所述第一金属纳米线层和所述第二金属纳米线层通过旋涂工艺或喷涂工艺形成。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片的封装结构的形成方法，其特征在于：所述第一金属层的厚度小于所述第二金属层的厚度。

6.根据权利要求5所述的半导体晶片的封装结构的形成方法，其特征在于：所述第一金属层的厚度为5-30纳米。

7.根据权利要求1所述的半导体晶片的封装结构的形成方法，其特征在于：所述第一压力为200-1000pa，所述第二压力为500-2000pa。

8.根据权利要求1所述的半导体晶片的封装结构的形成方法，其特征在于：去除所述金属毛刺的具体工艺为：对所述封装体的四周边缘区域进行氧离子注入工艺或氮离子注入工艺，使得所述金属毛刺被氧化或氮化，以形成金属氧化物毛刺或金属氮化物毛刺，然后通过激光烧蚀工艺去除所述金属氧化物毛刺或所述金属氮化物毛刺。

9.一种半导体晶片的封装结构，其特征在于：所述半导体晶片的封装结构采用权利要求1-8中任一项所述的形成方法制备形成的。

技术总结本发明涉及一种半导体晶片的封装结构及其形成方法，涉及半导体技术领域，在本发明的半导体晶片的封装结构的形成方法中，形成屏蔽层的具体工艺为：在所述封装树脂层上形成第一金属纳米线层，在第一压力条件下沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一金属纳米线层；在所述第一金属层上形成第二金属纳米线层，接着在第二压力条件下沉积第二金属层，所述第二压力大于所述第一压力，通过上述方法形成的屏蔽层，可以有效提高屏蔽层与封装树脂层的结合力，进而避免屏蔽层剥离。技术研发人员：田亚南,徐法臻受保护的技术使用者：日月新半导体（威海）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25