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一种瓷介电容器的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 18:41:50

本技术涉及电子元件,特别是涉及一种瓷介电容器。

背景技术:

1、瓷介电容器是一种常见的电子元件,用于存储和释放电荷。它由两片金属电极之间夹着一层绝缘材料组成,而这层绝缘材料通常是陶瓷,瓷介电容器的工作原理基于电场的存储和释放。当电压施加在瓷介电容器的两个电极上时,电场就会在瓷介材料中形成。瓷介材料的绝缘性质使得电荷能够在电场中存储,从而形成电容,当需要释放电荷时,瓷介电容器会将存储的电荷释放回电路中。

2、现有中高压瓷介电容器应用于穴位电针、电击治疗时,敷贴皮肤表面,长时间的高压放电,会产生局部高温,使得患者不适;传统做法在瓷介电容表面安装有温度传感器,但因为工作时,瓷介本体会产生温升,导致检测值与皮肤温度并不一致;或者在接触皮肤面敷贴,但存在点接触异物感,且无法用作红外传感、光线传感器用,为此我们提出一种瓷介电容器。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足,本实用新型提供一种瓷介电容器,双重传感功能:圆形瓷介电容器中的过孔槽可以同时容纳温度传感器和红外传感器,温度传感器直接接触皮肤表面,用于精准测量人体的皮肤温度,而红外传感器则通过过孔槽对外部红外辐射进行探测。

2、为解决上述技术问题,本实用新型提供如下技术方案:一种瓷介电容器,包括圆形瓷介电容器和方形瓷介电容器,所述圆形瓷介电容器为圆形,所述方形瓷介电容器为方形,所述圆形瓷介电容器中间位置处开设有过孔槽,所述圆形瓷介电容器表面设置有第一瓷介表面金属化电极,所述第一瓷介表面金属化电极内底端安装有温度传感器,所述第一瓷介表面金属化电极内还安装有红外传感器。

3、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述方形瓷介电容器内从左往右依次间隔开设有温度传感窗口、光线传感窗口和红外传感窗口,所述方形瓷介电容器的表面设置有第二瓷介表面金属化电极。

4、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述温度传感窗口、光线传感窗口和红外传感窗口内分别置有温度传感器、光线传感器和红外传感器。

5、与现有技术相比,本实用新型能达到的有益效果是:

6、1.双重传感功能:圆形瓷介电容器中的过孔槽可以同时容纳温度传感器和红外传感器,温度传感器直接接触皮肤表面,用于精准测量人体的皮肤温度,而红外传感器则通过过孔槽对外部红外辐射进行探测。这种双重传感功能使得电容器具备非接触式体温测量和其他红外检测应用的能力。

7、2.电极布局的合理性:为了避免高压电场对传感器的干扰,电容器表面的第一瓷介表面金属化电极被设计成避开过孔槽的位置。这样可以防止高压干扰对传感器的影响,确保传感器的正常工作和测量数据的准确性。

8、3.多种传感器集成:方形瓷介电容器采用方形设计,并在中心部位预留了多个窗口,分别用于安置温度传感器、光线传感器和红外传感器。这样的设计使得电容器不仅仅是一个简单的电子元件,还具备了智能感测的能力,可以应用于智能家居、医疗监测、环境监测等多个领域。

9、4.提供更准确的测量数据:通过将温度传感器直接接触皮肤并使用红外传感器进行辐射探测,这种瓷介电容器可以提供更准确的测量数据。相比传统的安装方式,其中瓷介本体产生的温升可能导致检测值与皮肤温度不一致的情况,这种设计可以有效避免这个问题。

技术特征:

1.一种瓷介电容器,包括圆形瓷介电容器(1)和方形瓷介电容器(11),其特征在于:所述圆形瓷介电容器(1)为圆形,所述方形瓷介电容器(11)为方形,所述圆形瓷介电容器(1)中间位置处开设有过孔槽(2),所述圆形瓷介电容器(1)表面设置有第一瓷介表面金属化电极(3),所述第一瓷介表面金属化电极(3)内底端安装有温度传感器(4),所述第一瓷介表面金属化电极(3)内还安装有红外传感器(5)。

2.根据权利要求1所述的一种瓷介电容器,其特征在于:所述方形瓷介电容器(11)内从左往右依次间隔开设有温度传感窗口(21)、光线传感窗口(22)和红外传感窗口(23),所述方形瓷介电容器(11)的表面设置有第二瓷介表面金属化电极(31)。

3.根据权利要求2所述的一种瓷介电容器,其特征在于:所述温度传感窗口(21)、光线传感窗口(22)和红外传感窗口(23)内分别置有温度传感器(4)、光线传感器和红外传感器(5)。

技术总结本技术公开了一种瓷介电容器,涉及电子元件技术领域,包括圆形瓷介电容器和方形瓷介电容器,圆形瓷介电容器为圆形,方形瓷介电容器为方形,圆形瓷介电容器中间位置处开设有过孔槽,圆形瓷介电容器表面设置有第一瓷介表面金属化电极,第一瓷介表面金属化电极内底端安装有温度传感器,第一瓷介表面金属化电极内还安装有红外传感器;双重传感功能:圆形瓷介电容器中的过孔槽可以同时容纳温度传感器和红外传感器,温度传感器直接接触皮肤表面,用于精准测量人体的皮肤温度,而红外传感器则通过过孔槽对外部红外辐射进行探测。技术研发人员:李伟力,李国正受保护的技术使用者:昆山万丰电子有限公司技术研发日:20231222技术公布日:2024/7/29

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