一种碳化硅二极管的封装框架的制作方法

本技术涉及二极管封装，尤其涉及一种碳化硅二极管的封装框架。

背景技术：

1、碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性，使电力电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进；碳化硅器件的这些优良特性，需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接，才能得到完美展现。

2、目前在对碳化硅二极管进行封装时，一般采用柔性pcb板结合烧结银工艺的封装方式，柔性pcb的耐热性不佳，进而影响了柔性pcb板结合烧结银工艺封装方式在高温运行的可靠性。

3、因此，有必要提供一种新的碳化硅二极管的封装框架解决上述技术问题。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本实用新型提供一种提高高温运行可靠性的碳化硅二极管的封装框架。

2、本实用新型提供的碳化硅二极管的封装框架包括：碳化硅模块，所述碳化硅模块的上表面设置有铜金属层；上基板，所述上基板与铜金属层的上表面固定连接；下基板，所述下基板与碳化硅模块的下表面固定连接；散热机构，所述散热机构的数量为两个，两个散热机构分别与上基板的上表面以及下基板的下表面连接；所述散热机构包括散热板，所述散热板与下基板的下表面或者铜金属层的上表面连接，且散热板的外表面一体成型有多个均匀分布的散热翅片。

3、优选的，多个散热翅片内均开设有微通道，每个微通道内注有散热液。

4、优选的，所述散热液为氟化液。

5、优选的，所述铜金属层通过电镀或者溅射的方式与碳化硅模块的上表面连接。

6、优选的，所述下基板包括第一下基板，所述第一下基板的下方设有第二下基板，第一下基板和第二下基板通过银烧结叠合连接，且第一下基板和第二下基板的中间层连接与外部母线连接。

7、优选的，所述第一下基板的上表面固定连接有多个用于对碳化硅模块定位的陶瓷定位座，陶瓷定位座上表面的边角处开设有圆角。

8、优选的，与所述上基板连接的散热板开设有通槽，且上基板的上表面焊接有瓷片电容，瓷片电容位于通槽内。

9、与相关技术相比较，本实用新型提供的碳化硅二极管的封装框架具有如下

10、有益效果：

11、1、本实用新型在使用时，散热板贴合下基板的下表面或者铜金属层的上表面，进而实现碳化硅模块的双面散热封装，减小整个碳化硅二极管在高温时的层间热应力，进而提高碳化硅模块高温运行的可靠性。

12、2、本实用新型中的多个散热翅片与散热板一体成型，有利于热量在散热翅片与散热板之间的传递，且多个散热翅片可以增加有效散热的面积，进而提高散热的效果；

13、3、本实用新型中的第一下基板和第二下基板叠合连接，且第一下基板和第二下基板的中间层连接到母线中间电压，进而可以减小下基板边缘的场强，同时可以减小桥臂中点对地的寄生电容。

技术特征：

1.一种碳化硅二极管的封装框架，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅二极管的封装框架，其特征在于，多个散热翅片(22)内均开设有微通道(23)，每个微通道(23)内注有散热液。

3.根据权利要求2所述的碳化硅二极管的封装框架，其特征在于，所述散热液为氟化液。

4.根据权利要求1所述的碳化硅二极管的封装框架，其特征在于，所述铜金属层(6)通过电镀或者溅射的方式与碳化硅模块(4)的上表面连接。

5.根据权利要求1-4任一所述的碳化硅二极管的封装框架，其特征在于，所述下基板(5)包括第一下基板(52)，所述第一下基板(52)的下方设有第二下基板(53)，第一下基板(52)和第二下基板(53)通过银烧结叠合连接，且第一下基板(52)和第二下基板(53)的中间层连接与外部母线连接。

6.根据权利要求5所述的碳化硅二极管的封装框架，其特征在于，所述第一下基板(52)的上表面固定连接有多个用于对碳化硅模块(4)定位的陶瓷定位座(51)，陶瓷定位座(51)上表面的边角处开设有圆角。

7.根据权利要求6所述的碳化硅二极管的封装框架，其特征在于，与所述上基板(3)连接的散热板(21)开设有通槽，且上基板(3)的上表面焊接有瓷片电容(1)，瓷片电容(1)位于通槽内。

技术总结本技术提供一种碳化硅二极管的封装框架，涉及二极管封装技术领域。所述碳化硅二极管的封装框架包括：碳化硅模块，所述碳化硅模块的上表面连接有铜金属层；上基板，所述上基板与铜金属层的上表面焊接连接；下基板，所述下基板与碳化硅模块的下表面焊接连接；散热机构，所述散热机构的数量为两个，两个散热机构分别与上基板的上表面以及下基板的下表面连接；所述散热机构包括散热板，所述散热板与下基板的下表面或者铜金属层的上表面连接，且散热板的外表面一体成型有多个均匀分布的散热翅片。本技术提供的碳化硅二极管的封装框架具有提高高温运行可靠性的优点。技术研发人员：吉炜受保护的技术使用者：无锡市乾野微纳科技有限公司技术研发日：20231017技术公布日：2024/7/29