非挥发性存储器装置及其控制方法与流程

本发明涉及存储器装置，尤其涉及非挥发性存储器装置及其控制方法。

背景技术：

1、非挥发性存储器已广泛运用于个人计算机、电信、消费电子及其它各种领域，其中多次可编程(multi-time programmable，mtp)存储器、电可擦除可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory，eeprom)及快闪存储器皆为广泛使用的非挥发性存储器。由于非挥发性存储器的闸极氧化层缺陷，在多次编程-抹除周期后电子会陷入闸极氧化层，称为循环陷阱效应(cycling trapped effect)。若电子从闸极氧化层逃逸则非挥发性存储器所产生的数据电流会发生飘移，此时若使用固定的参考电流读取非挥发性存储器则会造成数据读取错误。相关技术使用修整(trimming)技术来人工调整参考电流，然而这个方式费时且不精确。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种非挥发性存储器装置的控制方法，非挥发性存储器装置包含一组存储器单元、周期晶体管、参考晶体管及控制电路，控制电路耦接于该组存储器单元、周期晶体管及参考晶体管。控制方法包含在该组存储器单元的编程操作或抹除操作时，控制电路读取周期晶体管，及在读取到该周期晶体管在抹除状态后，控制电路依序将该参考晶体管从参考状态设置至抹除状态，及将参考晶体管从抹除状态回复至参考状态，参考状态介于抹除状态及编程状态之间。

2、本发明实施例另提供一种非挥发性存储器装置的控制方法，非挥发性存储器装置包含一组存储器单元、周期晶体管、参考晶体管及控制电路，控制电路耦接于该组存储器单元、周期晶体管及参考晶体管。控制方法包含在该组存储器单元的编程操作或抹除操作时，控制电路读取周期晶体管，及在读取到周期晶体管在编程状态后，控制电路依序将参考晶体管从参考状态设置至编程状态，及将参考晶体管从编程状态回复至参考状态，参考状态介于抹除状态及编程状态之间。

3、本发明实施例另提供一种非挥发性存储器装置，包含一组存储器单元、周期晶体管、参考晶体管、比较电路及控制电路。比较电路包含比较器，耦接于周期晶体管及参考晶体管，用以在该组存储器单元的编程操作或抹除操作时，比较周期晶体管所产生的周期电流及参考晶体管所产生的参考电流以产生比较结果。控制电路耦接于该组存储器单元、周期晶体管、参考晶体管及比较器，用以依据比较结果控制周期晶体管及参考晶体管的操作。

技术特征：

1.一种非挥发性存储器装置的控制方法，其特征在于，该非挥发性存储器装置包含一组存储器单元、一周期晶体管、一参考晶体管及一控制电路，该控制电路耦接于该组存储器单元、该周期晶体管及该参考晶体管，该方法包含：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：在读取到该周期晶体管在该抹除状态后，该控制电路将该周期晶体管由该抹除状态切换至该编程状态。

3.一种非挥发性存储器装置的控制方法，其特征在于，该非挥发性存储器装置包含一组存储器单元、一周期晶体管、一参考晶体管及一控制电路，该控制电路耦接于该组存储器单元、该周期晶体管及该参考晶体管，该方法包含：

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包含：在读取到该周期晶体管在该编程状态后，该控制电路将该周期晶体管由该编程状态切换至该抹除状态。

5.如权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，还包含：

6.如权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，还包含：

7.如权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，还包含：

8.一种非挥发性存储器装置，其特征在于，包含：

9.如权利要求8所述的非挥发性存储器装置，其特征在于，当该第一比较结果表示该周期晶体管在一抹除状态时，该控制电路用以依序将该参考晶体管从一参考状态设置至该抹除状态，及将该参考晶体管从该抹除状态回复至该参考状态，该参考状态介于该抹除状态及一编程状态之间。

10.如权利要求9所述的非挥发性存储器装置，其特征在于，当该第一比较结果表示该周期晶体管在该抹除状态时，则该控制电路还用以将该周期晶体管由该抹除状态切换至该编程状态。

11.如权利要求8所述的非挥发性存储器装置，其特征在于，当该第一比较结果表示该周期晶体管在一编程状态时，该控制电路用以依序将该参考晶体管从一参考状态设置至该编程状态，及将该参考晶体管从该编程状态回复至该参考状态，该参考状态介于一抹除状态及该编程状态之间。

12.如权利要求11所述的非挥发性存储器装置，其特征在于，当该第一比较结果表示该周期晶体管在该编程状态时，则该控制电路还用以将该周期晶体管由该编程状态切换至该抹除状态。

13.如权利要求8所述的非挥发性存储器装置，其特征在于，还包含：

14.如权利要求13所述的非挥发性存储器装置，其特征在于，该组存储器单元包含：

15.如权利要求14所述的非挥发性存储器装置，其特征在于，该输入输出电路相邻于该另一输入输出电路。

16.如权利要求8所述的非挥发性存储器装置，其特征在于：

技术总结一种非挥发性存储器装置的控制方法，非挥发性存储器装置包含一组存储器单元、周期晶体管、参考晶体管及控制电路，控制电路耦接于该组存储器单元、周期晶体管及参考晶体管。控制方法包含在该组存储器单元的编程操作或抹除操作时，控制电路读取周期晶体管，及在读取到该周期晶体管在抹除状态(或编程状态)后，控制电路依序将该参考晶体管从参考状态设置至抹除状态(或编程状态)，及将参考晶体管从抹除状态(或编程状态)回复至参考状态，参考状态介于抹除状态及编程状态之间。技术研发人员：唐伯元受保护的技术使用者：世界先进积体电路股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15