存储器的编程方法、存储器、控制器及存储系统与流程

本公开涉及存储，尤其涉及一种存储器的编程方法、存储器、控制器、存储系统及电子设备。

背景技术：

1、为了兼顾闪存的存储容量和读写速度，闪存中除了配置多层单元(multi-levelcell，mlc)闪存之外，例如三层单元闪存、四层单元闪存、五层单元闪存等等，还配置有读写速度更快的单层单元(single-level cell，slc)闪存。

2、在向闪存写入数据(编程)时，系统需要查询编程状态，但在向slc闪存编程时，由于slc闪存的数据只能以单页模式编程，因此存储系统需要频繁查询编程状态，导致占用带宽。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种存储器的编程方法、存储器、控制器、存储系统及电子设备，用以改善存储器在以单页模式编程的情况下，系统需要频繁查询每一个数据页的编程状态导致占用带宽的问题。

2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：

3、第一方面，提供一种存储器的编程方法，存储器包括存储单元阵列以及页缓存器，存储单元阵列的工作模式包括第一存储模式，第一存储模式下数据以单页模式写入，编程方法包括：当存储单元阵列以第一存储模式写入数据时，页缓存器缓存接收的多个数据页；将页缓存器缓存的多个数据页按照接收的顺序逐页写入至存储单元阵列。

4、本公开的实施例提供的存储器的编程方法，在存储单元阵列工作在第一存储模式，数据以单页模式写入的时候，页缓存器可以缓存多个数据页，缓存的多个数据页可以按照接收的顺序被逐页写入存储单元阵列，而不是仅缓存一个数据页，仅缓存一个数据页的情况下，系统需要频繁检查这一个数据页的编程状态，以确定是否要接收下一个数据页，而本公开实施例提供的方案可以缓存多个数据页，将缓存的多个数据页逐页编程，系统不需要检查每一个数据页的编程状态，只需要检查缓存的多个数据页是否被完全编程，这样可以减少检查编程状态的次数，由于控制器与存储器之间的指令、数据等传输使用的是同一个接口，减少检查编程状态的次数，可以降低接口带宽的占用，有利于实现更高效的系统调度。

5、在一些实施例中，页缓存器包括第一锁存器、第二锁存器和至少一个第三锁存器，其中第一锁存器可以包括缓存锁存器，第二锁存器可以包括感测锁存器，第三锁存器可以包括数据锁存器，页缓存器缓存接收的多个数据页包括：将第一锁存器接收的第一数据页转移至第二锁存器；将第一锁存器接收的至少一个第二数据页转移至至少一个第三锁存器，其中，至少一个第二数据页的接收顺序位于第一数据页之后。

6、本公开的实施例提供的存储器的编程方法，在将第一锁存器接收的第一数据页转移至第二锁存器后，还可以再接收至少一个第二数据页，由至少一个第三锁存器缓存，这样可以缓存多个数据页。

7、在一些实施例中，页缓存器缓存接收的多个数据页还包括：当第二锁存器和至少一个第三锁存器处于非空闲状态时，第一锁存器将接收的第三数据页缓存，第三数据页的接收顺序位于至少一个第二数据页之后。

8、本公开的实施例提供的存储器的编程方法，在第二锁存器和第三锁存器处于非空闲状态时，第一锁存器可以将接收的第三数据页缓存，这样可以将页缓存器中的全部锁存器都利用起来，缓存多个数据页，缓存多个数据页后，缓存的多个数据页可以被连续编程至存储单元阵列。

9、在一些实施例中，将页缓存器缓存的多个数据页按照接收的顺序逐页写入至存储单元阵列包括：将第二锁存器中的第一数据页写入存储单元阵列之后，按照接收顺序，将至少一个第二数据页和第三数据页依次逐页转移至第二锁存器，并依次写入存储单元阵列。

10、本公开的实施例提供的存储器的编程方法，将缓存的多个数据页按照接收的顺序，逐页转移至第二缓存器，以将缓存的多个数据页连续地、逐页编程至存储单元阵列，控制器无须检查每一个数据页的编程状态是否完成，而只需要检查缓存的多个数据页是否编程完成即可，这样可以减少检查编程状态的次数，降低接口带宽的占用，有利于实现更高效的系统调度。

11、在一些实施例中，编程方法还包括：当页缓存器缓存的多个数据页被全部逐页写入存储单元阵列后，页缓存器再次接收多个数据页并缓存。

12、或者，在一些实施例中，编程方法还包括：当页缓存器缓存的多个数据页中的任一页被写入存储单元阵列后，页缓存器再次接收一个数据页并缓存。

13、第二方面，提供一种存储器，存储器包括存储单元阵列、页缓存器以及控制逻辑电路，其中存储单元阵列的工作模式包括第一存储模式，第一存储模式下数据以单页模式写入。控制逻辑电路被配置为当存储单元阵列以第一存储模式写入数据时，控制页缓存器缓存接收的多个数据页，将页缓存器缓存的多个数据页按照接收的顺序逐页写入至存储单元阵列。

14、在一些实施例中，页缓存器包括第一锁存器、第二锁存器和至少一个第三锁存器，第一锁存器被配置为逐页接收控制器传输的数据页，第二锁存器被配置为缓存向存储单元阵列写入的单个数据页，第三锁存器被配置为缓存第二锁存器接收的单个数据页，控制逻辑电路具体被配置为：将第一锁存器接收的第一数据页转移至第二锁存器，将第二锁存器接收的至少一个第二数据页转移至至少一个第三锁存器，其中，至少一个第二数据页的接收顺序位于第一数据页之后。

15、在一些实施例中，控制逻辑电路具体被配置为当第二锁存器和至少一个第三锁存器处于非空闲状态时，控制第一锁存器将接收的第三数据页缓存，第三数据页的接收顺序位于至少一个第二数据页之后。

16、在一些实施例中，控制逻辑电路还被配置为将第二锁存器中的第一数据页写入存储单元阵列之后，按照接收顺序，将至少一个第二数据页和第三数据页依次逐页转移至第二锁存器，并写入存储单元阵列。

17、在一些实施例中，控制逻辑电路还被配置为当页缓存器缓存的多个数据页被全部逐页写入存储单元阵列后，控制页缓存器再次接收多个数据页并缓存。

18、在一些实施例中，控制逻辑电路还被配置为，当页缓存器缓存的多个数据页中的任一页被写入存储单元阵列后，控制页缓存器再次接收一个数据页并缓存。

19、第三方面，提供一种控制器，控制器耦合至第二方面任一实施例提供的存储器，控制器被配置为向存储器发送多个待写入的数据页，其中待写入的数据页的地址是连续的。

20、第四方面，提供一种存储系统，存储系统包括第三方面提供的控制器以及第二方面任一实施例提供的存储器，控制器与存储器耦接。

21、第五方面，提供一种电子设备，包括主机以及如第四方面提供的存储系统，主机与存储系统连接，以向存储系统写入数据或者读取存储系统存储的数据。

22、可以理解地，本公开的上述实施例提供的存储器、控制器、存储系统及电子设备，其所能达到的有益效果可参考上文中存储器的编程方法的有益效果，此处不再赘述。

技术特征：

1.一种存储器的编程方法，其特征在于，所述存储器包括存储单元阵列以及页缓存器，所述存储单元阵列的工作模式包括第一存储模式，所述第一存储模式下数据以单页模式写入，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的存储器的编程方法，其特征在于，所述页缓存器包括第一锁存器、第二锁存器和至少一个第三锁存器，所述页缓存器缓存接收的多个数据页包括：

3.根据权利要求2所述的存储器的编程方法，其特征在于，所述页缓存器缓存接收的多个数据页还包括：

4.根据权利要求3所述的存储器的编程方法，其特征在于，将所述页缓存器缓存的多个数据页按照接收的顺序逐页写入至所述存储单元阵列包括：

5.根据权利要求1～4任一项所述的存储器的编程方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.根据权利要求1～4任一项所述的存储器的编程方法，其特征在于，所述方法还包括：

7.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括存储单元阵列、页缓35存器以及控制逻辑电路；所述存储单元阵列的工作模式包括第一存储模式，所述第一存储模式下数据以单页模式写入；

8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述页缓存器包括第一锁存器、第二锁存器和至少一个第三锁存器，所述第一锁存器被配置为逐页接收控制器传输的数据页，所述第二锁存器被配置为缓存向所45述存储单元阵列写入的单个数据页，所述第三锁存器被配置为缓存所述第二锁存器接收的单个所述数据页，

9.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述控制逻辑电路具体被配置为：

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述控制逻辑电路还被配置为：

11.根据权利要求7～10任一项所述的存储器，其特征在于，所述控制逻辑电路还被配置为：

12.根据权利要求7～10任一项所述的存储器，其特征在于，所述控制逻辑电路还被配置为：

13.一种控制器，其特征在于，所述控制器耦合至如权利要求7～12任一项所述的存储器，所述控制器被配置为向所述存储器发送多个待写入的数据页，其中所述待写入的数据页的地址是连续的。

14.一种存储系统，其特征在于，所述存储系统包括如权利要求13所述的控制器以及如权利要求7～12任一项所述存储器，所述控制器与所述存储器耦接。

15.一种电子设备，其特征在于，包括主机以及如权利要求14所述的存储系统，所述主机与所处存储系统连接，以向所述存储系统写入数据或者读取所述存储系统存储的数据。

技术总结本公开涉及存储技术领域，尤其涉及一种存储器的编程方法、存储器、控制器、存储系统及电子设备，用以改善存储器在以单页模式编程的情况下，存储系统需要频繁查询编程状态，导致占用带宽的问题。编程方法包括：当存储单元阵列以第一存储模式写入数据时，页缓存器缓存接收的多个数据页；将页缓存器缓存的多个数据页按照接收的顺序逐页写入至存储单元阵列。技术研发人员：邓佳梁,李博受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/6/30