一种生产高纯度68Ga的68Ge/68Ga发生器的制作方法

本技术属于发生器领域，具体涉及一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器。

背景技术：

1、68ga作为一种医用放射性同位素主要用于临床医学研究，一般由68ge/68ga发生器产生，发生器在使用过程中需要持续稳定的生产68ga用于医学造影等目的,一般希望发生器用于造影的68ga纯度越高越好。

2、目前，用于获取68ga的锗镓发生器在使用过程大多存在随着淋洗次数增加68ge漏穿率增加的问题，由于68ge半衰期较长(270.9天)，淋洗液中存在的68ge会导致病人不必要的放射性摄入。同时，由于68ga的半衰期仅有67.7min，锗镓发生器一段时间内不使用就会导致较多的68ga的衰变子体68zn在吸附柱上累积，因此下一次使用发生器时68zn会伴随着68ga被从吸附柱上洗脱，导致大量68zn伴随68ga被洗脱进入洗脱液中，洗脱液中杂质较多将会影响68ga在载体上的标记，从而影响后续的造影。因此需要开发可以产生高纯度68ga的68ge/68ga发生器。

3、中国专利：cn218159646u公开了一种能够持续产生68ga的发生器，解决了现有技术获取68ga不方便的问题，其技术方案要点是：一种锗镓发生器，包括填料筒、屏蔽罐和洗脱管；填料筒设置于屏蔽罐内；屏蔽罐用于屏蔽辐射；填料筒用于盛放吸附剂；所述吸附剂特异性吸附有68ge；填料筒包括筒体；所述筒体从内至外分别为透明层和保护层；洗脱管包括注入管和输出管；注入管和输出管分别与填料筒两端连接；洗脱剂可以经注入管进入填料筒，再由输出管流出锗镓发生器，将由68ge衰变而成的68ga带出锗镓发生器。达到方便获取68ga目的。

4、该专利中的发生器虽然可以获取68ga，但其未对淋洗液进行纯化，因此存在淋洗液68ge含量高的风险，不利于后续标记使用。

5、有鉴于此，特提出本实用新型。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的技术问题，本实用新型提供了一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器，本实用新型的发生器生产的68ga纯度高，高纯度的68ga在使用中具有更好的标记效果。

2、本实用新型包括如下技术方案：

3、本实用新型提供了一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器，包括屏蔽罐和设置在屏蔽罐上的注入管和输出管，还包括设置在所述屏蔽罐内的第一洗脱机构和第二洗脱机构；

4、所述注入管与所述第一洗脱机构连通，所述第一洗脱机构与所述第二洗脱机构连通，所述第二洗脱机构与所述输出管连通；

5、所述第一洗脱机构包括第一淋洗管和第一吸附剂，所述第一淋洗管内设置所述第一吸附剂，所述第一吸附剂吸附有68ge；

6、所述第二洗脱机构均包括第二淋洗管和第二吸附剂，所述第二淋洗管内设置所述第二吸附剂。

7、进一步地，所述注入管和所述输出管均位于所述屏蔽罐的一端，位于所述屏蔽罐的另一端所述第一洗脱机构和所述第二洗脱机构通过导流管连接。

8、进一步地，所述注入管和所述输出管设置在所述屏蔽罐的上端。

9、进一步地，所述第一淋洗管和第二淋洗管均包括管体和堵头，所述管体的两端均设置有所述堵头，所述堵头上设置有连接孔。

10、进一步地，所述第一淋洗管和第二淋洗管还包括两个过滤板，所述过滤板设置在所述管体内。

11、进一步地，所述管体为高硼硅玻璃、聚丙烯、聚苯乙烯中的一种材料制成。

12、进一步地，所述屏蔽罐包括罐体和顶盖，所述罐体和所述顶盖拆卸式连接。

13、进一步地，所述第一吸附剂为有机离子交换树脂或铝、钛、锡、锆、锰氧化物中的一种。

14、进一步地，所述第二吸附剂为有机离子交换树脂或硅、钛、锡氧化物中的一种。采用上述技术方案，本实用新型包括如下优点：

15、1、本实用新型的发生器生产的68ga纯度高，高纯度的68ga在使用中具有更好的标记效果。

技术特征：

1.一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器，包括屏蔽罐(10)和设置在屏蔽罐(10)上的注入管(20)和输出管(30)，其特征在于，还包括设置在所述屏蔽罐(10)内的第一洗脱机构(40)和第二洗脱机构(50)；

2.如权利要求1所述的一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器，其特征在于，所述注入管(20)和所述输出管(30)均位于所述屏蔽罐(10)的一端，位于所述屏蔽罐(10)的另一端所述第一洗脱机构(40)和所述第二洗脱机构(50)通过导流管(60)连接。

3.如权利要求2所述的一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器，其特征在于，所述注入管(20)和所述输出管(30)设置在所述屏蔽罐(10)的上端。

4.如权利要求1所述的一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器，其特征在于，所述第一淋洗管(401)和第二淋洗管(501)均包括管体(1)和堵头(2)，所述管体(1)的两端均设置有所述堵头(2)，所述堵头(2)上设置有连接孔。

5.如权利要求4所述的一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器，其特征在于，所述第一淋洗管(401)和第二淋洗管(501)还包括两个过滤板(3)，所述过滤板(3)设置在所述管体(1)内部两端。

6.如权利要求4所述的一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器，其特征在于，所述管体(1)为高硼硅玻璃、聚丙烯、聚苯乙烯中的一种材料制成。

7.如权利要求1所述的一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器，其特征在于，所述屏蔽罐(10)包括罐体(11)和顶盖(12)，所述罐体(11)和所述顶盖(12)拆卸式连接。

8.如权利要求1所述的一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器，其特征在于，所述第一吸附剂(402)为有机离子交换树脂或铝、钛、锡、锆、锰氧化物中的一种。

9.如权利要求1或8所述的一种生产高纯度68ga的68ge/68ga发生器，其特征在于，所述第二吸附剂(502)为有机离子交换树脂或硅、钛、锡氧化物中的一种。

技术总结本技术属于发生器领域，具体涉及一种生产高纯度<supgt;68</supgt;Ga的<supgt;68</supgt;Ge/<supgt;68</supgt;Ga发生器。包括屏蔽罐和设置在屏蔽罐上的注入管和输出管，还包括设置在所述屏蔽罐内的第一洗脱机构和第二洗脱机构；所述注入管与所述第一洗脱机构连通，所述第一洗脱机构与所述第二洗脱机构连通，所述第二洗脱机构与所述输出管连通；所述第一洗脱机构包括第一淋洗管和第一吸附剂，所述第一淋洗管内设置所述第一吸附剂，所述第一吸附剂吸附有<supgt;68</supgt;Ge；所述第二洗脱机构均包括第二淋洗管和第二吸附剂，所述第二淋洗管内设置所述第二吸附剂。本技术的发生器生产的<supgt;68</supgt;Ga纯度高，高纯度的<supgt;68</supgt;Ga在使用中具有更好的标记效果。技术研发人员：薛莎,付婧,夏海鸿,欧阳应根受保护的技术使用者：国电投核素同创（重庆）科技有限公司技术研发日：20231109技术公布日：2024/7/29