一种OLED薄膜封装层及其制备方法

本发明涉及oled薄膜封装的，更具体地说，尤其涉及一种oled薄膜封装层。本发明还涉及该薄膜封装层的制备方法。

背景技术：

1、oled(有机发光二极管)器件具有低功耗、自发光、可柔性显示等显著优点，得到了广泛的研究与应用。

2、由于oled中的发光层为有机聚合物或有机小分子、阴极材料为活泼金属，氧气容易氧化空穴传输材料并氧化有机功能材料产生羟基，并引发荧光猝灭，导致器件的量发光效率降低。而水蒸气则会降低有机功能材料的电导率、并诱导化合物水解。因此，oled器件寿命易受到空气中水氧的影响。为了提高oled器件的寿命、稳定性并满足柔性应用的需求，需对oled器件进行薄膜封装。

3、薄膜封装技术克服了传统盖板封装、镭射封装技术的弊端，可以实现oled器件的轻薄化。通过无机/有机/无机的迭层复合结构，可以在无机层阻隔水氧的同时，有机层释放无机层间的应力，覆盖无机层缺陷的同时实现薄膜的平坦化。传统的柔性封装薄膜方法通常需要较高温度环境、且未详细探讨复合结构封装薄膜的整体应力分布情况、水氧渗透机制的基本规律及薄膜的光透过率较低的问题，使得薄膜封装后器件的性能下降。传统无机/有机多层薄膜结构仅能在使用前期短暂性的起到隔离空气中水氧的作用，薄膜的结构及制备工艺仍待改进。因此，亟待设计一种能够更好封装oled器件的薄膜，以解决上述问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种oled薄膜封装层，该薄膜封装层具有较高的光学透过率及柔性弯折可靠性并能大幅度改善了水氧阻隔特性，延长oled器件的使用寿命，还能够显著提升单层薄膜的各项性能，也优化了复合膜层结构。

2、本发明的另一目的在于提供该种oled薄膜封装层的制备方法，利用该方法能够制备出质量稳定、水氧阻隔特性好的oled薄膜封装层。

3、本发明的第一技术方案如下：

4、一种oled薄膜封装层及其制备方法，包括由外向内迭层包覆oled器件基板的无机层、有机层和无机层，所述的无机层包括氧化铝层或者氮化硅层或者氧化铝层和氮化硅层相互迭层设置的复合层，所述的有机层为聚甲基丙烯酸甲酯层。

5、进一步的，所述的oled薄膜封装层包括由外向内迭层包覆oled器件基板的氧化铝层、聚甲基丙烯酸甲酯层、氮化硅层，或者包括由外向内迭层包覆oled器件基板的氮化硅层、聚甲基丙烯酸甲酯层、氮化硅层、氧化铝层，或者包括由外向内迭层包覆oled器件基板的氮化硅层、聚甲基丙烯酸甲酯层、氮化硅层，或者包括由外向内迭层包覆oled器件基板的氧化铝层、氮化硅层、聚甲基丙烯酸甲酯层、氮化硅层。

6、本发明的第二技术方案如下：

7、一种oled薄膜封装层的制备方法，包括如下步骤：将oled器件基板清洗及烘干，在oled器件基板的表面依次进行无机层制备、有机层制备和无机层制备获得，所述无机层制备包括氧化铝层制备或者氮化硅层制备或者氧化铝层和氮化硅层的组合制备。

8、进一步的，所述的氧化铝层制备过程是采用ald成膜工艺，以低温生长模式制备获得，所述的氮化硅层制备过程是采用等离子增强化学气相法沉积获得，所述氧化铝层和氮化硅层的组合制备是依次进行氧化铝层制备和氮化硅层制备获得或者依次进行氮化硅层制备和氧化铝层制备获得，所述的有机层制备过程是采用喷墨打印技术，在非真空氮气环境的打印室中沉积获得。

9、进一步的，所述的氮化硅层制备过程包括如下步骤：将烘干后的oled器件基板传入真空传送腔室，再由真空腔室传入至pecvd腔室沉积氮化硅薄膜，完成沉积后将oled器件基板传出到真空腔室，pecvd腔室进行远程等离子体清洗。

10、进一步的，所述氮化硅层沉积的膜厚度为1μm。

11、进一步的，所述的有机层制备过程包括如下步骤：将完成了无机层制备的oled器件基板传入缓冲室并充入氮气，降低缓冲腔室真空度至常压状态，开启喷墨打印室门阀，将oled器件基板传入打印腔室喷墨，完成喷墨后将oled器件基板传入uv腔室，静置待墨滴扩散并流平为薄膜，使用紫外灯固化并传出oled器件基板。

12、进一步的，所述的打印室中温度为25℃，腔室气压为100pa，所述的打印室中氧气和水蒸气含量小于1ppm。

13、进一步的，完成喷墨的oled器件基板传入uv腔室后静置的时间为120s，uv腔室的温度为室温。

14、进一步的，使用的紫外灯的功率为60w，固化时间为40s。

15、与现有技术相比，本发明具有的有益效果为：

16、1.本发明的一种oled薄膜封装层，通过设置由外向内迭层包覆oled器件基板的无机层、有机层和无机层，无机层包括氧化铝层或者氮化硅层或者氧化铝层和氮化硅层相互迭层设置的复合层，有机层为聚甲基丙烯酸甲酯层。这样的薄膜封装结构具有较高的光学透过率及柔性弯折可靠性，这样的结构组合还能够显著提升单层薄膜的各项性能，也优化了复合膜层结构。无机层能够进一步降低薄膜表面的粗糙度，提高致密度、均匀性，加强了对oled器件基板的水氧防护，从而大幅延长了oled器件的使用寿命；有机层能够释放无机层间的应力、填充无机层缺陷从而阻止水氧的侵扰，进一步延长了oled器件的使用寿命。

17、2.本发明的一种oled薄膜封装层的制备方法，将oled器件基板清洗及烘干，在oled器件基板的表面依次进行无机层制备、有机层制备和无机层制备获得，无机层制备包括氧化铝层制备或者氮化硅层制备或者氧化铝层和氮化硅层的组合制备，利用该方法能够制备出质量稳定、水氧阻隔特性好的oled薄膜封装层。

技术特征：

1.一种oled薄膜封装层，其特征在于，包括由外向内迭层包覆oled器件基板(1)的无机层(2)、有机层(3)和无机层(2)，所述的无机层(2)包括氧化铝层或者氮化硅层或者氧化铝层和氮化硅层相互迭层设置的复合层，所述的有机层(3)为聚甲基丙烯酸甲酯层。

2.根据权利要求1所述的一种oled薄膜封装层，其特征在于，所述的oled薄膜封装层包括由外向内迭层包覆oled器件基板(1)的氧化铝层、聚甲基丙烯酸甲酯层、氮化硅层，或者包括由外向内迭层包覆oled器件基板(1)的氮化硅层、聚甲基丙烯酸甲酯层、氮化硅层、氧化铝层，或者包括由外向内迭层包覆oled器件基板(1)的氮化硅层、聚甲基丙烯酸甲酯层、氮化硅层，或者包括由外向内迭层包覆oled器件基板(1)的氧化铝层、氮化硅层、聚甲基丙烯酸甲酯层、氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的一种oled薄膜封装层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将oled器件基板(1)清洗及烘干，在oled器件基板(1)的表面依次进行无机层制备、有机层制备和无机层制备获得，所述无机层制备包括氧化铝层制备或者氮化硅层制备或者氧化铝层和氮化硅层的组合制备。

4.根据权利要求3所述的一种oled薄膜封装层的制备方法，其特征在于，所述的氧化铝层制备过程是采用ald成膜工艺，以低温生长模式制备获得，所述的氮化硅层制备过程是采用等离子增强化学气相法沉积获得，所述氧化铝层和氮化硅层的组合制备是依次进行氧化铝层制备和氮化硅层制备获得或者依次进行氮化硅层制备和氧化铝层制备获得，所述的有机层制备过程是采用喷墨打印技术，在非真空氮气环境的打印室中沉积获得。

5.根据权利要求4所述的一种oled薄膜封装层的制备方法，其特征在于，所述的氮化硅层制备过程包括如下步骤：将烘干后的oled器件基板(1)传入真空传送腔室，再由真空腔室传入至pecvd腔室沉积氮化硅薄膜，完成沉积后将oled器件基板(1)传出到真空腔室，pecvd腔室进行远程等离子体清洗。

6.根据权利要求5所述的一种oled薄膜封装层的制备方法，其特征在于，所述氮化硅层沉积的膜厚度为1μm。

7.根据权利要求4所述的一种oled薄膜封装层的制备方法，其特征在于，所述的有机层制备过程包括如下步骤：将完成了无机层制备的oled器件基板(1)传入缓冲室并充入氮气，缓冲腔室由高真空状态变为常压状态，开启喷墨打印室门阀，将oled器件基板(1)传入打印腔室喷墨，完成喷墨后将oled器件基板(1)传入uv腔室，静置待墨滴扩散并流平为薄膜，使用紫外灯固化并传出oled器件基板(1)。

8.根据权利要求7所述的一种oled薄膜封装层的制备方法，其特征在于，所述的打印室中温度为25℃，腔室气压为100pa，所述的打印室中氧气和水蒸气含量小于1ppm。

9.根据权利要求7所述的一种oled薄膜封装层及其制备方法，其特征在于，完成喷墨的oled器件基板(1)传入uv腔室后静置的时间为120s，uv腔室的温度为室温。

10.根据权利要求7所述的一种oled薄膜封装层及其制备方法，其特征在于，使用的紫外灯的功率为60w，固化时间为40s。

技术总结本发明公开了一种OLED薄膜封装层及其制备方法，属于OLED薄膜封装的技术领域，该薄膜封装层具有较高的光学透过率及柔性弯折可靠性并能大幅度改善了水氧阻隔特性，延长OLED器件的使用寿命，还能够显著提升单层薄膜的各项性能，也优化了复合膜层结构；包括由外向内迭层包覆OLED器件基板的无机层、有机层和无机层，所述的无机层包括氧化铝层或者氮化硅层或者氧化铝层和氮化硅层相互迭层设置的复合层，所述的有机层为聚甲基丙烯酸甲酯层。本发明还公开了该薄膜封装层的制备方法，利用该方法能够制备出质量稳定、水氧阻隔特性好的OLED薄膜封装层。技术研发人员：杨思恩,郑文俊,王晶,刘湘成,刘佰全受保护的技术使用者：香港科技大学技术研发日：技术公布日：2024/7/15