半导体结构及制备方法与流程

本申请涉及半导体，特别涉及半导体结构及制备方法。

背景技术：

1、存储器通常包括设置有多个存储阵列的阵列区(也称为存储区)和外围区。其中，阵列区中的存储阵列主要用于储存数据，包括存储区晶体管、电容结构以及位于两者之间的着陆垫结构(landing pad)等。外围区主要用于对阵列区中的存储阵列的访问操作进行控制，例如，编程、读取或擦除等操作，以及为存储区内的存储阵列提供电信号，其通常包括控制数据输入/输出的电路以及其他电路，而若要将数据输入或者输出，需要在外围区形成金属导电层。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种半导体结构的制备方法，以解决着陆垫结构顶部尺寸在清洗工艺中变小导致着陆垫结构与电容结构的接触面积变小，以及接触电阻变大的问题。

2、为解决上述技术问题，本申请提供一种半导体结构的制备方法，包括：

3、提供衬底，所述衬底包括阵列区和外围区，所述阵列区上形成有间隔排布的着陆垫结构，所述外围区上形成有导电层；

4、形成保护层，所述保护层覆盖所述着陆垫结构；

5、刻蚀所述导电层，以在所述导电层内形成多个开口；

6、形成层间介质层，以填充所述导电层中的开口和相邻所述着陆垫结构之间的间隙。

7、在一些实施例中，在所述形成保护层的步骤之前还包括：进行清洁工艺，以去除所述阵列区和所述外围区表面的无机杂质。

8、在一些实施例中，进行清洁工艺之前，还包括：进行灰化工艺，以去除所述阵列区和所述外围区表面的有机杂质。

9、在一些实施例中，所述灰化工艺中的气体包括h2n2、cf4、h2中的一种或多种。

10、在一些实施例中，所述清洁工艺包括：第一清洁工艺和第二清洁工艺。

11、在一些实施例中，所述第一清洁工艺采用的清洁溶液包括氢氟酸。

12、在一些实施例中，所述第二清洁工艺采用的清洁溶液包括氨水与去离子水的混合溶液。

13、在一些实施例中，所述第二清洁工艺采用的清洁溶液包括硫酸与去离子水、双氧水和铵盐的混合溶液。

14、在一些实施例中，所述着陆垫结构包括阻挡层和第一金属层，所述阻挡层与所述第一金属层在所述清洁工艺中的刻蚀选择比的范围为5:1～10:1。

15、在一些实施例中，所述阵列区还包括位线结构，所述位线结构位于间隔设置的所述着陆垫结构之间，所述保护层还覆盖所述位线结构和所述导电层。

16、在一些实施例中，所述保护层的厚度为2nm～10nm。

17、在一些实施例中，所述保护层的材料为氮化物、氮碳化合物中的其中一种或多种。

18、在一些实施例中，所述保护层为叠层结构。

19、在一些实施例中，在所述形成层间介质层之后，还包括刻蚀去除所述保护层。

20、基于同一构思，本申请还提供一种半导体结构，采用上述任一项所述的半导体结构的制备方法形成，包括：衬底，所述衬底包括阵列区和外围区，所述阵列区上形成有阵列排布的着陆垫结构和位线结构，所述着陆垫结构与所位线结构间隔排布，所述外围区上形成有有源区和与有源区连接的插塞；导电层，与所述插塞电性连接，所述导电层中形成有多个开口；层间介质层，填充所述开口以及相邻所述着陆垫结构之间的间隙。

21、在本申请提供的半导体结构的制备方法中，通过在着陆垫结构上形成保护层，保证了着陆垫结构的结构完整性和稳定性，从而有效降低着陆垫结构与电容结构之间的接触电阻，提高产品的良率。

技术特征：

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述形成保护层的步骤之前还包括：进行清洁工艺，以去除所述阵列区和所述外围区表面的无机杂质。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，进行清洁工艺之前，还包括：进行灰化工艺，以去除所述阵列区和所述外围区表面的有机杂质。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述灰化工艺中的气体包括h2n2、cf4、h2中的一种或多种。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述清洁工艺包括：第一清洁工艺和第二清洁工艺。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一清洁工艺采用的清洁溶液包括氢氟酸。

7.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二清洁工艺采用的清洁溶液包括氨水与去离子水的混合溶液。

8.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二清洁工艺采用的清洁溶液包括硫酸与去离子水、双氧水和铵盐的混合溶液。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述着陆垫结构包括阻挡层和第一金属层，所述阻挡层与所述第一金属层在所述清洁工艺中的刻蚀选择比的范围为5:1～10:1。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述阵列区还包括位线结构，所述位线结构位于间隔设置的所述着陆垫结构之间，所述保护层还覆盖所述位线结构和所述导电层。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度为2nm～10nm。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化物、氮碳化合物中的其中一种或多种。

13.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述保护层为叠层结构。

14.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述形成层间介质层之后，还包括刻蚀去除所述保护层。

15.一种半导体结构，采用权利要求1～14任一项所述的半导体结构的制备方法形成，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括阵列区和外围区，所述阵列区上形成有阵列排布的着陆垫结构和位线结构，所述着陆垫结构与所位线结构间隔排布，所述外围区上形成有有源区和与有源区连接的插塞；导电层，与所述插塞电性连接，所述导电层中形成有多个开口；层间介质层，填充所述开口以及相邻所述着陆垫结构之间的间隙。

技术总结本发明提供一种半导体结构及制备方法，包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区，阵列区上形成有间隔排布的着陆垫结构，外围区上形成有导电层；形成保护层，保护层覆盖着陆垫结构；刻蚀导电层，以在导电层内形成多个开口；形成层间介质层，以填充导电层中的开口和相邻着陆垫结构之间的间隙。通过在着陆垫结构上形成保护层，保证了着陆垫结构的结构完整性和稳定性，从而有效降低着陆垫结构与电容结构之间的接触电阻，提高产品的良率。技术研发人员：李晓平,惠世鹏,王沛萌,郗宁受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15