半导体装置及其制造方法与流程

本发明是有关于一种半导体装置及其制造方法，且特别是有关于一种电阻式存储装置及其制造方法。

背景技术：

1、近来，人类对于半导体装置的需求持续提高。在半导体装置中，具有电阻式存储装置的新兴技术。电阻式存储装置是通过改变存储材料的电阻来运作，并可读取和写入电阻以指示所储存的数据。然而，目前的电阻式存储装置的结构及制造方法仍有进一步的改善的空间。

技术实现思路

1、本发明有关于一种半导体装置及其制造方法，可节省制造时间及成本。

2、根据本发明的一实施例，提出一种半导体装置。半导体装置包括一电阻器。电阻器包括相邻的2个底电极、一电阻层、一顶电极以及一导电侧壁。电阻层设置于该2个底电极上。顶电极设置于电阻层上。导电侧壁环绕顶电极，且电性连接于顶电极与该2个底电极中的一底电极。其中，顶电极在一第一方向上重叠于该2个底电极，并沿着不同于第一方向的一第二方向延伸于该2个底电极上。

3、根据本发明的另一实施例，提出一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括形成一电阻器。电阻器的形成步骤包括：形成相邻的2个底电极；形成一电阻层于该2个底电极上；形成一顶电极于电阻层上；以及形成一导电侧壁环绕顶电极，且电性连接于顶电极与底电极。其中，顶电极在一第一方向上重叠于该2个底电极，并沿着不同于第一方向的一第二方向延伸于该2个底电极上。

4、为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括一电阻器，其中该电阻器包括：

2.权利要求书1所述的半导体装置，其中该顶电极沿着该第二方向连续性延伸于该2个底电极上。

3.权利要求书1所述的半导体装置，其中该半导体装置具有一第一侧及一第二侧，该第一侧沿着该第二方向与该第二侧彼此相对。

4.权利要求书3所述的半导体装置，其中该2个底电极中较邻近于该第一侧的该底电极与该电阻层之间的接触面积小于该2个底电极中较邻近于该第二侧的该底电极与该电阻层之间的接触面积。

5.权利要求书3所述的半导体装置，其中该电阻层包括邻近于该第一侧的一第一电阻层及邻近于该第二侧的一第二电阻层，该第一电阻层与该第二电阻层之间在该第二方向上具有一间距。

6.权利要求书5所述的半导体装置，其中该第一电阻层在该第二方向上的宽度小于该第二电阻层在该第二方向上的宽度。

7.权利要求书1所述的半导体装置，还包括一保护层，该保护层设置于该电阻层上，该顶电极设置于该保护层上。

8.一种半导体装置的制造方法，包括形成一电阻器，其中该电阻器的形成步骤包括：

9.权利要求书8所述的半导体装置的制造方法，其中该顶电极沿着该第二方向连续性延伸于该2个底电极上。

10.权利要求书8所述的半导体装置的制造方法，其中该半导体装置具有一第一侧及一第二侧，该第一侧沿着该第二方向与该第二侧彼此相对。

技术总结本公开提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括一电阻器。电阻器包括相邻的2个底电极、电阻层、顶电极以及导电侧壁。电阻层设置于2个底电极上，顶电极设置于电阻层上，导电侧壁环绕顶电极，且电性连接于顶电极与该2个底电极中的一底电极。顶电极在第一方向上重叠于该2个底电极，并沿着不同于第一方向的第二方向延伸于该2个底电极上。技术研发人员：林昱佑,李峯旻受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15