半导体晶圆玻璃基片的制作方法

本发明涉及晶圆玻璃基片，具体为半导体晶圆玻璃基片。

背景技术：

1、晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料。晶圆越大，同一圆片上可生产的ic就越多，可降低成本，但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等的问题。因为电子显示器工业需要更薄/柔性的玻璃基片(小于0.3毫米厚)，面板制造商面临许多挑战来加工适应更薄/柔性玻璃基片。一种选择是加工较厚的玻璃板，然后蚀刻或抛光该面板到更薄的总体净厚度。这使得能用基于0.3毫米厚或更厚基片的现有的面板制造基础设施，但增加了加工结束时的精磨成本以及地降低产率。第二种方法是再次改造现有的面板工艺用于更薄的基片。工艺中的玻璃损失是主要的困扰，且需要大量资金来将在基于非支撑的柔性玻璃基片的板-对-板工艺中的加工损失降到最低。第三种方法是使用卷-对-卷工艺技术或基于辊加工的技术用于薄的柔性玻璃基片。为此，我们提出半导体晶圆玻璃基片。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供半导体晶圆玻璃基片，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：半导体晶圆玻璃基片，包括基片主体，所述基片主体包括从上到下设置的柔性玻璃基片、粘合层和载体基片，所述柔性玻璃基片和载体基片通过粘合层进行粘合。

3、优选的，所述柔性玻璃基片上开设有定位槽，所述定位槽侧面设置有凸块。

4、优选的，所述凸块高于柔性玻璃基片表面0.1～0.15mm，所述定位槽深度为0.1mm。

5、优选的，所述基片主体上放置有晶圆。

6、优选的，所述粘合层为无机粘合层，所述柔性玻璃基片和载体基片的上下面分别为第一平面、第二平面和第五平面、第六平面，所述粘合层的上下两侧为第三平面和第四平面，所述第三平面和第四平面分别与第二平面和第五平面粘合。

7、优选的，所述柔性玻璃基片的厚度为0.3～0.5mm。

8、优选的，所述载体基片的厚度为0.2～3mm。

9、优选的，所述基片主体为矩形或圆形片体。

10、与现有技术相比，本发明的有益效果是：该种半导体晶圆玻璃基片，结构设计简单合理，通过设置柔性玻璃基片和载体基片组成基片主体的主体结构，并且通过粘合层将两者进行粘合固定，采用高效的玻璃加工工艺，从而对晶圆衬底玻璃基片进行高强度提高，保证了晶圆衬底玻璃基片的出厂质量以及良品率。

技术特征：

1.半导体晶圆玻璃基片，包括基片主体(1)，其特征在于：所述基片主体(1)包括从上到下设置的柔性玻璃基片(11)、粘合层(12)和载体基片(13)，所述柔性玻璃基片(11)和载体基片(13)通过粘合层(12)进行粘合。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆玻璃基片，其特征在于：所述柔性玻璃基片(11)上开设有定位槽(113)，所述定位槽(113)侧面设置有凸块(114)。

3.根据权利要求2所述的半导体晶圆玻璃基片，其特征在于：所述凸块(114)高于柔性玻璃基片(11)表面0.1～0.15mm，所述定位槽(113)深度为0.1mm。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆玻璃基片，其特征在于：所述基片主体(1)上放置有晶圆(14)。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆玻璃基片，其特征在于：所述粘合层(12)为无机粘合层，所述柔性玻璃基片(11)和载体基片(13)的上下面分别为第一平面(111)、第二平面(112)和第五平面(131)、第六平面(132)，所述粘合层(12)的上下两侧为第三平面(121)和第四平面(122)，所述第三平面(121)和第四平面(122)分别与第二平面(112)和第五平面(131)粘合。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆玻璃基片，其特征在于：所述柔性玻璃基片(11)的厚度为0.3～0.5mm。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆玻璃基片，其特征在于：所述载体基片(13)的厚度为0.2～3mm。

8.根据权利要求1所述的半导体晶圆玻璃基片，其特征在于：所述基片主体(1)为矩形或圆形片体。

技术总结本发明公开了半导体晶圆玻璃基片，包括基片主体，所述基片主体包括从上到下设置的柔性玻璃基片、粘合层和载体基片，所述柔性玻璃基片和载体基片通过粘合层进行粘合。本发明通过设置柔性玻璃基片和载体基片组成基片主体的主体结构，并且通过粘合层将两者进行粘合固定，采用高效的玻璃加工工艺，从而对晶圆衬底玻璃基片进行高强度提高，保证了晶圆衬底玻璃基片的出厂质量以及良品率。技术研发人员：高璐,张汇东,张九福,张细香受保护的技术使用者：蒙锐（上海）光电科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25