半导体器件及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术：

1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

2、但是，随着缩小工艺继续，可能出现某些挑战。例如，ic组件可以实现为电子开关，以控制电信号的传输。当器件在旧技术节点中具有较大尺寸时，电子开关的性能对电子开关的几何形状并不过分敏感。但是，随着器件尺寸缩小，电子开关的形状可能开始不利地影响电子开关的性能。例如，电子开关中的阶梯高度(例如，由于电子开关的一部分以弯曲方式形成)可能降低电子开关的性能和/或寿命。

3、因此，虽然现有的ic器件和它们的制造方法通常足以满足它们的预期目的，但是它们并非在每个方面都已完全令人满意。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：材料层；第一导电组件和第二导电组件，在截面侧视图中每个设置在所述材料层上方；加热器组件，在所述截面侧视图中设置在所述材料层上方，其中，所述加热器组件的段在所述截面侧视图和平面顶视图中设置在所述第一导电组件和所述第二导电组件之间，并且其中，所述加热器组件的上表面在所述截面侧视图中比所述第一导电组件或所述第二导电组件的上表面垂直升高得少；以及相变材料(pcm)，在所述截面侧视图中设置在所述加热器组件的所述段上方并且至少部分设置在所述第一导电组件和所述第二导电组件上方，其中，所述相变材料的电阻率响应于热量的施加而改变，其中，所述热量由所述加热器组件产生。

2、本申请的另一些实施例还提供了一种半导体器件，包括：第一导电组件、第二导电组件和加热器组件，其中，所述加热器组件的段在截面侧视图和平面顶视图中位于所述第一导电组件和所述第二导电组件之间；介电层，在所述截面侧视图中位于所述加热器组件上方以及所述第一导电组件和所述第二导电组件之间，其中，所述介电层、所述第一导电组件和所述第二导电组件在所述截面侧视图中具有基本上共面的上表面；相变材料(pcm)，在所述截面侧视图中位于所述介电层上方并且至少部分位于所述第一导电组件和所述第二导电组件上方，其中，所述相变材料基于由所述加热器组件生成的热量处于导电状态或非导电状态；以及覆盖层，位于所述相变材料上方。

3、本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：提供包括第一导电组件、第二导电组件和加热器组件的器件，其中，所述加热器组件的段在截面侧视图中设置在所述第一导电组件和所述第二导电组件之间；在所述器件上方形成图案化光刻胶层，其中，所述图案化光刻胶层至少部分覆盖所述第一导电组件和所述第二导电组件，并且其中，所述图案化光刻胶层限定暴露所述加热器组件的所述段的开口；在所述图案化光刻胶层用作保护掩模的同时，对所述器件实施蚀刻工艺，从而使得所述蚀刻工艺去除所述加热器组件的所述段的部分，而所述第一导电组件和所述第二导电组件的部分由所述图案化光刻胶层保护而免受蚀刻；在所述加热器组件上方形成介电层，其中，所述介电层、所述第一导电组件和所述第二导电组件在所述截面侧视图中具有基本上共面的上表面；以及在所述介电层、所述第一导电组件和所述第二导电组件的所述基本上共面的上表面上方形成相变材料(pcm)，从而使得所述相变材料的底面在所述截面侧视图中基本上是平坦的。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相变材料的整个底面基本上是平坦的。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相变材料的整个顶面基本上是平坦的。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述相变材料与所述第一导电组件和所述第二导电组件直接接触。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述介电层的侧面在所述截面侧视图中与所述绝缘材料直接接触，但是不与所述相变材料接触。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：覆盖层，在所述截面侧视图中设置在所述相变材料上方。

9.一种半导体器件，包括：

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

技术总结射频(RF)开关包括在截面侧视图中每个设置在材料层上方的第一导电组件和第二导电组件。RF开关包括在截面侧视图中设置在材料层上方的加热器组件。加热器组件的段在截面侧视图中设置在第一导电组件和第二导电组件之间。加热器组件的上表面在截面侧视图中比第一导电组件或第二导电组件的上表面垂直升高得少。RF开关包括设置在加热器组件的段上方并且至少部分设置在第一导电组件和第二导电组件上方的相变材料(PCM)。PCM的电阻率响应于热量的施加而改变。热量由加热器组件产生。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。技术研发人员：杨宗学受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1