半导体塑封模具及封装半导体器件的成型方法与流程

本发明涉及半导体塑封，具体为一种半导体塑封模具及封装半导体器件的成型方法。

背景技术：

1、在塑封过程中，塑封材料沿流道进入塑封模具的型腔，包覆设置于型腔中的半导体器件。由于塑封材料流经的路径不同，有的路径上无阻挡，有的路径上有阻挡，比如芯片、锡球/锡膏，有的路径上阻挡物多，有的路径上阻挡物少，这导致有的区域的塑封材料流速快，有的区域的塑封材料流速慢，甚至到一定位置，不再往前流动。塑封材料未流到的地方会形成空洞，比如，芯片下面的锡球之间出现空洞，导致未被塑封材料充分包裹的产品(不合格产品)出现，从而影响产品良率。

2、如何减少塑封过程中空洞的产生是一个值得解决的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的之一是提供一种半导体塑封模具及封装半导体器件的成型方法，用于解决现有封装技术中存在的空洞问题。

2、本发明提供的技术方案如下：

3、一种半导体塑封模具，包括一上模；

4、上模包括第一型腔、缓冲槽和连接第一型腔与缓冲槽的连筋；连筋的高度小于缓冲槽的高度，缓冲槽的高度小于第一型腔的高度；

5、第一型腔用于接收待塑封的半导体器件。

6、在一些实施例中，第一型腔包含的区域分为第一区域和第二区域，塑封材料在第一区域的平均流速慢于在第二区域；

7、在第一区域和第二区域中，只有第一区域通过连筋与缓冲槽相连。

8、在一些实施例中，第一区域包括至少满足下述条件之一的芯片：芯片的尺寸大于第一预设值，芯片下方的锡球数量大于第二预设值，芯片下方的锡球高度小于第三预设值，芯片下方锡球之间的间距小于第四预设值。

9、在一些实施例中，连筋的宽度/对应第一区域中所包含芯片的最大宽度，介于0.5～1.2之间。

10、在一些实施例中，在缓冲槽之后还包括排气槽。

11、在一些实施例中，在上模的压模面设置排气槽。

12、在一些实施例中，还包括多个流道，设置在上模中，用于提供塑封材料到半导体器件上。

13、本发明还提供一种半导体塑封模具,包括一下模；下模包括第一型腔、缓冲槽和连接第一型腔与缓冲槽的连筋；连筋的高度小于缓冲槽的高度，缓冲槽的高度小于第一型腔的高度；第一型腔用于接收待塑封的半导体器件。

14、在一个实施例中，第一型腔包含的区域分为第一区域和第二区域，塑封材料在第一区域的平均流速慢于在第二区域；在第一区域和第二区域中，只有第一区域通过连筋与缓冲槽相连。

15、本发明还提供一种采用前述实施例所述的半导体塑封模具封装半导体器件的方法，包括：

16、将半导体器件置于半导体塑封模具的第一型腔中；提供液态塑封材料到半导体器件上；待填充的塑封材料硬化后，得到封装好的半导体器件。

17、通过本发明提供的一种半导体塑封模具及封装半导体器件的成型方法，至少能够带来以下有益效果：

18、1、本发明通过在第一型腔和缓冲槽之间设置高度变小的连筋，促使向连筋入口涌入的部分塑封材料向后面位置的芯片回流，从而减少后面位置芯片的空洞产生，从而提高封装的可靠性，提升产品的良率。

19、2、在塑封模具中，本发明通过使用间断式的连筋连接第一型腔和缓冲槽，且仅在第一区域(易产生空洞的区域)后设置连筋，可以进一步改善封装过程中的空洞问题。

技术特征：

1.一种半导体塑封模具，其特征在于，包括一上模；

2.根据权利要求1所述的半导体塑封模具，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体塑封模具，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体塑封模具，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体塑封模具，其特征在于，在所述缓冲槽之后还包括排气槽。

6.根据权利要求5所述的半导体塑封模具，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体塑封模具，其特征在于，

8.一种半导体塑封模具，其特征在于，包括一下模；

9.根据权利要求8所述的半导体塑封模具，其特征在于，

10.一种封装半导体器件的成型方法，其特征在于，采用权利要求1-9中任一项所述的半导体塑封模具，所述封装方法包括：

技术总结本发明提供了一种半导体塑封模具及封装半导体器件的成型方法，该塑封模具包括上模，该上模包括第一型腔、缓冲槽和连接第一型腔与缓冲槽的连筋；连筋的高度小于缓冲槽的高度，缓冲槽的高度小于第一型腔的高度；第一型腔用于接收待塑封的半导体器件。本发明可以减少塑封过程中空洞的产生，有效提升封装的可靠性和产品良率。技术研发人员：丁梦蝶,黄林芸,彭岩滨受保护的技术使用者：环维电子（上海）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15