半导体废气处理设备及其制造方法与流程

本申请涉及半导体，尤其是涉及一种半导体废气处理设备及其制造方法。

背景技术：

1、半导体废气处理设备(local scrubber)热反应腔把制程中的废气、以及燃料和氧化剂(cda/o2)混合燃烧，并且处理燃烧过程中产生的高温化学品。目前的热反应腔在使用过程中，热反应腔内壁陶瓷氧化锆上会有一些燃烧残留的结晶，附着在热反应腔内壁陶瓷氧化锆上粉末(powder)。时间长了会导致制程设备排出的废气无法充分的燃烧或燃烧不充分，甚至会出现爆炸(特殊制程)或宕机现象，热反应腔危险系数比较高，而且热反应腔比较重，在拆装过程中导致内部隔热氧化锆容易碎掉产生粉末夹杂其他制程的其他附着物散落影响周围环境，每次更换需要机台宕机4-5小时甚至更长时间。

技术实现思路

1、本发明的主要目的是提供一种半导体废气处理设备及其制造方法，旨在解决上述至少一个技术问题。

2、为实现上述目的，本发明提出了一种半导体废气处理设备，包括：第一壳体，所述第一壳体内形成热反应腔；纳米陶瓷涂层，所述纳米陶瓷涂层结合于所述第一壳体的内表面。

3、通过使用本技术方案中的半导体废气处理设备，优化半导体废气处理的内部结构设计，去掉原有的热反应腔内部的陶瓷氧化锆，使用纳米陶瓷涂层与热反应腔中燃烧后的物质接触，可以降低燃烧的结晶的附着，减少粉末的产生，从而延长热反应腔使用寿命，降低热反应腔的危险系数，充分燃烧制程设备排出的废气，可以迅速的处理掉残留热反应腔内的甲烷，进而减少半导体废气处理设备故障，降低维护成本，提高半导体废气处理设备的废气处理效率。

4、在本发明的一些实施方式中，所述纳米陶瓷涂层的厚度为100-200μm。

5、在本发明的一些实施方式中，所述纳米陶瓷涂层的使用温度范围为-180℃-1900℃。

6、在本发明的一些实施方式中，所述纳米陶瓷涂层的附着力等级为1级或0级。

7、优选地，所述纳米陶瓷涂层的莫氏硬度≥6h。

8、优选地，所述纳米陶瓷涂层的抗冲击强度≥3.6；抗冲击强度指涂于底材卜的涂膜在经受高速率的重力作用下发生快速变形而不出现开裂或从金属底材上脱落的能力，它表现了被试涂膜的柔韧性和对底材的阶着力。

9、在本发明的一些实施方式中，所述热反应腔的总处理气量为500-3000slm。

10、在本发明的一些实施方式中，所述第一壳体为金属材质。

11、根据本发明的另一方面，提供一种上述的半导体废气处理设备的制造方法，包括：准备第一壳体；采用等离子喷涂或者超音速火焰喷涂的方式在所述第一壳体的内表面上形成纳米陶瓷涂层。

12、在本发明的一些实施方式中，所述等离子喷涂包括：开启等离子喷涂设备，使用其喷枪将等离子体气流喷出，并将陶瓷粉末加热熔化形成颗粒，颗粒被等离子体气流带到第一壳体的内表面，在第一壳体的内表面形成一层纳米陶瓷涂层。

13、在本发明的一些实施方式中，所述超音速火焰喷涂包括：开启超音速火焰喷涂系统，其喷枪形成超音速高温焰流加热加速陶瓷粉末至第一壳体的内表面，形成纳米陶瓷涂层。

14、在本发明的一些实施方式中，采用等离子喷涂或者超音速火焰喷涂的方式在所述第一壳体的内表面上形成纳米陶瓷涂层前，对所述第一壳体的内表面进行预处理。

技术特征：

1.一种半导体废气处理设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述纳米陶瓷涂层的厚度为100-200μm。

3.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述纳米陶瓷涂层的使用温度范围为-180℃-1900℃。

4.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述纳米陶瓷涂层的附着力等级为1级或0级；

5.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述热反应腔的总处理气量为500-3000slm。

6.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述第一壳体为金属材质。

7.一种权利要求1-6任一所述的半导体废气处理设备的制造方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述等离子喷涂包括：

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述超音速火焰喷涂包括：

10.根据权利要求7-9任一所述的制造方法，其特征在于，采用等离子喷涂或者超音速火焰喷涂的方式在所述第一壳体的内表面上形成纳米陶瓷涂层前，对所述第一壳体的内表面进行预处理。

技术总结本申请涉及半导体技术领域的一种半导体废气处理设备及其制造方法，半导体废气处理设备包括：第一壳体，所述第一壳体内形成热反应腔；纳米陶瓷涂层，所述纳米陶瓷涂层结合于所述第一壳体的内表面。本申请的半导体废气处理设备可以降低燃烧的结晶的附着，减少粉末的产生，从而延长热反应腔使用寿命，降低热反应腔的危险系数，充分燃烧制程设备排出的废气，可以迅速的处理掉残留热反应腔内的甲烷，进而减少半导体废气处理设备故障，降低维护成本，提高半导体废气处理设备的废气处理效率。技术研发人员：靖春雷受保护的技术使用者：北京子牛亦东科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/22