电流生成电路及半导体集成电路的制作方法

本公开涉及半导体集成电路中的电流生成电路。

背景技术：

1、在半导体集成电路中，需要不具有温度依赖性的恒定电压、恒定电流。为了生成不具有温度依赖性的恒定电压，广泛利用带隙基准电路。

2、[在先技术文献]

3、[专利文献]

4、专利文献1：日本特开2020-42776号公报

技术实现思路

1、[发明要解决的课题]

2、带隙基准电路通过一次及二次温度补偿，能够在某一温度范围中实现几乎完全平坦的温度特性。具体而言，在带隙基准电路的情况下，例如能够在30～110℃的温度范围内实现平坦的温度特性。

3、然而，在-40～140℃的温度范围内使用的情况下，变动5～6mv左右。如果存在能够在广泛的温度范围内生成具有灵活的温度特性的电流的电流生成电路，则通过将其作为温度特性校正电路而利用，能够使带隙基准电路的温度特性更平坦。

4、本公开鉴于以上课题而完成，其一个方案的例示性的目的之一在于提供一种能够比以往更灵活地设定温度特性的电流生成电路。

5、[用于解决技术课题的技术方案]

6、

7、本公开的一个方案的电流生成电路具备多个电流单元以及对多个电流单元生成的多个温度依赖电流进行合成的合成电路。各电流单元生成的温度依赖电流在该电流单元所固有的温度范围中为零，在温度范围外相对于温度呈线性变化。

8、此外，将以上构成要素任意组合的方案、以及将构成要素或表现在方法、装置、系统等之间相互转换的方案，作为本发明或者本公开的方案也是有效的。进而，该项目(用于解决技术课题的技术方案)的记载并非说明本发明的所有不可欠缺的特征，因此，所记载的这些特征的子组合也可以是本发明。

9、[发明效果]

10、根据本公开的一个方案，能够提供一种能够比以往更灵活地设定温度特性的电流生成电路。

技术特征：

1.一种电流生成电路，具备：

2.如权利要求1所述的电流生成电路，

3.如权利要求2所述的电流生成电路，

4.如权利要求3所述的电流生成电路，

5.如权利要求1至4的任意一项所述的电流生成电路，

6.如权利要求5所述的电流生成电路，

7.如权利要求6所述的电流生成电路，

8.如权利要求1至7的任意一项所述的电流生成电路，

9.如权利要求1至8的任意一项所述的电流生成电路，

10.如权利要求9所述的电流生成电路，

11.如权利要求1至10的任意一项所述的电流生成电路，其被一体集成于一个半导体基板。

12.一种半导体集成电路，具备：

技术总结电流生成电路(200)具备多个电流单元(210)以及合成电路(220)。各电流单元(210)生成的温度依赖电流在该电流单元所固有的温度范围中为零，在温度范围外相对于温度呈线性变化。合成电路(220)对多个电流单元(210)生成的多个温度依赖电流进行合成，并输出校正电流(Icomp)。技术研发人员：野村尚弘受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/23