驱动同步的单管IGBT过流保护电路的制作方法

本技术涉及igbt过流保护，具体为驱动同步的单管igbt过流保护电路。

背景技术：

1、igbt是一种功率半导体器件，在电力电子应用中具有关键作用。igbt结合了双极晶体管和场效应晶体管的特点，通过控制门极电压，可以控制电路的开关状态。igbt在多种领域有广泛应用，如电力转换、输送、分配以及在电动车、火车、航空、工业过程控制等大功率应用中。其高开关速度、低导通压降、高耐压能力以及易于驱动等特性使其成为电力电子系统的理想选择。

2、为了提高igbt的使用寿命，通常会使用过流保护电路对igbt进行保护，由于igbt在过流状态下运行时，可能会受到极大的电压和电流冲击，导致器件损坏。因此，过流保护可以确保在出现过流情况时，及时切断电源或采取其他措施，保护设备免受损坏。

3、目前单管igbt过流保护有两种方式，一种是通过互感器感应电流，再经过电阻采样运算设计保护点，另一种是使用具有过流保护功能的驱动ic实现，但是，不管是通过互感器感应电流的方式还是具有过流保护功能的驱动ic驱动，其保护的成本都高，不利于产品的价格竞争，因此我们需要提出驱动同步的单管igbt过流保护电路来解决上述存在的问题，使其可有效降低保护电路的成本。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供驱动同步的单管igbt过流保护电路，使其可以根据电流对应降的值来设置比较器u1的基准电压，通过采用简单的外围电路实现过流保护，大大降低了用料成本，以解决背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：驱动同步的单管igbt过流保护电路，包括比较器u1，所述比较器u1的六脚连接有一端接收pwm驱动信号的电阻r1和依次串联的二极管d2和二极管d1，所述二极管d1的一端连接有三极管q3，所述三极管q3的驱动端接收有pwm驱动信号。

3、优选的，所述三极管q3的驱动端和集电极接收低电平的pwm驱动信号时，三极管q3断开。

4、优选的，所述三极管q3的驱动端和集电极接收高电平的pwm驱动信号时，三极管q3导通。

5、优选的，所述比较器u1的五脚设置有vref连接端，所述比较器u1的七脚设置有oc连接端。

6、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

7、1、本实用新型主要由比较器u1、电阻r1、串联的二极管d2和二极管d1以及三极管q3组成的过流保护电路，使其可以根据电流对应降的值来设置比较器u1的基准电压，通过采用简单的外围电路实现过流保护，大大降低了用料成本。

技术特征：

1.驱动同步的单管igbt过流保护电路，包括比较器u1，其特征在于：所述比较器u1的六脚连接有一端接收pwm驱动信号的电阻r1和依次串联的二极管d2和二极管d1，所述二极管d1的一端连接有三极管q3，所述三极管q3的驱动端接收有pwm驱动信号。

2.根据权利要求1所述的驱动同步的单管igbt过流保护电路，其特征在于：所述三极管q3的驱动端和集电极接收低电平的pwm驱动信号时，三极管q3断开。

3.根据权利要求2所述的驱动同步的单管igbt过流保护电路，其特征在于：所述三极管q3的驱动端和集电极接收高电平的pwm驱动信号时，三极管q3导通。

4.根据权利要求1所述的驱动同步的单管igbt过流保护电路，其特征在于：所述比较器u1的五脚设置有vref连接端，所述比较器u1的七脚设置有oc连接端。

技术总结本技术属于IGBT过流保护技术领域，具体公开了驱动同步的单管IGBT过流保护电路，包括比较器U1，所述比较器U1的六脚连接有一端接收PWM驱动信号的电阻R1和依次串联的二极管D2和二极管D1，所述二极管D1的一端连接有三极管Q3，所述三极管Q3的驱动端接收有PWM驱动信号，本技术主要由比较器U1、电阻R1、串联的二极管D2和二极管D1以及三极管Q3组成的过流保护电路，使其可以根据电流对应降的值来设置比较器U1的基准电压，通过采用简单的外围电路实现过流保护，大大降低了用料成本。技术研发人员：刘贵星,寇芳正,刘志雄受保护的技术使用者：惠州市乐亿通科技股份有限公司技术研发日：20231027技术公布日：2024/7/18