开关电路的制作方法

本公开是关于开关电路。

背景技术：

1、图1是习知开关电路的一个实施例的功能方块图。开关电路100包含晶体管mn、晶体管mp及反相器110。晶体管mn是n沟道金属氧化物半导体场效应效应晶体管(n-channelmetal-oxide-semiconductor field-effect transistor，以下简称nmos晶体管)，而晶体管mp是p沟道金属氧化物半导体场效应效应晶体管(p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，以下简称pmos晶体管)。

2、当控制信号ctrl为高电平时，晶体管mn及晶体管mp皆导通(即，开关电路100导通)，使得输出电压vout等于输入电压vin。当控制信号ctrl为低电平时，开关电路100不导通。然而，当控制信号ctrl的电平不确定时(例如，开关电路100未接上电源)，晶体管mp的栅极电压有可能是0伏(即，晶体管mp导通)，导致开关电路100的输入端nin与输出端nout之间存在不想要的漏电流。

技术实现思路

1、鉴于先前技术的不足，本公开的一个目的在于提供一种开关电路，以改善先前技术的不足。

2、本公开的实施例提供一种开关电路。该开关电路具有输入端、输出端及控制端，并且包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电阻器以及下拉电路。第一晶体管具有第一端、第二端及第一控制端。第二晶体管具有第三端、第四端及第二控制端。第三晶体管具有第五端、第六端及第三控制端。第四晶体管具有第七端、第八端及第四控制端。第一电阻器具有第九端及第十端。下拉电路耦合该第一控制端。该控制端耦合该第一控制端、该第四控制端及该下拉电路。该第一端及该第三端耦合该输入端。该第二端及该第六端耦合该输出端。该第四端耦合该第五端及该第九端。该第七端耦合该第十端、该第二控制端及该第三控制端。该第八端耦合第一参考电压。

3、本公开的实施例所体现的技术手段可以改善先前技术的缺点的至少其中之一，因此本公开相较于先前技术可以减少或避免漏电流。

4、有关本公开的特征、实作与功效，兹配合图式作实施例详细说明如下。

技术特征：

1.一种开关电路，具有输入端、输出端及控制端，所述开关电路包含：

2.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述控制端接收控制信号；当所述控制信号是目标电平时，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管导通，使得所述输入端与所述输出端形成信号连接；当所述控制信号不是所述目标电平时，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管不导通，使得所述输入端与所述输出端不形成信号连接。

3.根据权利要求2所述的开关电路，还包含：

4.根据权利要求3所述的开关电路，其中，所述电压检测电路包含：

5.根据权利要求2所述的开关电路，还包含：

6.根据权利要求5所述的开关电路，其中，所述电压检测电路包含：

7.根据权利要求2所述的开关电路，还包含：

8.根据权利要求7所述的开关电路，其中，所述电流检测电路包含：

9.根据权利要求2所述的开关电路，还包含：

10.根据权利要求9所述的开关电路，其中，所述电压检测电路包含：

技术总结本公开公开了一种开关电路。开关电路具有输入端、输出端及控制端，并且包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、电阻器及下拉电路。第一晶体管具有第一端、第二端及第一控制端。第二晶体管具有第三端、第四端及第二控制端。第三晶体管具有第五端、第六端及第三控制端。第四晶体管具有第七端、第八端及第四控制端。电阻器具有第九端及第十端。控制端耦合第一控制端及第四控制端。第一端及第三端耦合输入端。第二端及第六端耦合输出端。第四端耦合第五端及第九端。第七端耦合第十端、第二控制端及第三控制端。第八端耦合参考电压。技术研发人员：宋亚轩受保护的技术使用者：瑞昱半导体股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18