提高在宽频带上用调制RF信号操作的多尔蒂功率放大器的效率的方法和技术与流程

本公开大体上涉及形成于集成电路(ic)结构中的多尔蒂(doherty)放大器。

背景技术：

1、多尔蒂放大器因在平均输出功率以及最大输出功率下具有高效率而广受欢迎。多尔蒂放大器大体上包含主放大器(也称为载波放大器)和辅助放大器(也称为峰化放大器)。主放大器和辅助放大器以不同方式偏置，使得主放大器始终提供对射频(rf)信号的放大，而辅助放大器仅在rf信号达到特定功率电平时提供放大。当在指定平均功率以连续波(cw)或脉冲cw信号操作时，多尔蒂放大器通常显示出高效率。然而，当放大宽带调制rf信号(例如，具有600mhz带宽的5gnr信号)时，当前已知多尔蒂放大器的效率降低。

技术实现思路

1、在一些实施例中，一种集成电路(ic)放大装置包含多尔蒂放大器，所述多尔蒂放大器包含：主放大器，其限定第一主干厚度；辅助放大器，其限定第二主干厚度；其中：所述第一主干厚度被设置成使得并且使得

2、其中par是峰均比；所述第二主干厚度被设置成使得并且使得在一些实施例中，所述多尔蒂放大器被配置成放大具有所述par的调制信号。在一些实施例中，所述第一主干厚度被设置成使得zmod和zeffm基本上相等。在一些实施例中，所述第一主干厚度被设置成使得zoptm和zpowm基本上相等。在一些实施例中，所述第一主干厚度被设置成使得zmod和zeffm基本上相等；并且所述第一主干厚度被设置成使得zoptm和zpowm基本上相等。在一些实施例中，所述主放大器由场效应晶体管形成，所述场效应晶体管包含：栅极；钝化层；沟道区；并且所述栅极形成于所述沟道区上并延伸穿过所述钝化层，其中所述第一主干厚度是所述钝化层的厚度。在一些实施例中，所述辅助放大器由场效应晶体管形成，所述场效应晶体管包含：栅极；钝化层；沟道区；并且所述栅极形成于所述沟道区上并延伸穿过所述钝化层，其中所述第二主干厚度是所述钝化层的厚度。在一些实施例中，所述主放大器由第一场效应晶体管形成，所述第一场效应晶体管包含：第一栅极；第一钝化层；第一沟道区；所述第一栅极形成于所述第一沟道区上并延伸穿过所述第一钝化层，其中所述第一主干厚度是所述第一钝化层的厚度；所述辅助放大器由场效应晶体管形成，所述场效应晶体管包含：第二栅极；第二钝化层；第二沟道区；并且所述第二栅极形成于所述第二沟道区上并延伸穿过所述第二钝化层，其中所述第二主干厚度是所述第二钝化层的厚度。在一些实施例中，所述第一场效应晶体管是第一氮化镓晶体管，并且所述第二场效应晶体管是第二氮化镓晶体管。在一些实施例中，所述第一主干厚度基本上在700与1400埃之间，并且所述第二主干厚度在700与1400埃之间。在一些实施例中，zpowa与zmod之间的电压驻波比被设置成大约2:1。在一些实施例中，所述多尔蒂放大器被配置成接收par为6分贝的调制信号。在一些实施例中，所述第一主干厚度基本上在200与600埃之间，并且所述第二主干厚度在700与1400埃之间。在一些实施例中，zpowa与zmod之间的电压驻波比(vswr)被设置成大约2.7:1。在一些实施例中，所述多尔蒂放大器被配置成接收par为8.6分贝的调制信号。

3、在一些实施例中，一种集成电路(ic)放大装置包含多尔蒂放大器，所述多尔蒂放大器包含：射频(rf)输入，其被配置成接收rf输入信号；rf输出；主放大器，其限定第一主干厚度，其中所述主放大器具有主放大器输入和主放大器输出，所述主放大器输入耦合到所述rf输入；辅助放大器，其限定第二主干厚度，其中所述辅助放大器具有辅助放大器输入和辅助放大器输出，所述辅助放大器输入耦合到所述rf输入；第一四分之一波部件，其连接在所述rf输入与所述辅助放大器输入之间；第二四分之一波部件，其连接在所述主放大器输出与所述rf输出之间；其中：所述第一主干厚度被设置成使得1≤并且使得

4、其中par是峰均比；所述第二主干厚度被设置成使得并且使得在一些实施例中，所述主放大器输出和所述辅助放大器输出耦合到所述rf输出。在一些实施例中，所述多尔蒂放大器被配置成放大具有par的调制信号。在一些实施例中，所述第一主干厚度被设置成使得zmod和zeffm基本上相等。在一些实施例中，所述第一主干厚度被设置成使得zoptm和zpowm基本上相等。在一些实施例中，所述第二主干厚度被设置成使得zopta和zpowa基本上相等。

5、在另一方面，可以单独地或一起地组合前述方面中的任一方面，和/或如本文所描述的各种单独方面和特征，以获得额外优点。除非本文相反指示，否则本文所公开的各种特征和元件中的任一个可以与一个或多个其它公开的特征和元件组合。

6、本领域技术人员在阅读以下对于优选实施例的具体说明以及相关的附图后，将会认识到本公开的范围并且了解其另外的方面。

技术特征：

1.一种集成电路ic放大装置，包括：

2.根据权利要求1所述的ic结构，其中所述多尔蒂放大器被配置成放大具有所述par的调制信号。

3.根据权利要求1所述的ic结构，其中所述第一主干厚度被设置成使得zmod和zeffm基本上相等。

4.根据权利要求1所述的ic结构，其中所述第一主干厚度被设置成使得zoptm和zpowm基本上相等。

5.根据权利要求1所述的ic结构，其中：

6.根据权利要求1所述的ic结构，其中：

7.根据权利要求1所述的ic结构，其中：

8.根据权利要求1所述的ic结构，其中：

9.根据权利要求8所述的ic结构，其中所述第一场效应晶体管是第一氮化镓晶体管，并且所述第二场效应晶体管是第二氮化镓晶体管。

10.根据权利要求8所述的ic结构，其中所述第一主干厚度基本上在200与600埃之间，并且所述第二主干厚度在700与1400埃之间。

11.根据权利要求10所述的ic结构，其中zpowa与zeffa之间的电压驻波比被设置成大约2:1。

12.根据权利要求11所述的ic结构，其中所述多尔蒂放大器被配置成接收par为6分贝的调制信号。

13.根据权利要求8所述的ic结构，其中所述第一主干厚度基本上在700与1400埃之间，并且所述第二主干厚度在700与1400埃之间。

14.根据权利要求8所述的ic结构，其中所述多尔蒂放大器被配置成接收par为8.6分贝的调制信号。

15.一种集成电路(ic)放大装置，包括：

16.根据权利要求15所述的ic结构，其中所述主放大器输出和所述辅助放大器输出耦合到所述rf输出。

17.根据权利要求15所述的ic结构，其中所述多尔蒂放大器被配置成放大具有所述par的调制信号。

18.根据权利要求15所述的ic结构，其中所述第一主干厚度被设置成使得zmod和zeffm基本上相等。

19.根据权利要求15所述的ic结构，其中所述第二主干厚度被设置成使得zopta和zpowa基本上相等。

20.根据权利要求15所述的ic结构，其中：

技术总结本公开涉及提高在宽频带上用调制RF信号操作的多尔蒂功率放大器的效率的方法和技术。公开了一种多尔蒂放大器。在一些实施例中，所述多尔蒂放大器包含：主放大器，其限定第一主干厚度；辅助放大器，其限定第二主干厚度。通过选择所述主放大器的所述第一主干厚度和所述辅助放大器的所述第二主干厚度来设置所述多尔蒂放大器的阻抗。以此方式，当放大调制信号时，所述多尔蒂放大器的功率效率得到提高。技术研发人员：A·沙赫韦尔迪,T·兰登,R·海基,E·里斯受保护的技术使用者：QORVO美国公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18