多尔蒂放大器的制作方法

本公开涉及多尔蒂放大器。

背景技术：

1、在专利文献1记载了载波放大器以及峰值放大器各自具有3级放大器的多尔蒂放大器。在该多尔蒂放大器中，从供电端子经由电感器对载波放大器以及峰值放大器各自的初级放大器的晶体管的集电极进行供电。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利第10110183号说明书

5、在将专利文献1记载的多尔蒂放大器形成在一个半导体基板上的情况下，半导体基板上的供电端子经由有限的电感而连接，因此不会成为足够低的阻抗，会由于从载波放大器泄漏的泄漏信号而具有交流振幅。如果是一般的放大器，这并不会成为问题。但是，在多尔蒂放大器中，在载波放大器的初级放大器的偏置点和峰值放大器的初级放大器的偏置点不同的情况下，将成为问题。

6、具体地，多尔蒂放大器是如下的技术，即，通过将峰值放大器偏置为不流过偏置电流，从而使峰值放大器尽量不进行动作而得到高效率。也就是说，可以说之所以使载波放大器的初级放大器的偏置点和峰值放大器的初级放大器的偏置点不同，是为了控制峰值放大器的工作。但是，如前所述，由于半导体基板上的供电端子会具有交流振幅，从而会经由对峰值放大器的初级放大器供电的电感器而驱动峰值放大器的后级放大器。也就是说，即使想要通过降低峰值放大器的初级放大器的偏置点而控制峰值放大器的工作，将供电端子作为泄漏路径的泄漏信号也会驱动峰值放大器的后级放大器，有可能发生多尔蒂放大器进行错误工作的现象。

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开是鉴于上述而完成的，其目的在于，抑制峰值放大器的错误工作。

3、用于解决问题的技术方案

4、本公开的一个方面的多尔蒂放大器包含：载波放大器，形成在半导体基板上，包含一级以上的放大器，在一个级的第1放大器输入第1偏置电流；峰值放大器，形成在半导体基板上，包含两级以上的放大器，在第2放大器输入比第1偏置电流少的第2偏置电流；以及第1电阻，串联地插入到第2放大器的供电路径。

5、发明效果

6、根据本公开，能够抑制峰值放大器的错误工作。

技术特征：

1.一种多尔蒂放大器，包含：

2.根据权利要求1所述的多尔蒂放大器，其中，

3.根据权利要求2所述的多尔蒂放大器，其中，

4.根据权利要求2或3所述的多尔蒂放大器，其中，

5.根据权利要求2至4中的任一项所述的多尔蒂放大器，其中，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的多尔蒂放大器，其中，

7.根据权利要求6所述的多尔蒂放大器，其中，

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的多尔蒂放大器，其中，

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的多尔蒂放大器，其中，

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的多尔蒂放大器，其中，

技术总结本发明提供一种抑制峰值放大器的错误工作的多尔蒂放大器。多尔蒂放大器包含：载波放大器，形成在半导体基板上，包含一级以上的放大器，在一个级的第1放大器输入第1偏置电流；峰值放大器，形成在半导体基板上，包含两级以上的放大器，在第2放大器输入比第1偏置电流少的第2偏置电流；以及第1电阻，串联地插入到第2放大器的供电路径。技术研发人员：今井翔平受保护的技术使用者：株式会社村田制作所技术研发日：技术公布日：2024/7/25