一种低温DBD大气等离子体设备的制作方法

本技术涉及一种等离子体发生设备，具体是一种低温dbd大气等离子体设备。

背景技术：

1、随着社会发展和科技进步，等离子体技术的使用范围正在不断扩大。在表面处理，杀菌消毒，医疗前线等诸多领域，利用等离子体特征的应用不断增多。

2、等离子体技术的进步使得等离子体能够在低温和大气压下稳定地产生，人们称之为低温大气压等离子体，然而，传统的低温等离子体发生器需要高电压高电流，导致设备的功耗高。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本实用新型通过独特的结构提供了一种低温dbd大气等离子体设备，能够实现在两端电极输入高电压低电流即能产生温度低于40℃的等离子体，能够降低设备功耗。

2、具体地，本实用新型提供了一种低温dbd大气等离子体设备，包括相互盖合的上盖、下盖，在所述上盖和下盖之间设有电极组部件，所述电极组部件包括第一电极块和第二电极块、石英管，所述石英管的两端分别设有进气口与出气口；所述石英管依次穿设于第一电极块和第二电极块的一端，所述第一电极块与第二电极块的另一端分别位于石英管的两侧并分别连接外部电源的两端。

3、其进一步的方案是，所述石英管为平行设置的三组，三组石英管呈三角结构排列。

4、其进一步的方案是，在上盖和下盖之间还设置有绝缘固定板，所述绝缘固定板上设置有容纳电极组部件的通道。

5、其进一步的方案是，所述下盖为l形，包括底板和后侧板；所述上盖为倒u形，盖合在底板上端；上盖和下盖共同围合成容纳所述绝缘固定板的腔体。

6、其进一步的方案是，所述下盖的底板和后侧板上各设置有第一安装孔，所述下盖通过所述第一安装孔与上盖螺纹连接。

7、其进一步的方案是，所述下盖的后侧板上设置有第二安装孔，所述绝缘固定板与下盖之间通过第二安装孔相连。

8、其进一步的方案是，所述下盖的后侧板上开设有通气孔，所述通气孔与所述石英管的进气口相连通。

9、其进一步的方案是，所述下盖的后侧板上开设有接线孔，所述接线孔连通至第一电极块和第二电极块。

10、本实用新型提供了一种低温dbd大气等离子体设备，利用分别连接电源两端的两个电极块及穿设于两个电极块的石英管产生低温等离子体，再利用气流将低温等离子体带离两个电极块之间的放电区域，在石英管的出气口喷出形成低温等离子火焰。

11、该实用新型利用上盖、下盖和绝缘固定板固定产生等离子体的电极组部件，仅需要施加低电流，在高电压低电流的状态下能产生40摄氏度左右的等离子体，功耗低，并且产生的等离子体温度低，对一些温度要求苛刻的产品有较好的处理效果。

技术特征：

1.一种低温dbd大气等离子体设备，包括相互盖合的上盖(1)、下盖(2)，在所述上盖(1)和下盖(2)之间设有电极组部件(3)，所述电极组部件包括第一电极块(5)和第二电极块(6)、石英管(7)，所述石英管(7)的两端分别设有进气口(9)与出气口(10)；其特征在于：

2.根据权利要求1所述的低温dbd大气等离子体设备，其特征在于：所述石英管(7)为平行设置的三组，三组石英管(7)呈三角结构排列。

3.根据权利要求1所述的低温dbd大气等离子体设备，其特征在于：在上盖(1)和下盖(2)之间还设置有绝缘固定板(8)，所述绝缘固定板(8)上设置有容纳电极组部件(3)的通道。

4.根据权利要求3所述的低温dbd大气等离子体设备，其特征在于：所述下盖(2)为l形，包括底板和后侧板；所述上盖(1)为倒u形，盖合在底板上端；上盖(1)和下盖(2)共同围合成容纳所述绝缘固定板(8)的腔体。

5.根据权利要求4所述的低温dbd大气等离子体设备，其特征在于：所述下盖(2)的底板和后侧板上各设置有第一安装孔(11)，所述下盖(2)通过所述第一安装孔(11)与上盖(1)螺纹连接。

6.根据权利要求4所述的低温dbd大气等离子体设备，其特征在于：所述下盖(2)的后侧板上设置有第二安装孔(12)，所述绝缘固定板(8)与下盖(2)之间通过第二安装孔(12)相连。

7.根据权利要求4所述的低温dbd大气等离子体设备，其特征在于：所述下盖(2)的后侧板上开设有通气孔(4)，所述通气孔(4)与所述石英管的进气口(9)相连通。

8.根据权利要求4所述的低温dbd大气等离子体设备，其特征在于：所述下盖(2)的后侧板上开设有接线孔(13)，所述接线孔(13)连通至第一电极块(5)和第二电极块(6)。

技术总结本技术提供了一种低温DBD大气等离子体设备，利用分别连接电源两端的两个电极块及穿设于两个电极块的石英管产生低温等离子体，再利用气流将低温等离子体带离两个电极块之间的放电区域，在石英管的出气口喷出形成低温等离子火焰。该技术利用上盖、下盖和绝缘固定板固定产生等离子体的电极组部件，仅需要施加低电流，在高电压低电流的状态下能产生40摄氏度左右的等离子体，功耗低，并且产生的等离子体温度低，对一些温度要求苛刻的产品有较好的处理效果。技术研发人员：郭峰,王宇,张瑞受保护的技术使用者：昆山普乐斯电子科技有限公司技术研发日：20231024技术公布日：2024/7/25