分集接收模组的匹配电路、分集接收模组和通信设备的制作方法

本申请涉及通信，特别是涉及一种分集接收模组的匹配电路、分集接收模组和通信设备。

背景技术：

1、随着科技的发展和社会的不断进步，射频通信设备小型化和高性能的趋势越来越快，对射频前端设计提出了更高的要求。当前市面上应用于接收模组滤波器的阻抗特性通常都位于smith圆图的容性区，接收模组的匹配拓扑基本都是由lc(电感电容)型电路构成，导致模组制作成本高。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种可降低模组制作成本并有效提升插损性能的分集接收模组的匹配电路、分集接收模组和通信设备。

2、一种分集接收模组的匹配电路，包括第四电感、l型双电感组件、滤波器、第一端子和第二端子，所述第四电感的第一端连接所述第一端子，所述第四电感的第二端连接所述l型双电感组件；所述l型双电感组件连接所述滤波器的第一端，所述滤波器的第二端连接所述第二端子；其中，所述第四电感和所述l型双电感组件中的电感均为绕线电感。

3、在其中一个实施例中，所述l型双电感组件包括第一电感和第二电感，所述第一电感的第一端连接所述第四电感的第二端，所述第一电感的第二端连接所述滤波器的第一端，所述第二电感的第一端连接所述第一电感的第一端，所述第二电感的第二端接地。

4、在其中一个实施例中，匹配电路还包括开关，所述第一电感的第一端通过所述开关连接所述第四电感的第二端。

5、在其中一个实施例中，所述第一电感和所述第二电感设置在不同层，并通过层间过孔连接。

6、在其中一个实施例中，所述第一电感和所述第二电感的绕线方向相同。

7、在其中一个实施例中，匹配电路还包括第三电感，所述滤波器的第二端通过所述第三电感连接所述第二端子。

8、一种分集接收模组，包括上述的匹配电路。

9、在其中一个实施例中，所述匹配电路的数量为两个或两个以上。

10、在其中一个实施例中，分集接收模组还包括控制器，所述控制器连接各匹配电路中的开关。

11、一种通信设备，包括射频天线和上述的分集接收模组。

12、上述分集接收模组的匹配电路、分集接收模组和通信设备，匹配电路中由传统的lc结构改进成l型双电感组件，并在射频天线端加入了第四电感作为公共匹配电感，l型双电感组件中的电感和公共匹配电感均为绕线电感。采用绕线电感替换掉电容元件，并且可以利用绕线电感之间的互感特性，增加电感量，有效节省模组空间，降低模组制作成本。另外，在射频天线端加入的公共匹配电感，使得模组的输入端圆图更为收敛且靠近50欧姆圆心，从而有效提升中频和高频段插损性能。

技术特征：

1.一种分集接收模组的匹配电路，其特征在于，包括第四电感、l型双电感组件、滤波器、第一端子和第二端子，所述第四电感的第一端连接所述第一端子，所述第四电感的第二端连接所述l型双电感组件；所述l型双电感组件连接所述滤波器的第一端，所述滤波器的第二端连接所述第二端子；其中，所述第四电感和所述l型双电感组件中的电感均为绕线电感。

2.根据权利要求1所述的匹配电路，其特征在于，所述l型双电感组件包括第一电感和第二电感，所述第一电感的第一端连接所述第四电感的第二端，所述第一电感的第二端连接所述滤波器的第一端，所述第二电感的第一端连接所述第一电感的第一端，所述第二电感的第二端接地。

3.根据权利要求2所述的匹配电路，其特征在于，还包括开关，所述第一电感的第一端通过所述开关连接所述第四电感的第二端。

4.根据权利要求2所述的匹配电路，其特征在于，所述第一电感和所述第二电感设置在不同层，并通过层间过孔连接。

5.根据权利要求4所述的匹配电路，其特征在于，所述第一电感和所述第二电感的绕线方向相同。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的匹配电路，其特征在于，还包括第三电感，所述滤波器的第二端通过所述第三电感连接所述第二端子。

7.一种分集接收模组，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的匹配电路。

8.根据权利要求7所述的分集接收模组，其特征在于，所述匹配电路的数量为两个以上。

9.根据权利要求8所述的分集接收模组，其特征在于，还包括控制器，所述控制器连接各匹配电路中的开关。

10.一种通信设备，其特征在于，包括射频天线和权利要求7-9任意一项所述的分集接收模组。

技术总结本申请涉及一种分集接收模组的匹配电路、分集接收模组和通信设备，匹配电路包括第四电感、L型双电感组件、滤波器、第一端子和第二端子，第四电感的第一端连接第一端子，第四电感的第二端连接L型双电感组件；L型双电感组件连接滤波器的第一端，滤波器的第二端连接第二端子；其中，第四电感和L型双电感组件中的电感均为绕线电感。采用绕线电感替换掉电容元件，并且可以利用绕线电感之间的互感特性，增加电感量，有效节省模组空间，降低模组制作成本。在射频天线端加入的公共匹配电感，使得模组的输入端圆图更为收敛且靠近50欧姆圆心，从而有效提升中频和高频段插损性能。技术研发人员：黄明宇,何志伟,靳立伟,谢婷婷,倪文海,徐文华受保护的技术使用者：上海迦美信芯通讯技术有限公司技术研发日：20231128技术公布日：2024/7/29