一种开关电源的制作方法

本技术涉及电源，具体涉及一种开关电源。

背景技术：

1、在一些带有有源钳位功能或带有上下管功率器件拓扑的开关电源中，如果电源存在异常状态导致电源在下管处于零电压时上管导通，此时上管的漏极电压加到下管的漏极上，由于电源输入电压很高，给下管的结电容充电产生很大的充电电流，同时由于下管处于零电压时体二极管有负向电流流过，那么会造成下管的反向恢复问题，除了会带来较大的损耗以外还带来非常大的干扰问题，导致其他电路受干扰，影响电源的稳定工作。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题是提供一种开关电源，以实现在不影响电源正常工作的情况下，防止在下管处于零电压时打开上管，避免产生干扰问题，从而提高电路的稳定性。

2、本实用新型采用的技术方案如下：

3、第一方面，提供一种开关电源，包括主功率拓扑和信号处理电路，所述主功率拓扑包括串联连接的mos管q1和mos管q2，所述信号处理的输出端与mos管q2的栅极连接，还包括mos管零电压检测电路，所述mos管零电压检测电路的第一端分别与mos管q1的源极、所述信号处理电路的使能端连接，所述mos管零电压检测电路的第二端接地；所述mos管零电压检测电路用于检测mos管q1的电压，当检测到mos管q1处于零电压时，所述信号处理电路控制mos管q2关断。

4、进一步地，所述mos管零电压检测电路包括二极管d1和二极管d2，二极管d1的阳极与二极管d2的阴极连接后作为所述mos管零电压检测电路的第一端；二极管d1的阴极与二极管d2的阳极连接后作为所述mos管零电压检测电路的第二端。

5、进一步地，所述mos管零电压检测电路包括mos管q3和mos管q4，mos管q3的源极、栅极与mos管q4的漏极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第一端；mos管q4的源极、栅极与mos管q3的漏极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第二端。

6、进一步地，所述mos管零电压检测电路用于检测mos管q1的电压，当检测到mos管q1处于零电压时，所述信号处理电路控制mos管q2关断，具体包括：

7、所述mos管零电压检测电路用于检测mos管q1的电压，当所述所述mos管零电压检测电路的第一端的电压信号vs小于预设的第一阈值时，则判定mos管处于零电压，所述信号处理电路则输出为低电平的驱动信号vg2至mos管q2的栅极。

8、进一步地，所述信号处理电路为具有使能端的驱动芯片。

9、第二方面，提供一种开关电源，包括主功率拓扑和信号处理电路，所述主功率拓扑包括串联连接的mos管q1和mos管q2，所述信号处理的输出端与mos管q2的栅极连接；还包括mos管零电压检测电路，所述mos管零电压检测电路包括二极管d1和二极管d2，二极管d1的阳极与二极管d2的阴极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第一端，分别与mos管q1的源极、所述信号处理电路的使能端连接；二极管d1的阴极与二极管d2的阳极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第二端接地。

10、第三方面，提供一种开关电源，包括主功率拓扑和信号处理电路，所述主功率拓扑包括串联连接的mos管q1和mos管q2，所述信号处理的输出端与mos管q2的栅极连接；还包括mos管零电压检测电路，所述mos管零电压检测电路包括mos管q3和mos管q4，mos管q3的源极、栅极与mos管q4的漏极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第一端，分别与mos管q1的源极、所述信号处理电路的使能端连接；mos管q4的源极、栅极与mos管q3的漏极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第二端接地。

11、本申请的工作原理将结合具体的实施例进行描述，在这里不进行赘述，与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

12、1、本实用新型通过检测下管是否处于零电压，若是则控制上管关断，从而在主功率拓扑工作异常时，可以防止在下管处于零电压时打开上管，避免产生干扰问题，从而提高电路的稳定性。

13、2、高压电源mos管零电压检测电路采用间接采样方式，无需对高压进行采样，降低采样的难度，提高电路的可靠性。

14、3、本实用新型的高压电源mos管零电压检测电路结构简单、元件少、成本低且易于实现，对提升电路可靠性具有非常大的意义。

技术特征：

1.一种开关电源，包括主功率拓扑和信号处理电路，所述主功率拓扑包括串联连接的mos管q1和mos管q2，所述信号处理的输出端与mos管q2的栅极连接，其特征在于：还包括mos管零电压检测电路，所述mos管零电压检测电路的第一端分别与mos管q1的源极、所述信号处理电路的使能端连接，所述mos管零电压检测电路的第二端接地；所述mos管零电压检测电路用于检测mos管q1的电压，当检测到mos管q1处于零电压时，所述信号处理电路控制mos管q2关断。

2.根据权利要求1所述的开关电源，其特征在于，所述mos管零电压检测电路包括二极管d1和二极管d2，二极管d1的阳极与二极管d2的阴极连接后作为所述mos管零电压检测电路的第一端；二极管d1的阴极与二极管d2的阳极连接后作为所述mos管零电压检测电路的第二端。

3.根据权利要求1所述的开关电源，其特征在于，所述mos管零电压检测电路包括mos管q3和mos管q4，mos管q3的源极、栅极与mos管q4的漏极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第一端；mos管q4的源极、栅极与mos管q3的漏极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第二端。

4.根据权利要求1-3任一项所述的开关电源，其特征在于，所述mos管零电压检测电路用于检测mos管q1的电压，当检测到mos管q1处于零电压时，所述信号处理电路控制mos管q2关断，具体包括：

5.根据权利要求4所述的开关电源，所述信号处理电路为具有使能端的驱动芯片。

6.一种开关电源，包括主功率拓扑和信号处理电路，所述主功率拓扑包括串联连接的mos管q1和mos管q2，所述信号处理的输出端与mos管q2的栅极连接，其特征在于：还包括mos管零电压检测电路，所述mos管零电压检测电路包括二极管d1和二极管d2，二极管d1的阳极与二极管d2的阴极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第一端，分别与mos管q1的源极、所述信号处理电路的使能端连接；二极管d1的阴极与二极管d2的阳极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第二端接地。

7.一种开关电源，包括主功率拓扑和信号处理电路，所述主功率拓扑包括串联连接的mos管q1和mos管q2，所述信号处理的输出端与mos管q2的栅极连接，其特征在于：还包括mos管零电压检测电路，所述mos管零电压检测电路包括mos管q3和mos管q4，mos管q3的源极、栅极与mos管q4的漏极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第一端，分别与mos管q1的源极、所述信号处理电路的使能端连接；mos管q4的源极、栅极与mos管q3的漏极连接后，作为所述mos管零电压检测电路的第二端接地。

技术总结本技术公开了一种开关电源，包括主功率拓扑和信号处理电路，所述主功率拓扑包括串联连接的MOS管Q1和MOS管Q2，所述信号处理的输出端与MOS管Q2的栅极连接；还包括MOS管零电压检测电路，所述MOS管零电压检测电路的第一端分别与MOS管Q1的源极、所述信号处理电路的使能端连接，所述MOS管零电压检测电路的第二端接地；所述MOS管零电压检测电路用于检测MOS管Q1的电压，当检测到MOS管Q1处于零电压时，所述信号处理电路控制MOS管Q2关断。本申请通过对开关电源的MOS管进行零电压间接检测，给到信号处理电路进行处理，防止下管处于零电压时，上管被打开，从而产生非常大的干扰影响电路的正常工作，大大提升电路的可靠性。技术研发人员：郭志翔,占剑伟受保护的技术使用者：广州金升阳科技有限公司技术研发日：20231019技术公布日：2024/7/23