一种双面抗静电硅胶保护膜的制作方法

本技术涉及硅胶保护膜，尤其涉及一种双面抗静电硅胶保护膜。

背景技术：

1、在现有技术中，硅胶保护膜是一款主要应用于保护电子产品的屏幕保护膜，现在主流的硅胶保护膜是硅胶保护普通膜层，有效避免电子产品的玻璃基材表面受到一些化学物质的接触性污染或者指甲等磨痕划.

2、经检索，中国专利申请号为202120754903.4的专利，公开了一种双面抗静电硅胶保护膜，包括耐磨层和硅胶保护膜层，所述耐磨层的下部粘接连接有第九保护膜胶水，第九保护膜胶水的下部粘接连接有护眼膜层，护眼膜层的下部粘接连接有第八保护膜胶水，第八保护膜胶水的下部粘接连接有分离膜层，分离膜层的下部粘接连接有反射级保护膜，反射级保护膜下部粘接连接有第七保护膜胶水，第七保护膜胶水的下部粘接连接有静电爆破膜层，静电爆破膜层的下部粘接连接有第六保护膜胶水，第六保护膜胶水的下部粘接连接有硅酸凝胶膜层，硅酸凝胶膜层的下部粘接连接有第五保护膜胶水，第五保护膜胶水的下部粘接连接有防水膜层，防水膜层的下部粘接连接有第四保护膜胶水，第四保护膜胶水的下部粘接连接有防硬化层，防硬化层的下部粘接连接有第三保护膜胶水，第三保护膜胶水的下部粘接连接有pe保护膜膜层，pe保护膜膜层的下部粘接连接有第二保护膜胶水。

3、上述专利存在以下不足：该硅胶保护膜通过设置的分离膜层、静电爆破膜层等若干层膜，并在堆叠的若干层膜外部粘结pet保护膜层，大大增加的硅胶保护膜的厚度，降低了硅胶保护膜的实用性，并增加了硅胶保护膜的生产成本。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种双面抗静电硅胶保护膜。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

3、一种双面抗静电硅胶保护膜，包括：

4、第一防护层，所述第一防护层的下表面固定连接有第一抗静电胶层，所述第一抗静电胶层的下表面固定连接有第一抗静电膜层，所述第一抗静电膜层的下表面固定连接有硅胶保护膜层，所述硅胶保护膜层的下表面固定连接有第二抗静电膜层，所述第二抗静电膜层的下表面固定连接有第二抗静电胶层，所述第二抗静电胶层的下表面固定连接有第二防护层；

5、所述硅胶保护膜层包括pet离型膜，所述pet离型膜的内部固定连接有硅酸干凝胶膜；

6、所述第一抗静电膜层和第二抗静电膜层结构相同，均包括硅胶膜层，所述硅胶膜层的内部设置有抗静电片体。

7、作为本实用新型再进一步的方案：所述抗静电片体包括第一抗静电片体单元，所述第一抗静电片体单元的底端固定连接有橡胶绝缘胶层，所述橡胶绝缘胶层的下表面固定连接有第二抗静电片体单元。

8、作为本实用新型再进一步的方案：所述第一抗静电片体单元包括两个对称设置的连接边框，两个所述连接边框的连接处固定连接有放电连接块。

9、作为本实用新型再进一步的方案：所述放电连接块的一侧固定安装有放电尖端，且两个所述连接边框之间等距固定连接有多根微米铜丝。

10、作为本实用新型再进一步的方案：所述第一抗静电片体单元和第二抗静电片体单元结构相同，二者的微米铜丝相互垂直。

11、作为本实用新型再进一步的方案：所述第一防护层和第二防护层结构相同，均包括pe保护膜。

12、作为本实用新型再进一步的方案：所述pe保护膜的内部等距设置有多个横向加强筋，且所述pe保护膜的内壁等距设置有多个纵向加强筋。

13、与现有技术相比，本实用新型提供了一种双面抗静电硅胶保护膜，具备以下有益效果：

14、该双面抗静电硅胶保护膜，通过防护层、抗静电胶层、抗静电膜层和硅胶保护膜层的复合，提高整体膜的抗静电能力；抗静电胶层可以有效阻挡电子转移，抗静电膜层将电子以尖端放电的形式将电子释放，或通过放电尖端接触其他物品的方式将电子转移，大大提高该膜整体的抗静电能力；且该膜的整体厚度较小，保证硅胶保护膜的实用性，降低其生产制造成本。

15、该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本实用新型结构简单，操作方便。

技术特征：

1.一种双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述抗静电片体包括第一抗静电片体单元(32)，所述第一抗静电片体单元(32)的底端固定连接有橡胶绝缘胶层(33)，所述橡胶绝缘胶层(33)的下表面固定连接有第二抗静电片体单元(34)。

3.根据权利要求2所述的一种双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述第一抗静电片体单元(32)包括两个对称设置的连接边框(321)，两个所述连接边框(321)的连接处固定连接有放电连接块(322)。

4.根据权利要求3所述的一种双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述放电连接块(322)的一侧固定安装有放电尖端(323)，且两个所述连接边框(321)之间等距固定连接有多根微米铜丝(324)。

5.根据权利要求2所述的一种双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述第一抗静电片体单元(32)和第二抗静电片体单元(34)结构相同，二者的微米铜丝(324)相互垂直。

6.根据权利要求1所述的一种双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述第一防护层(1)和第二防护层(7)结构相同，均包括pe保护膜(11)。

7.根据权利要求6所述的一种双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述pe保护膜(11)的内部等距设置有多个横向加强筋(12)，且所述pe保护膜(11)的内壁等距设置有多个纵向加强筋(13)。

技术总结本技术公开了一种双面抗静电硅胶保护膜，包括：第一防护层，所述第一防护层的下表面固定连接有第一抗静电胶层，所述第一抗静电胶层的下表面固定连接有第一抗静电膜层，所述第一抗静电膜层的下表面固定连接有硅胶保护膜层，所述硅胶保护膜层的下表面固定连接有第二抗静电膜层。该双面抗静电硅胶保护膜，通过防护层、抗静电胶层、抗静电膜层和硅胶保护膜层的复合，提高整体膜的抗静电能力；抗静电胶层可以有效阻挡电子转移，抗静电膜层将电子以尖端放电的形式将电子释放，或通过放电尖端接触其他物品的方式将电子转移，大大提高该膜整体的抗静电能力；且该膜的整体厚度较小，保证硅胶保护膜的实用性，降低其生产制造成本。技术研发人员：华永芬受保护的技术使用者：无锡市太平洋新材料股份有限公司技术研发日：20230424技术公布日：2024/5/27