技术新讯 > 电子电路装置的制造及其应用技术 > 显示装置的制作方法  >  正文

显示装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-08-02 12:57:21

一个或多个实施方式涉及装置,并且更具体地,涉及显示装置。

背景技术:

1、移动电子装置被广泛地使用。近来,诸如平板个人计算机(pc)的移动电子装置和诸如移动电话的小型化电子装置已经被广泛使用。

2、为了支持各种功能(例如,用于向用户提供视觉信息(诸如图像)的功能),移动电子装置包括显示装置。近来,随着被配置为驱动显示装置的部件已经小型化,显示装置在电子装置中的比例已经逐渐增加,并且可以被弯折以相对于平坦状态形成预设角度的结构也在开发中。

技术实现思路

1、一个或多个实施方式包括减少了接触孔数量的显示装置,其中,设置在像素电路中的半导体层包括相同的材料,并且接触孔将驱动半导体层和开关半导体层彼此连接。

2、一个或多个实施方式包括显示装置,其中,驱动半导体层和开关半导体层包括具有相对低的迁移率的材料。

3、一个或多个实施方式包括相对减小了设置在像素电路中的半导体层与栅电极之间的距离的显示装置。

4、然而,这样的技术问题只是示例,并且本公开不限于此。

5、附加的方面将部分地在下面的描述中阐述并且部分地将从该描述中是显而易见的,或者可以通过实践本公开的呈现的实施方式而获知。

6、根据一个或多个实施方式,显示装置包括基板、像素电路、显示元件和内置驱动电路部分。基板包括显示区域和显示区域外部的外围区域。像素电路设置在显示区域中,并且包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管,其中,驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层,并且开关薄膜晶体管包括开关半导体层。显示元件连接到像素电路。内置驱动电路部分设置在外围区域中,并且包括包含第一外围半导体层的第一外围薄膜晶体管。驱动半导体层和开关半导体层包括相同的材料,并且各自具有比第一外围半导体层的迁移率小的迁移率。

7、驱动半导体层和开关半导体层可以各自比第一外围半导体层厚。

8、驱动半导体层的厚度和开关半导体层的厚度可以相同。

9、显示装置可以进一步包括:第一栅绝缘层,设置在驱动半导体层和开关半导体层下方并且设置在第一外围半导体层上。

10、显示装置可以进一步包括:第二栅绝缘层,设置在显示区域中的驱动半导体层和开关半导体层上,并且设置在外围区域中的第一栅绝缘层上。

11、内置驱动电路部分可以包括包含第二外围半导体层的第二外围薄膜晶体管,并且第二外围半导体层可以包括与驱动半导体层和开关半导体层的材料相同的材料。

12、第二外围半导体层的厚度可以与驱动半导体层和开关半导体层的厚度相同。

13、驱动半导体层和开关半导体层中的每一个可以包括氧化铟镓锌(ingazno)。

14、第一外围半导体层可以包括氧化铟锡镓锌(insngazno)。

15、显示装置可以进一步包括:偏置电极,设置在基板上,以与驱动薄膜晶体管相对应。

16、根据一个或多个实施方式,显示装置包括基板、像素电路、显示元件和内置驱动电路部分。基板包括显示区域和显示区域外部的外围区域。像素电路设置在显示区域中。显示元件连接到像素电路。内置驱动电路部分设置在外围区域中,并且包括第一外围薄膜晶体管和第二外围薄膜晶体管。第一外围薄膜晶体管包括第一外围半导体层,并且第二外围薄膜晶体管包括第二外围半导体层,其中,第一外围半导体层具有比第二外围半导体层的迁移率大的迁移率。

17、第二外围半导体层可以比第一外围半导体层厚。

18、显示装置可以进一步包括:第一栅绝缘层,设置在第一外围半导体层上并且设置在第二外围半导体层下方。

19、显示装置可以进一步包括:第二栅绝缘层,设置在第二外围半导体层上,其中,第二栅绝缘层可以设置在第一外围半导体层上的第一栅绝缘层上。

20、像素电路可以包括:驱动薄膜晶体管,包括驱动半导体层;以及开关薄膜晶体管,包括开关半导体层,其中,驱动半导体层和开关半导体层中的每一个包括与第二外围半导体层的材料相同的材料,并且具有比第一外围半导体层的迁移率小的迁移率。

21、驱动半导体层的厚度和开关半导体层的厚度可以相同。

22、第二外围半导体层的厚度可以与驱动半导体层和开关半导体层的厚度相同。

23、显示装置可以进一步包括:偏置电极,设置在基板上,以与驱动薄膜晶体管相对应。

24、第一外围半导体层可以包括氧化铟锡镓锌(insngazno)。

25、第二外围半导体层可以包括氧化铟镓锌(ingazno)。

26、通过下面对实施方式、所附附图和权利要求的详细描述,这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易理解。

技术特征:

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述驱动半导体层和所述开关半导体层各自比所述第一外围半导体层厚。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述驱动半导体层的厚度和所述开关半导体层的厚度相同。

4.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:第一栅绝缘层,设置在所述驱动半导体层和所述开关半导体层下方并且设置在所述第一外围半导体层上。

5.根据权利要求4所述的显示装置,进一步包括:第二栅绝缘层,设置在所述显示区域中的所述驱动半导体层和所述开关半导体层上,并且设置在所述外围区域中的所述第一栅绝缘层上。

6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述内置驱动电路部分包括包含第二外围半导体层的第二外围薄膜晶体管,并且所述第二外围半导体层包括与所述驱动半导体层和所述开关半导体层的材料相同的材料。

7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二外围半导体层的厚度与所述驱动半导体层和所述开关半导体层的厚度相同。

8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述驱动半导体层和所述开关半导体层中的每一个包括氧化铟镓锌。

9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一外围半导体层包括氧化铟锡镓锌。

10.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:偏置电极,设置在所述基板上,以与所述驱动薄膜晶体管相对应。

11.一种显示装置,包括:

12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第二外围半导体层比所述第一外围半导体层厚。

13.根据权利要求11所述的显示装置,进一步包括:第一栅绝缘层,设置在所述第一外围半导体层上并且设置在所述第二外围半导体层下方。

14.根据权利要求13所述的显示装置,进一步包括:第二栅绝缘层,设置在所述第二外围半导体层上,

15.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述像素电路包括:

16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述驱动半导体层的厚度和所述开关半导体层的厚度相同。

17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第二外围半导体层的厚度与所述驱动半导体层和所述开关半导体层的厚度相同。

18.根据权利要求15所述的显示装置,进一步包括:偏置电极,设置在所述基板上,以与所述驱动薄膜晶体管相对应。

19.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一外围半导体层包括氧化铟锡镓锌。

20.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第二外围半导体层包括氧化铟镓锌。

技术总结本申请涉及显示装置。显示装置包括:基板,包括显示区域和显示区域外部的外围区域;像素电路,设置在显示区域中,并且包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管,其中,驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层,并且开关薄膜晶体管包括开关半导体层;显示元件,连接到像素电路;以及内置驱动电路部分,设置在外围区域中,并且包括包含第一外围半导体层的第一外围薄膜晶体管,其中,驱动半导体层和开关半导体层包括相同的材料,并且各自具有比第一外围半导体层的迁移率小的迁移率。技术研发人员:金连洪,高宗范,金恩贤,文然建,李善熙,李桢薰受保护的技术使用者:三星显示有限公司技术研发日:技术公布日:2024/8/1

本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240802/238247.html

版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 YYfuon@163.com 举报,一经查实,本站将立刻删除。