一种沟槽电容器及其制备方法与流程

本申请涉及半导体，特别涉及一种沟槽电容器及其制备方法。

背景技术：

1、沟槽电容器通常用于集成电路(integrated circuit，ic)、集成无源器件(integrated passive device，ipd)中。沟槽电容器包括半导体衬底、半导体衬底内的沟槽以及覆盖半导体衬底并填充沟槽的电容结构。

2、半导体衬底上的沟槽的深度和宽度(即刻蚀纵横比)决定了电容的表面积的增加的程度。沟槽的周长越大，电容器的表面积也越大。然而，随着电容结构层数的增加，用于形成电容结构的空间尺寸逐渐变小，形成的电容结构的表面积也随之变得越来越小，以致于限制了电容器的电容密度。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请的目的在于提供一种沟槽电容器，以进一步提升沟槽电容器的电容密度。

2、一种沟槽电容器，包括：半导体衬底；沟槽，设置于半导体衬底中；以及电容结构，共形地覆盖所述半导体衬底的表面以及所述沟槽的内壁；其中，所述半导体衬底包括多个条形支柱以及围绕多个所述条形支柱的边缘部，相邻的条形支柱之间相互分离，限定第一沟槽，条形支柱与边缘部之间相互分离，限定第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽相互连通，所述第一沟槽的宽度和所述第二沟槽的宽度相等；所述支柱的宽度大于所述第一沟槽的宽度。

3、根据本申请的另一方面，提供一种沟槽电容器的制备方法，包括：在半导体衬底中形成沟槽；以及在所述半导体衬底的表面以及所述沟槽的内壁共形地形成电容结构；其中，所述半导体衬底包括多个条形支柱以及围绕多个所述条形支柱的边缘部，相邻的条形支柱之间相互分离，限定第一沟槽，条形支柱与边缘部之间相互分离，限定第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽相互连通，所述第一沟槽的宽度和所述第二沟槽的宽度相等；所述支柱的宽度大于所述第一沟槽的宽度。

技术特征：

1.一种沟槽电容器，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽电容器，其中，所述沟槽电容器包括多个沟槽单元，多个沟槽单元中的每个沟槽单元包括多个条形支柱以及相邻条形支柱之间限定的第一沟槽，多个沟槽单元具有旋转对称性。

3.根据权利要求2所述的沟槽电容器，其中，所述边缘部围绕多个所述沟槽单元中的每个沟槽单元，相邻沟槽单元之间经由所述边缘部隔离。

4.根据权利要求2所述的沟槽电容器，其中，多个沟槽单元共用一个边缘部，所述边缘部围绕多个沟槽单元，相邻的沟槽单元之间由第三沟槽隔离。

5.根据权利要求2所述的沟槽电容器，其中，多个沟槽单元共用一个边缘部，所述边缘部围绕多个沟槽单元，相邻的沟槽单元之间相互接触。

6.一种沟槽电容器的制备方法，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述沟槽电容器包括多个沟槽单元，多个沟槽单元中的每个沟槽单元包括多个条形支柱以及相邻条形支柱之间限定的第一沟槽，多个沟槽单元具有旋转对称性。

8.根据权利要求7所述的沟槽电容器，其中，所述边缘部围绕多个所述沟槽单元中的每个沟槽单元，相邻沟槽单元之间经由所述边缘部隔离。

9.根据权利要求7所述的沟槽电容器，其中，多个沟槽单元共用一个边缘部，所述边缘部围绕多个沟槽单元的支柱，相邻的沟槽单元的支柱之间由第一沟槽隔离。

10.根据权利要求7所述的沟槽电容器，其中，多个沟槽单元共用一个边缘部，所述边缘部围绕多个沟槽单元的支柱，相邻的沟槽单元的支柱之间相互接触。

技术总结一种沟槽电容器及其制备方法，沟槽电容器，包括：半导体衬底；沟槽，设置于半导体衬底中；以及电容结构，共形地覆盖所述半导体衬底的表面以及所述沟槽的内壁；其中，所述半导体衬底包括多个条形支柱以及围绕多个所述条形支柱的边缘部，相邻的条形支柱之间相互分离，限定第一沟槽，条形支柱与边缘部之间相互分离，限定第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽相互连通，所述第一沟槽的宽度和所述第二沟槽的宽度相等；所述支柱的宽度大于所述第一沟槽的宽度。技术研发人员：杜燕强,王加坤受保护的技术使用者：杭州芯迈半导体技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1