存储器装置和制造存储器装置的方法与流程

本公开总体上涉及存储器装置和制造存储器装置的方法，更具体地，涉及一种三维存储器装置和制造三维存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器装置可被分类为当供电中断时所存储的数据消失的易失性存储器装置以及即使当供电中断时也保留所存储的数据的非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置可包括nand闪存、nor闪存、电阻随机存取存储器(reram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、自旋转移矩随机存取存储器(stt-ram)等。

3、nand闪存系统可包括被配置为存储数据的存储器装置以及被配置为控制存储器装置的控制器。存储器装置可包括存储数据的存储器单元阵列以及被配置为响应于从控制器发送的命令而执行编程操作、读操作或擦除操作的外围电路。

4、半导体制造工艺中使用的材料层具有固有应力，并且在晶圆中可能由于材料层沉积工艺和退火工艺所引起的应力而发生翘曲。当晶圆中发生翘曲时，在沉积在晶圆上的材料层之间可能发生分离或裂纹。因此，晶圆可能结构上变得不稳定，并且半导体装置的操作特性或可靠性可能劣化。

技术实现思路

1、根据本公开的实施方式，可提供一种存储器装置，该存储器装置包括：晶圆，其包括芯片区域和围绕芯片区域的边缘区域；层叠结构，其包括交替地层叠在芯片区域上方的多个绝缘层和多个导电层；多个沟道结构，其设置在层叠结构中；第一狭缝，其穿透多个绝缘层和多个导电层；上绝缘层，其设置在边缘区域上方；以及多个第二狭缝，其形成在上绝缘层的一部分中。

2、根据本公开的实施方式，可提供一种存储器装置，该存储器装置包括：晶圆，其包括芯片区域和围绕芯片区域的边缘区域；层叠结构，其包括交替地层叠在晶圆的芯片区域上方的多个导电层和多个绝缘层，其中，层叠结构包括阶梯结构，该阶梯结构包括绝缘层和导电层的端部，并且其中，阶梯结构的各个台阶包括焊盘部，该焊盘部包括多个导电层中的导电层和多个绝缘层中的绝缘层；多个沟道结构，其设置在层叠结构中；上绝缘层，其形成在层叠结构上方以覆盖阶梯结构，该上绝缘层延伸到晶圆的边缘区域上；多个接触结构，其在形成在上绝缘层的与多个焊盘部交叠的部分中时与多个焊盘部接触；以及狭缝，其形成在上绝缘层的一部分中，该狭缝与晶圆的边缘区域交叠。

3、根据本公开的实施方式，可提供一种制造存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：提供晶圆，该晶圆包括芯片区域和围绕芯片区域的边缘区域；在晶圆的芯片区域上方形成多个第一材料层和多个第二材料层交替地层叠的层叠结构；通过蚀刻多个第一材料层和多个第二材料层的部分来形成多个焊盘部，从而形成阶梯结构；形成覆盖多个焊盘部的绝缘层，该绝缘层覆盖边缘区域的至少一部分；在层叠结构中形成在垂直方向上延伸的第一狭缝；以及在绝缘层中形成多个第二狭缝。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，

3.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括形成在所述上绝缘层的一部分中的多个第三狭缝，

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个第二狭缝和所述多个第三狭缝形成为在第一方向上延伸的线形状，

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述多个第三狭缝在所述第一方向上与所述多个第二狭缝间隔开。

6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述多个第三狭缝在所述第一方向和所述第二方向之间的对角方向上与所述多个第二狭缝间隔开。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括设置在所述多个第二狭缝中的间隙填充层，

8.一种存储器装置，该存储器装置包括：

9.根据权利要求8所述的存储器装置，该存储器装置还包括在所述狭缝内的间隙填充层，

10.一种制造存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述多个第二狭缝与所述第一狭缝同时形成。

12.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述多个第二狭缝中形成间隙填充层，

13.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成所述源极触点时，在所述多个第二狭缝的下区域中形成与所述源极触点相同的导电材料，并且

15.根据权利要求10所述的方法，

16.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述绝缘层中形成多个第三狭缝，

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述多个第二狭缝和所述多个第三狭缝形成为在第一方向上延伸的线形状，

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述多个第二狭缝和所述多个第三狭缝与所述第一狭缝同时形成。

技术总结提供了一种存储器装置和制造存储器装置的方法。该存储器装置包括：晶圆，其包括芯片区域和围绕芯片区域的边缘区域；层叠结构，其包括在芯片区域上方交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；多个沟道结构，其设置在层叠结构中；第一狭缝，其穿透多个绝缘层和多个导电层；上绝缘层，其设置在边缘区域上方；以及多个第二狭缝，其形成在上绝缘层的一部分中。技术研发人员：黄贤美受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1