只读存储器器件及操作存储器器件的方法与流程

本申请的实施例涉及只读存储器器件及操作存储器器件的方法。

背景技术：

1、集成电路(“ic”)器件包括ic布局图(也称为“布局图”)中表示的一个或多个半导体器件。布局图是分阶层的，并且包括根据半导体器件的设计规范执行更高级功能的模块。模块通常由单元的组合构建，每个单元代表被配置为执行特定功能的一个或多个半导体结构。具有预先设计的布局图的单元(有时被称为标准单元)储存在标准单元库(为了简单起见，以下称为“库”或“单元库”)中，并且可由各种工具(例如电子设计自动化(eda)工具)存取，以生成、优化和验证ic的设计。

2、为了减小ic器件的尺寸，有时在另一层半导体器件上方形成或接合一层半导体器件。示例包括互补场效应晶体管(cfet)器件，其中上部或顶部半导体器件以堆叠配置上覆于下部或底部半导体器件。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种只读存储器(rom)器件，包括：互补场效应晶体管(cfet)器件，cfet器件还包括：第一类型的第一半导体器件；和与第一类型不同的第二类型的第二半导体器件，第二半导体器件位于第一半导体器件上方或下方。rom器件还包括：第一字线，电耦合到第一半导体器件的栅极；第二字线，电耦合到第二半导体器件的栅极；以及至少一个位线，电耦合到以下之中的至少一个：第一半导体器件的第一源极/漏极或者第二半导体器件的第一源极/漏极。

2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种只读存储器(rom)器件，包括：互补场效应晶体管(cfet)器件，cfet器件包括：第一类型的第一半导体器件；和与第一类型不同的第二类型的第二半导体器件，第二半导体器件位于第一半导体器件下方。cfet器件还包括：第一字线，电耦合到第一半导体器件的栅极；第二字线，电耦合到第二半导体器件的栅极；以及位线，电耦合到第一半导体器件的第一源极/漏极和第二半导体器件的第一源极/漏极。

3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种操作存储器器件的方法，包括：对差分位线对进行预充电，其中差分位线对中的一个位线电耦合到互补场效应晶体管(cfet)器件的第一半导体器件的源极/漏极，以及差分位线对中的另一个位线电耦合到cfet器件的第二半导体器件的源极/漏极，第二半导体器件位于第一半导体器件上方或下方。该方法还包括：向第一半导体器件的栅极施加第一存取电压，并且向第二半导体器件的栅极施加第二存取电压，第二存取电压对应于第一存取电压；响应于在差分位线对上对应的第一电压和第二电压之间的第一关系，感测储存在cfet器件中的第一逻辑值；以及响应于第一电压和第二电压之间的第二关系，感测储存在cfet器件中的第二逻辑值，第二逻辑值不同于第一逻辑值，并且第二关系不同于第一关系。

技术特征：

1.一种只读存储器器件，包括：

2.根据权利要求1所述的只读存储器器件，其中

3.根据权利要求2所述的只读存储器器件，还包括：

4.根据权利要求2所述的只读存储器器件，还包括：

5.根据权利要求2所述的只读存储器器件，还包括：

6.根据权利要求2所述的只读存储器器件，还包括：

7.根据权利要求1所述的只读存储器器件，还包括：

8.一种只读存储器器件，包括：

9.一种操作存储器器件的方法，包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其中

技术总结一种只读存储器(ROM)器件包括互补场效应晶体管(CFET)器件，该CFET器件具有第一类型的第一半导体器件和与第一类型不同的第二类型的第二半导体器件。第二半导体器件在第一半导体器件上方或下方。第一字线电耦合到第一半导体器件的栅极。第二字线电耦合到第二半导体器件的栅极。至少一个位线电耦合到第一半导体器件的第一源极/漏极或第二半导体器件的第一源极/漏极中的至少一个。本申请的实施例还提供了操作存储器器件的方法。技术研发人员：林谷峰受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1