图像传感器的制作方法

本技术涉及传感器领域，具体地说，涉及图像传感器。

背景技术：

1、cmos图像传感器，也称为cis(互补金属氧化物半导体图像传感器，complementarymetal-oxide-semiconductor image sensor)。它是一种将光信号转换为电信号的器件，广泛应用于数码相机、手机摄像头、安防监控、工业相机等领域。cis芯片制造采用cmos工艺，可以在普通硅片上完成制造，不需要额外的加工工艺，因此制造成本相对较低。此外，cis芯片还具有逐行扫描、像素级自动曝光控制、数字信号输出等特点，能够实现高速、高清、低噪声的图像采集和传输。

2、目前市场cmos图像传感器封装都是在wafer的单一面做电路和像素区域，进而采用wl-csp(wafer level chip scale packaging)即晶圆级芯片封装，和plcc(plasticleaded chip carrier)即带引线的塑料芯片封装方法对晶圆(wafer)进行统一封装。随着不断发展，用户对图像传感器像素需求越来越高，这样也就需要更大的像素区来成像，从而导致芯片尺寸越来越大，显然目前制程工艺已无法满足市场对芯片轻、薄、短、小的发展要求。

3、因此如何保证芯片像素变大的同时，还能保证小尺寸封装，这一问题需要尽快解决。

4、有鉴于此，本实用新型提供了图像传感器。

技术实现思路

1、针对现有技术中的问题，本实用新型的目的在于提供图像传感器，克服了现有技术的困难，能够基于同一晶圆的两面分别进行像素和电路设置，在不增加芯片厚度条件下，减少芯片面积，扩大传感器的感光面积以增强画质，并且提升晶圆产出芯片的数量，增加产能，降低成本。

2、本实用新型的实施例提供一种图像传感器，包括：

3、一基板，所述基板设有若干硅通孔，所述硅通孔内设有第一导电层；

4、像素区域和若干第一焊盘，图案化形成于所述基板的第一侧，所述第一焊盘位于所述硅通孔的第一侧；

5、一保护层，封装所述像素区域和第一焊盘；

6、电路区域和若干第二焊盘，图案化形成于所述基板的第二侧，所述第二焊盘位于所述硅通孔的第二侧，所述第一导电层导通所述第一焊盘和第二焊盘；

7、第二绝缘层，形成于所述电路区域背离所述基板的一侧；以及

8、一重布线层，图案化地形成于所述第二绝缘层背离所述电路区域的一侧，所述重布线层经过设置于所述第二绝缘层的过孔连接第二焊盘和/或电路区域。

9、优选地，还包括：

10、一焊盘阻焊层，形成于所述重布线层背离所述第二绝缘层的一侧；

11、一第二导电层，图案化地形成于所述焊盘阻焊层背离所述重布线层的一侧。

12、优选地，还包括：若干钎料球；

13、所述第二导电层设有若干连通所述焊盘阻焊层的通孔，所述钎料球形成于第二导电层背离所述焊盘阻焊层的一侧，所述钎料球经过所述通孔与所述第二导电层电连接。

14、优选地，所述保护层包括：

15、一支撑框，形成于所述基板的第一侧，所述支撑框环绕所述基板边缘；

16、一玻璃，连接于所述支撑框，所述玻璃与所述像素区域的上表面之间形成间隙，以封装所述像素区域。

17、优选地，所述硅通孔的内壁设有一第一绝缘层，所述导电层形成于所述第一绝缘层背离所述硅通孔的内壁的一侧。

18、优选地，所述像素区域还包括黑矩阵，所述黑矩阵基于所述基板的第一投影图案包含所述硅通孔基于所述基板的第二投影图案。

19、本实用新型的图像传感器能够基于同一晶圆的两面分别进行像素和电路设置，在不增加芯片厚度条件下，减少芯片面积，扩大传感器的感光面积以增强画质，并且提升晶圆产出芯片的数量，增加产能，降低成本。

技术特征：

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，还包括：若干钎料球(113)；

4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述保护层包括：

5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述硅通孔(106)的内壁设有一第一绝缘层(107)，所述导电层形成于所述第一绝缘层(107)背离所述硅通孔(106)的内壁的一侧。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述像素区域(301)还包括黑矩阵，所述黑矩阵基于所述基板(201)的第一投影图案包含所述硅通孔(106)基于所述基板(201)的第二投影图案。

技术总结本技术提供了图像传感器，包括：一基板，基板设有若干硅通孔，硅通孔内设有第一导电层；像素区域和若干第一焊盘，图案化形成于基板的第一侧，第一焊盘位于硅通孔的第一侧；一保护层，封装像素区域和第一焊盘；电路区域和若干第二焊盘，图案化形成于基板的第二侧，第二焊盘位于硅通孔的第二侧，第一导电层导通第一焊盘和第二焊盘；第二绝缘层，形成于电路区域背离基板的一侧；一重布线层，图案化地形成于第二绝缘层背离电路区域的一侧，重布线层经过设置于第二绝缘层的过孔连接第二焊盘和/或电路区域。本技术能够在不增加芯片厚度条件下，减少芯片面积，扩大传感器的感光面积以增强画质，提升晶圆产出芯片的数量。技术研发人员：方恒,史佳丽,葛光,张兵受保护的技术使用者：上海砺芯微电子有限公司技术研发日：20240116技术公布日：2024/8/5