存储器装置及其操作方法与流程

本技术涉及一种存储器装置。

背景技术：

1、易失性存储器装置是在电源切断时所存储的数据丢失的存储器装置。非易失性存储器装置是即使电源切断也保留所存储的数据的存储器装置。当执行编程操作以将数据存储在存储器装置中时，在包括在存储器装置中的存储器单元之间可能发生干扰。另外，编程操作的执行时间和功耗可与存储器装置的操作性能有关。因此，正在开发各种编程方法以便减小存储器单元之间的干扰影响并改进编程操作的性能。

技术实现思路

1、根据本技术的实施方式的存储器装置可包括：存储器单元，其连接到所选字线；以及外围电路，其被配置为在对所选字线的模糊编程操作期间存储关于目标编程状态被确定为模糊编程通过的模糊编程通过循环的信息，基于模糊编程通过循环来计算精细编程通过循环，并且在对所选字线的精细编程操作的精细编程通过循环中将目标编程状态确定为“精细编程通过”。

2、根据本技术的实施方式的存储器装置可包括：存储器单元，其连接到所选字线；以及外围电路，其被配置为在对所选字线的模糊编程操作期间存储关于目标编程状态被确定为模糊编程通过的模糊编程通过循环的信息，基于模糊编程通过循环来确定精细编程通过电压，并且在对所选字线的精细编程操作期间在将精细编程通过电压施加到所选字线之后将目标编程状态确定为“精细编程通过”。

3、根据本技术的实施方式的存储器装置的操作方法可包括以下步骤：在对所选字线的模糊编程操作期间存储关于目标编程状态被确定为模糊编程通过的模糊编程通过循环的信息；基于模糊编程通过循环来确定精细编程通过条件；以及当在对所选字线的精细编程操作期间满足精细编程通过条件时将目标编程状态确定为“精细编程通过”。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述外围电路基于所述模糊编程通过循环、预定第一模糊编程电压、第一精细编程电压、精细编程电压的增加量、所述目标编程状态的模糊验证电压和精细验证电压以及增量步进脉冲编程ispp效率来计算所述精细编程通过循环。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述外围电路在所述精细编程通过循环中将精细编程电压施加到所述所选字线，然后将所述目标编程状态确定为所述精细编程通过，而不管施加精细验证电压的操作的结果如何。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述外围电路在所述精细编程通过循环中施加精细编程电压，然后将所述目标编程状态确定为所述精细编程通过，而无需向所述所选字线施加验证所述目标编程状态的精细验证电压。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述精细编程操作的第一精细编程电压高于所述模糊编程操作的第一模糊编程电压。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，在所述精细编程操作期间向所述所选字线施加所述第一精细编程电压之前，所述外围电路执行预施加验证第一编程状态的第一精细验证电压的操作，并且基于预施加所述第一精细验证电压的操作的结果来将处于所述第一编程状态的存储器单元确定为编程禁止存储器单元。

7.一种存储器装置，该存储器装置包括：

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述外围电路基于所述模糊编程通过循环、预定第一模糊编程电压、模糊编程电压的增加量、所述目标编程状态的模糊验证电压和精细验证电压以及增量步进脉冲编程ispp效率来计算所述精细编程通过电压。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，所述外围电路施加所述精细编程通过电压，然后将所述目标编程状态确定为所述精细编程通过，而不管施加精细验证电压的操作的结果如何。

10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述外围电路施加所述精细编程通过电压，然后将所述目标编程状态确定为所述精细编程通过，而无需向所述所选字线施加验证所述目标编程状态的精细验证电压。

11.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述精细编程操作的第一精细编程电压高于所述模糊编程操作的第一模糊编程电压。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，在所述精细编程操作期间向所述所选字线施加所述第一精细编程电压之前，所述外围电路执行预施加验证第一编程状态的第一精细验证电压的操作，并且基于预施加所述第一精细验证电压的操作的结果来将处于所述第一编程状态的存储器单元确定为编程禁止存储器单元。

13.一种存储器装置的操作方法，该操作方法包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的操作方法，其中，满足所述精细编程通过条件的步骤包括以下步骤：在所述精细编程操作期间执行精细编程通过循环。

15.根据权利要求14所述的操作方法，其中，确定所述精细编程通过条件的步骤包括以下步骤：基于所述模糊编程通过循环、预定第一模糊编程电压、第一精细编程电压、精细编程电压的增加量、所述目标编程状态的模糊验证电压和精细验证电压以及增量步进脉冲编程ispp效率来计算所述精细编程通过循环。

16.根据权利要求13所述的操作方法，其中，满足所述精细编程通过条件的步骤包括以下步骤：在所述精细编程操作期间向所述所选字线施加精细编程通过电压。

17.根据权利要求16所述的操作方法，其中，确定所述精细编程通过条件的步骤包括以下步骤：基于所述模糊编程通过循环、预定第一模糊编程电压、模糊编程电压的增加量、所述目标编程状态的模糊验证电压和精细验证电压以及增量步进脉冲编程ispp效率来计算所述精细编程通过电压。

技术总结本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置可包括：存储器单元，其连接到所选字线；以及外围电路，其被配置为在对所选字线的模糊编程操作期间存储关于目标编程状态被确定为模糊编程通过的模糊编程通过循环的信息，基于模糊编程通过循环来计算精细编程通过循环，并且在对所选字线的精细编程操作的精细编程通过循环中将目标编程状态确定为精细编程通过。技术研发人员：崔亨进,朴世泉,郑赞熙受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12