具有非线性消除的射频功率检测器的制作方法

本公开整体涉及电子设备，并且更具体地涉及具有无线通信电路的电子设备。

背景技术：

1、电子设备可具备无线通信能力。具备无线通信能力的电子设备具有无线通信电路，该无线通信电路具有一个或多个天线。无线通信电路中的无线收发器电路使用天线来发射和接收射频信号。

2、由天线发射的射频信号可通过功率放大器馈送，该功率放大器被配置为将低功率模拟信号放大成更适合于通过空气长距离传输的高功率信号。在天线处接收的射频信号可通过低噪声放大器馈送，该低噪声放大器被配置为将低功率模拟信号放大成高功率信号，以便在接收器处进行处理。设计用于电子设备的令人满意的射频放大器可能具有挑战性。

技术实现思路

1、电子设备可包括无线通信电路。无线通信电路可包括用于生成基带信号的一个或多个处理器或信号处理块、用于将基带信号上变频(调制)成射频并且用于将射频信号下变频(解调)成基带信号的收发器、用于在一个或多个天线处发射之前放大射频信号的射频功率放大器、以及用于在电子设备中放大在一个或多个天线处接收的射频信号的射频低噪声放大器。

2、本公开的一个方面提供无线电路，该无线电路包括：射频放大器；和功率检测电路，该功率检测电路耦接到射频放大器的输出。功率检测电路可包括：输入晶体管，该输入晶体管具有耦接到射频放大器的输出的栅极端子，和非线性消除部件，该非线性消除部件耦接到输入晶体管的栅极端子。非线性消除部件可以是金属氧化物半导体(mos)电容器。功率检测电路还可包括：附加输入晶体管，该附加输入晶体管具有耦接到射频放大器的输出的栅极端子；和附加mos电容器，该附加mos电容器具有耦接到附加输入晶体管的栅极端子的栅极端子并且具有耦接到分路电容器的主体端子。

3、功率检测电路还可包括：第一偏置晶体管，该第一偏置晶体管具有耦接到mos电容器的主体端子并且耦接到第一电流源的源极端子、栅极端子和短接到其栅极端子的漏极端子。功率检测电路还可包括：第二偏置晶体管，该第二偏置晶体管具有耦接到接地线的源极端子、耦接到第一偏置晶体管的漏极端子的漏极端子和短接到其漏极端子的栅极端子，该第二偏置晶体管被配置为向输入晶体管的栅极端子提供偏置电压。功率检测电路还可包括：第一共源共栅晶体管，该第一共源共栅晶体管与输入晶体管串联耦接；第二共源共栅晶体管；和第三偏置晶体管，该第三偏置晶体管具有耦接到第二偏置晶体管的漏极端子的源极端子、耦接到第二电流源的漏极端子和短接到其漏极端子的栅极端子，该第三偏置晶体管被配置为向第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管的栅极端子提供共源共栅偏置电压。

4、本公开的一个方面提供功率检测电路，该功率检测电路包括：第一输入晶体管，该第一输入晶体管被配置为接收射频信号；第二输入晶体管，该第二输入晶体管被配置为接收射频信号；偏置电路，该偏置电路被配置为向第一输入晶体管和第二输入晶体管提供偏置电压；和第一非线性消除部件，该第一非线性消除部件耦接在第一输入晶体管与偏置电路之间。功率检测电路还可包括：第二非线性消除部件，该第二非线性消除部件耦接在第二输入晶体管与偏置电路之间。第一非线性消除部件可以是第一金属氧化物半导体(mos)电容器，该第一mos电容器具有耦接到第一输入晶体管的栅极端子的栅极端子并且具有耦接到偏置电路的主体端子，而第二非线性消除部件可以是第二金属氧化物半导体(mos)电容器，该第二mos电容器具有耦接到第二输入晶体管的栅极端子的栅极端子并且具有耦接到偏置电路的主体端子。偏置电路可包括：第一二极管接法偏置晶体管，该第一二极管接法偏置晶体管具有耦接到第一非线性消除部件和第二非线性消除部件并且耦接到第一电流源的端子；第二二极管接法偏置晶体管，该第二二极管接法偏置晶体管耦接到第一二极管接法偏置晶体管并且被配置为输出偏置电压；和第三二极管接法偏置晶体管，该第三二极管接法偏置晶体管耦接到第二二极管接法偏置晶体管，具有耦接到第二电流源的端子，并且被配置为向耦接到第一输入晶体管和第二输入晶体管的共源共栅晶体管输出共源共栅偏置电压。

5、本公开的一个方面提供电路，该电路包括：输入晶体管，该输入晶体管被配置为从射频放大器接收射频信号；偏置电路，该偏置电路被配置为输出用于输入晶体管的偏置电压并且被配置为跟踪温度和电压变化；和非线性消除部件，该非线性消除部件被配置为生成至少部分地消除与输入晶体管相关联的非线性电流的电流。非线性消除部件可以是金属氧化物半导体(mos)电容器，该mos电容器具有耦接到输入晶体管的栅极端子的第一端子并且具有耦接到偏置电路的第二端子。电路还可包括：附加输入晶体管，该附加输入晶体管被配置为从射频放大器接收射频信号；和附加非线性消除部件，该附加非线性消除部件被配置为生成至少部分地消除与附加输入晶体管相关联的非线性电流的电流。

6、输入晶体管和附加输入晶体管可任选地是n型输入晶体管。非线性消除部件可任选地是第一p型金属氧化物半导体(mos)电容器，该第一p型mos电容器具有耦接到输入晶体管的栅极端子的栅极端子并且具有耦接到偏置电路的主体端子。附加非线性消除部件可任选地是第二p型金属氧化物半导体(mos)电容器，该第二p型mos电容器具有耦接到附加输入晶体管的栅极端子的栅极端子并且具有耦接到偏置电路的主体端子。偏置电路可包括p型偏置晶体管，该p型偏置晶体管具有耦接到第一p型mos电容器和第二p型mos电容器并且耦接到电流源的源极端子、栅极端子和耦接到其栅极端子的漏极端子。

技术特征：

1.一种无线电路，所述无线电路包括：

2.根据权利要求1所述的无线电路，其中所述非线性消除部件包括金属氧化物半导体(mos)电容器。

3.根据权利要求1所述的无线电路，其中所述输入晶体管包括n型金属氧化物半导体晶体管，并且其中所述非线性消除部件包括p型金属氧化物半导体电容器。

4.根据权利要求1所述的无线电路，其中所述非线性消除部件包括金属氧化物半导体(mos)电容器，所述mos电容器具有耦接到所述输入晶体管的所述栅极端子的第一端子并且具有耦接到分路电容器的第二端子。

5.根据权利要求1所述的无线电路，其中所述非线性消除部件包括金属氧化物半导体(mos)电容器，所述mos电容器具有耦接到所述输入晶体管的所述栅极端子的栅极端子并且具有耦接到分路电容器的主体端子。

6.根据权利要求5所述的无线电路，其中所述功率检测电路还包括：

7.根据权利要求6所述的无线电路，其中所述功率检测电路还包括：

8.根据权利要求7所述的无线电路，其中所述功率检测电路还包括：

9.根据权利要求8所述的无线电路，其中所述功率检测电路还包括：

10.根据权利要求9所述的无线电路，其中：

11.一种功率检测电路，所述功率检测电路包括：

12.根据权利要求11所述的功率检测电路，还包括：

13.根据权利要求12所述的功率检测电路，其中：

14.根据权利要求13所述的功率检测电路，还包括：

15.根据权利要求13所述的功率检测电路，其中所述第一输入晶体管的所述栅极端子经由第一电容器耦接到射频放大器，并且其中所述第二晶体管的所述栅极端子经由第二电容器耦接到所述射频放大器。

16.一种电路，所述电路包括：

17.根据权利要求16所述的电路，其中所述非线性消除部件包括金属氧化物半导体(mos)电容器，所述mos电容器具有耦接到所述输入晶体管的栅极端子的第一端子并且具有耦接到所述偏置电路的第二端子。

18.根据权利要求16所述的电路，还包括：

19.根据权利要求18所述的电路，其中：

20.根据权利要求19所述的电路，其中所述偏置电路包括p型偏置晶体管，所述p型偏置晶体管具有耦接到所述第一p型mos电容器和所述第二p型mos电容器并且耦接到电流源的源极端子、栅极端子和耦接到其栅极端子的漏极端子。

技术总结无线电路可包括射频放大器和功率检测电路，该功率检测电路耦接到该射频放大器的输出。该功率检测电路可包括：输入晶体管；偏置电路，该偏置电路被配置为输出用于该输入晶体管的偏置电压并且被配置为跟踪温度和电压变化；和非线性消除部件，该非线性消除部件被配置为生成至少部分地消除与该输入晶体管相关联的非线性电流的电流。该输入晶体管可以是n型晶体管，并且该非线性消除部件可以是p型金属氧化物半导体电容器。该偏置电路可包括n型二极管接法偏置晶体管和p型二极管接法偏置晶体管。技术研发人员：M·阿布齐德,A·科米加尼受保护的技术使用者：苹果公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12