具有场板的可控硅整流器的制作方法

本公开涉及半导体结构，更具体涉及具有场板结构的可控硅整流器和制造方法。

背景技术：

1、对于诸如电动车的电力系统中的更有效电力传输，操作电压变得越来越高。并且，随着集成电路的尺寸持续缩小，它们对静电放电变得更加敏感。这种高电压使用和持续的器件缩小需要能够在较小占地面积(footprint)中以足够的稳健性维持如此高的电压的静电器件(esd)保护器件。

2、通常，使用一种堆叠的低电压esd器件的方法来实现高电压操作能力。但是，堆叠方法使得esd器件的占地面积以堆叠的数量倍增。另外，使用多个esd器件会导致接通电阻增加。

技术实现思路

1、在本公开的一方面，一种结构包括：位于半导体衬底中的多个第一类型的阱；位于所述半导体衬底中的第二类型的阱，所述第二类型的阱围绕所述多个第一类型的阱；围绕所述多个第一类型的阱的隔离结构，所述隔离结构将所述第二类型的阱与所述多个第一类型的阱隔离开；以及位于所述隔离结构上的多个场板，所述多个场板围绕所述多个第一类型的阱。

2、在本公开的一方面，一种结构包括：位于半导体衬底中的多个p阱；隔离所述多个p阱的n阱；围绕所述多个p阱并将所述多个p阱与所述n阱隔离开的隔离结构；以及位于所述隔离结构上的场板，所述场板形成围绕所述多个p阱的环。

3、在本公开的一方面，一种方法包括：位于半导体衬底中的多个第一类型的阱；位于所述半导体衬底中的第二类型的阱，所述第二类型的阱围绕所述多个第一类型的阱；围绕所述多个第一类型的阱的隔离结构，所述隔离结构将所述第二类型的阱与所述多个第一类型的阱隔离开；以及位于所述隔离结构上的多个场板，所述多个场板围绕所述多个第一类型的阱。

技术特征：

1.一种结构，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述多个第一类型的阱包括连接到相应端子的p阱，并且所述第二类型的阱包括n阱。

3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述n阱是围绕所述p阱的环形结构。

4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述隔离结构包括locos，并且所述多个场板包括位于所述locos上的多晶硅材料。

5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述多晶硅材料包括围绕所述p阱中的每一个的环形结构。

6.根据权利要求2所述的结构，其中，所述隔离结构包括浅沟槽隔离结构，并且所述多个场板包括位于所述浅沟槽隔离结构上的多晶硅材料。

7.根据权利要求2所述的结构，其中，所述p阱是连接到相应端子的相邻p阱，并且所述p阱中的每一个通过所述隔离结构彼此隔离开。

8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板电耦接至所述第二类型的阱。

9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述第二类型的阱充当到浮置n型区的拾取器。

10.根据权利要求1所述的结构，其中，所述隔离结构包括在所述多个第一类型的阱和所述第二类型的阱之间延伸的两个隔离结构。

11.根据权利要求10所述的结构，还包括位于所述两个隔离结构之间并且位于所述第二类型的阱内的扩散区。

12.根据权利要求1所述的结构，还包括位于所述多个阱中的每一个中的阱，所述阱包括具有与所述多个阱不同的掺杂剂浓度的相同掺杂剂类型。

13.一种结构，包括：

14.根据权利要求13所述的结构，其中，所述场板包括多晶硅材料，并且所述隔离结构包括locos。

15.根据权利要求13所述的结构，其中，所述场板包括多晶硅材料，并且所述隔离结构包括浅沟槽隔离结构。

16.根据权利要求13所述的结构，其中，所述隔离结构包括由所述n阱中的扩散区分隔开的两个隔离结构。

17.根据权利要求13所述的结构，其中，所述多个p阱连接到单独的端子，并且所述单独的端子被所述隔离结构和所述场板两者包围。

18.根据权利要求13所述的结构，其中，所述p阱包括高电压p阱，并且所述结构还包括位于所述p阱内的具有相同掺杂剂类型和不同掺杂剂浓度的附加阱。

19.根据权利要求13所述的结构，其中，所述n阱电耦接至所述场板并且没有端子。

20.一种方法，包括：

技术总结本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有场板结构的可控硅整流器和制造方法。该结构包括：位于半导体衬底中的多个第一类型的阱；位于半导体衬底中的第二类型的阱，第二类型的阱围绕多个第一类型的阱；围绕多个第一类型的阱的隔离结构，该隔离结构将第二类型的阱与多个第一类型的阱隔离开；以及位于隔离结构上的多个场板，该多个场板围绕多个第一类型的阱。技术研发人员：曾杰受保护的技术使用者：格芯新加坡私人有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12