图像传感器信号路径路由的制作方法

本公开整体涉及成像系统，并且更具体地涉及成像系统中的图像传感器。

背景技术：

1、图像传感器通常在电子系统或电子设备中用于生成图像数据。在典型布置中，图像传感器包括具有有源图像传感器像素的图像传感器阵列。基于沿着控制路径接收的控制信号，有源图像传感器像素响应于入射光而生成图像信号。生成的图像信号沿着读出路径被读出，并用于生成电子系统中可用的一个或多个图像帧。

2、图像传感器阵列还可包括其他类型的图像传感器像素(本文中有时称为非有源图像传感器像素)，诸如参考图像传感器像素。非有源图像传感器像素中的至少一些应当类似地使用对应控制路径来控制和/或使用对应读出路径来读出。

3、在一些配置中，可将图像传感器约束为沿着像素阵列中的列和/或行具有特定数目的信号路径(例如，以满足特定管芯大小)和/或在特定位置处具有这些信号路径(例如，以促进管芯间连接)。

技术实现思路

技术特征：

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一排像素包括第一列像素，并且其中所述第二排像素包括平行于所述第一列像素的第二列像素。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述第一排像素包括第一行像素，并且其中所述第二排像素包括平行于所述第一行像素的第二行像素。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述图像传感器像素阵列、所述阻进区、所述像素信号路径和所述管芯间互连结构形成于第一集成电路管芯上，并且其中所述图像传感器包括第二集成电路管芯，所述第一集成电路管芯附接到所述第二集成电路管芯并且所述管芯间互连结构耦接到所述第二集成电路管芯。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一排像素包括非有源像素。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述非有源像素包括参考像素，所述参考像素生成指示像素阵列噪声的参考信号。

10.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述非有源像素包括光学暗像素，所述光学暗像素被从入射光屏蔽。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二排像素中的所述至少一个像素包括具有一个或多个像素晶体管的非操作像素，所述一个或多个像素晶体管具有接地端子。

12.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述第二路径部分包括与所述非操作像素重叠的像素控制线部分或与所述非操作像素重叠的像素读出线部分。

13.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中所述至少一个非有源像素与所述互连结构断开。

15.根据权利要求13所述的图像传感器，其中所述图像传感器像素阵列包括限定所述图像传感器像素阵列的轮廓的周边边缘，并且其中所述像素信号路径具有延伸超出所述图像传感器像素阵列的所述周边边缘中的至少一个周边边缘的部分。

16.根据权利要求13所述的图像传感器，其中所述第一排非有源像素沿着所述阵列中的列布置，其中所述第二排非有源像素沿着所述阵列中的行布置，并且其中所述像素信号路径具有第一部分和第二部分，所述第一部分沿着所述阵列中的所述行延伸，所述第二部分沿着所述阵列中的附加行延伸，所述附加行包括所述第一排非有源像素中的所述至少一个非有源像素。

17.根据权利要求13所述的图像传感器，其中所述第一排非有源像素沿着所述阵列中的行布置，其中所述第二排非有源像素沿着所述阵列中的列布置，并且其中所述像素信号路径具有第一部分和第二部分，所述第一部分沿着所述阵列中的所述列延伸，所述第二部分沿着所述阵列中的附加列延伸，所述附加列包括所述第一排非有源像素中的所述至少一个非有源像素。

18.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

19.根据权利要求18所述的图像传感器，其中所述第一集成电路管芯包括延伸超出所述图像传感器像素阵列的所述轮廓的阻进带，并且其中所述像素信号路径与所述阻进带重叠。

20.根据权利要求18所述的图像传感器，其中所述像素信号路径将像素控制信号从所述第二集成电路管芯传送到所述图像传感器像素阵列的所述周边部分，或者将像素输出信号从所述图像传感器像素阵列的所述周边部分传送到所述第二集成电路管芯。

技术总结本公开涉及图像传感器信号路径路由。一种图像传感器，该图像传感器可包括图像传感器像素阵列。该图像传感器像素阵列可包括有源图像传感器像素和非有源图像传感器像素。一排周边图像传感器像素可经由像素信号路径耦接到对应的互连结构。该像素信号路径可包括与直通像素和超出图像传感器像素阵列的边缘的阻进区重叠的部分。多个互连结构可将实现于第一集成电路管芯上的图像传感器像素阵列连接到第二集成电路管芯上的像素控制和读出电路。技术研发人员：N·P·考利,A·D·塔尔博特,S·J·斯宾克斯受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12