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光学层叠体及使用了所述光学层叠体的图像显示装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-09-14 14:27:36

本发明涉及光学层叠体及使用了所述光学层叠体的图像显示装置。

背景技术:

1、近年来,液晶显示装置及电致发光(el)显示装置(例如有机el显示装置、无机el显示装置)所代表的图像显示装置迅速普及。图像显示装置中多数情况下使用包含相位差膜的光学层叠体(例如一体化有偏振片和相位差膜的防反射膜)。这里,随着图像显示装置的普及,产生了新型的用途及功能。与此相关,对从斜方向进行观察时具有优异防反射特性的图像显示装置的期盼有所增强。结果,需要从斜方向进行观察时具有优异防反射特性的光学层叠体(例如防反射膜)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2022-137939号公报

5、专利文献2:日本专利第5745686号

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明为了解决上述现有问题而完成,其主要目的在于提供从斜方向进行观察时具有优异防反射特性的光学层叠体。

3、用于解决技术问题的手段

4、[1]本发明实施方式的光学层叠体依次具有包含起偏器的偏振片、第一相位差层、以及第二相位差层,

5、所述起偏器的吸收轴方向与所述第一相位差层的慢轴方向所成的角度θ1及所述起偏器的吸收轴方向与所述第二相位差层的慢轴方向所成的角度θ2满足下述关系(1)或(2),

6、所述第一相位差层的nz1及所述第二相位差层的nz2满足下述关系(3)或(4):

7、10°≤θ1≤20°且70°≤θ2≤80°…(1)

8、70°≤θ1≤80°且10°≤θ2≤20°…(2)

9、10°≤θ1≤20°时,

10、0.3≤nz1≤0.8、0.1≤nz2≤1、且0.7≤nz1+nz2≤1.7…(3)

11、70°≤θ1≤80°时,

12、0.2≤nz1≤0.7、0≤nz2≤0.9、且0.3≤nz1+nz2≤1.3…(4)

13、其中,nz1为第一相位差层的nz系数,nz2为第二相位差层的nz系数。

14、[2]上述[1]中,上述第一相位差层的re1(550)为180nm~370nm,上述第二相位差层的re2(550)满足以下关系:

15、{re1(550)/2}-20≤re2(550)≤{re1(550)/2}+20。

16、[3]上述[1]或[2]中,上述第一相位差层及上述第二相位差层分别为单一层。

17、[4]上述[1]~[3]中任一项中,上述第一相位差层及上述第二相位差层分别满足re(450)/re(550)≥1.00。

18、[5]上述[1]~[4]中任一项中,在上述关系(3)中,上述第二相位差层的nz2为0.7以上。

19、[6]上述[1]~[5]中任一项中,上述光学层叠体在上述第二相位差层的与上述第一相位差层的相反侧上进一步具有折射率特性显示nz>nx=ny关系的第三相位差层。

20、[7]根据本发明的另一方面,提供一种图像显示装置。所述图像显示装置具备上述[1]~[6]中任一项所述的光学层叠体。

21、发明效果

22、根据本发明的实施方式,可以实现从斜方向进行观察时具有优异的防反射特性的光学层叠体。

技术特征:

1.一种光学层叠体,其依次具有包含起偏器的偏振片、第一相位差层、以及第二相位差层,

2.根据权利要求1所述的光学层叠体,其中,

3.根据权利要求1所述的光学层叠体,其中,所述第一相位差层及所述第二相位差层分别为单一层。

4.根据权利要求1所述的光学层叠体,其中,所述第一相位差层及所述第二相位差层分别满足re(450)/re(550)≥1.00。

5.根据权利要求1所述的光学层叠体,其中,在所述关系(3)中,所述第二相位差层的nz2为0.7以上。

6.根据权利要求1所述的光学层叠体,其中,在所述第二相位差层的与所述第一相位差层的相反侧上进一步具有折射率特性显示nz>nx=ny关系的第三相位差层。

7.一种图像显示装置,其具备权利要求1~6中任一项所述的光学层叠体。

技术总结本发明提供从斜方向进行观察时具有优异防反射特性的光学层叠体。本发明实施方式的光学层叠体依次具有包含起偏器的偏振片、第一相位差层、以及第二相位差层。起偏器的吸收轴方向与第一相位差层的慢轴方向所成的角度θ1及起偏器的吸收轴方向与第二相位差层的慢轴方向所成的角度θ2满足下述关系(1)或(2);第一相位差层的Nz1及第二相位差层的Nz2满足下述关系(3)或(4)。10°≤θ1≤20°且70°≤θ2≤80°…(1)70°≤θ1≤80°且10°≤θ2≤20°…(2)10°≤θ1≤20°时,0.3≤Nz1≤0.8、0.1≤Nz2≤1、且0.7≤Nz1+Nz2≤1.7…(3)70°≤θ1≤80°时,0.2≤Nz1≤0.7、0≤Nz2≤0.9、且0.3≤Nz1+Nz2≤1.3…(4)。技术研发人员:长原一平,柳沼宽教受保护的技术使用者:日东电工株式会社技术研发日:技术公布日:2024/9/12

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