一种上电复位电路的制作方法

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种上电复位电路。

背景技术：

1、为了确保芯片上电后能够正常工作，por(power on reset，上电复位)电路在片上系统设计中是不可或缺的，现有技术中，电源的上电复位电路利用电阻与电容充放电延迟产生上电复位信号，该电路在电源电压稳定之后，静态功耗为零，但是为了获得较理想的上电复位信号，通常情况下，电阻和电容的取值较大，不利于集成，甚至即使电阻和电容的取值较大，也无法保证当电源电压上电速度较慢时能产生复位信号。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种上电复位电路。

2、为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种上电复位电路，包括：基准电流生成模块、基准启动检测模块、电容充电延迟模块、复位信号输出模块；

3、所述基准电流生成模块用于生成基准电流，将所述基准电流传输至所述基准启动检测模块和所述电容充电延迟模块；

4、所述基准启动检测模块用于根据所述基准电流确定所述基准电流生成模块是否启动，当检测到所述基准电流生成模块启动时生成低电平信号并将所述低电平信号传输至所述电容充电延迟模块；

5、所述电容充电延迟模块用于根据所述低电平信号启动对电容进行充电，当所述电容充电完成后输出充电电压值至所述复位信号输出模块；

6、所述复位信号输出模块用于检测所述充电电压值，当所述充电电压值小于翻转电压阈值时，输出上电复位信号。

7、可选地，所述基准电流生成模块包括电压源模块、第一电流镜电路、第二电流镜电路，所述第二电流镜电路的输入端与所述第一电流镜电路的输出端连接，所述电压源模块与所述第一电流镜的输入端连接；

8、所述电压源模块用于输出基准电流源；

9、所述第一电流镜电路，用于将所述基准电流源的基准电流复制为第一电流，并将所述第一电流输出至所述电容充电延迟模块；

10、所述第二电流镜电路，用于将所述基准电流源的基准电流复制为第二电流，并输出低电平信号至所述基准启动检测模块。

11、可选地，所述第一电流镜电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极与漏极与所述第二晶体管的栅极相连，所述第一晶体管的源极连接所述电压源模块，所述第一晶体管用于接收所述电压源模块输出的所述基准电流，并将所述基准电流传输至第二晶体管，所述第二晶体管用于将所述基准电流复制得到所述第一电流。

12、可选地，所述第一晶体管和所述第二晶体管为pmos晶体管。

13、可选地，所述第二电流镜包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的栅极分别与所述第四晶体管的漏极和所述第一晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的源极接地，所述第四晶体管的栅极与漏极连接，所述第四晶体管的源极接地；所述第三晶体管用于接收所述第一晶体管输出的所述基准电流，并将所述基准电流输出至所述第四晶体管，所述第四晶体管用于将所述基准电流源的基准电流复制为第二电流。

14、可选地，所述第三晶体管和所述第四晶体管为nmos晶体管。

15、可选地，所述基准启动检测模块包括多个第一pmos晶体管，所述多个第一pmos晶体管依次串联连接，所述多个第一pmos管用于形成预设大小的阻抗。

16、可选地，所述电容充电延迟模块包括多个pmos管依次串联连接，所述多个pmos管用于根据所述低电平信号输出所述基准电流对所述电容进行充电。

17、可选地，所述电容充电延迟模块还包括开关管、电容，所述开关管分别与所述多个pmos管和所述电容连接，所述开关管用于接收所述基准启动检测模块输出的低电平信号时断开，所述多个pmos管用于在所述开关管断开时输出所述基准电流对所述电容进行充电。

18、可选地，所述复位信号输出模块包括施密特触发器，所述施密特触发器用于检测所述电容充电延迟模块的充电电压值，当所述充电电压值达到所述翻转电压阈值时，输出低电平信号。

19、可选地，所述复位信号输出模块还包括第一反相器，所述施密特触发器的输出端与所述第一反相器的输入端连接，所述施密特触发器用于将所述低电平信号输入至所述第一反相器，所述第一反相器用于输出高电平信号。

20、可选地，所述复位信号输出模块还包括第二反相器，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接，所述第一反相器用于将所述高电平信号输出至所述第二反相器，所述第二反相器用于输出低电平信号。

21、本发明公开了一种上电复位电路，本发明通过基准电流生成模块用于生成基准电流，将基准电流传输至电容充电延迟模块，并输出低电平信号至基准启动检测模块；基准启动检测模块用于根据低电平信号确定基准电流生成模块是否启动，当检测到基准电流生成模块启动时生成低电平信号并将低电平信号传输至电容充电延迟模块；电容充电延迟模块用于根据低电平信号启动对电容进行充电，当电容充电完成后输出充电电压值至复位信号输出模块；复位信号输出模块用于检测充电电压值，当充电电压值小于翻转电压阈值时，输出上电复位信号。本发明通过基准启动检测模块检测基准电流生成模块的启动，从而控制复位信号的产生，实现了电源电压上电时复位信号能够快速响应，为用户提供了便捷。

技术特征：

1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：基准电流生成模块、基准启动检测模块、电容充电延迟模块、复位信号输出模块；

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述基准电流生成模块包括电压源模块、第一电流镜电路、第二电流镜电路，所述第二电流镜电路的输入端与所述第一电流镜电路的输出端连接，所述电压源模块与所述第一电流镜的输入端连接；

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一电流镜电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极与漏极与所述第二晶体管的栅极相连，所述第一晶体管的源极连接所述电压源模块，所述第一晶体管用于接收所述电压源模块输出的所述基准电流，并将所述基准电流传输至第二晶体管，所述第二晶体管用于将所述基准电流复制得到所述第一电流。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管为pmos晶体管。

5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第二电流镜包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的栅极分别与所述第四晶体管的漏极和所述第一晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的源极接地，所述第四晶体管的栅极与漏极连接，所述第四晶体管的源极接地；所述第三晶体管用于接收所述第一晶体管输出的所述基准电流，并将所述基准电流输出至所述第四晶体管，所述第四晶体管用于将所述基准电流源的基准电流复制为第二电流。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第三晶体管和所述第四晶体管为nmos晶体管。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述基准启动检测模块包括多个第一pmos晶体管，所述多个第一pmos晶体管依次串联连接，所述多个第一pmos管用于形成预设大小的阻抗。

8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电容充电延迟模块包括多个第二pmos管依次串联连接，所述多个第二pmos管用于根据所述低电平信号输出所述基准电流对所述电容进行充电。

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述电容充电延迟模块还包括开关管、电容，所述开关管分别与所述多个pmos管和所述电容连接，所述开关管用于接收所述基准启动检测模块输出的低电平信号时断开，所述多个pmos管用于在所述开关管断开时输出所述基准电流对所述电容进行充电。

10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述复位信号输出模块包括施密特触发器，所述施密特触发器用于检测所述电容充电延迟模块的充电电压值，当所述充电电压值达到所述翻转电压阈值时，输出低电平信号。

11.根据权利要求10所述的电路，其特征在于，所述复位信号输出模块还包括第一反相器，所述施密特触发器的输出端与所述第一反相器的输入端连接，所述施密特触发器用于将所述低电平信号输入至所述第一反相器，所述第一反相器用于输出高电平信号。

12.根据权利要求11所述的电路，其特征在于，所述复位信号输出模块还包括第二反相器，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端连接，所述第一反相器用于将所述高电平信号输出至所述第二反相器，所述第二反相器用于输出低电平信号。

技术总结本发明实施例提供了一种上电复位电路，包括：基准电流生成模块、基准启动检测模块、电容充电延迟模块、复位信号输出模块；基准电流生成模块用于生成基准电流，将基准电流传输至电容充电延迟模块，并输出低电平信号至基准启动检测模块；基准启动检测模块用于根据低电平信号确定基准电流生成模块是否启动，当检测到基准电流生成模块启动时生成低电平信号并将低电平信号传输至电容充电延迟模块；电容充电延迟模块用于根据低电平信号启动对电容进行充电，当电容充电完成后输出充电电压值至复位信号输出模块；复位信号输出模块用于检测充电电压值，当充电电压值小于翻转电压阈值时，输出上电复位信号。技术研发人员：李才祥受保护的技术使用者：珠海格力电器股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/26