使用后侧涂层来调谐声学谐振器的制作方法

本公开涉及使用声波谐振器的射频滤波器，具体涉及用于通信设备的滤波器。

背景技术：

1、射频(rf)滤波器是双端口器件，该双端口器件被配置为使某些频率通过并阻止其他频率，其中，“通过”意味着以相对较低的信号损失进行传输，而“阻止”意味着阻挡或显著地衰减。滤波器所通过的频率范围被称为滤波器的“通带”。这种滤波器所阻止的频率范围被称为滤波器的“阻带”。典型的rf滤波器具有至少一个通带和至少一个阻带。对通带或阻带的具体要求可以取决于具体应用。例如，在一些情况下，“通带”可以被定义为滤波器的插入损失优于诸如1db、2db或3db之类的定义值的频率范围，而“阻带”可以被定义为滤波器的抑制大于诸如20db、30db、40db或更大值之类的定义值的频率范围，这取决于应用。

2、rf滤波器用于通过无线链路来传输信息的通信系统。例如，rf滤波器可以出现在蜂窝基站、移动电话和计算设备、卫星收发器和地面站、iot(物联网)设备、膝上型计算机和平板计算机、固定点无线电链路和其他通信系统的rf前端中。rf滤波器也用于雷达、电子和信息战系统。

3、无线系统中rf滤波器的性能增强可以对系统性能产生广泛影响。rf滤波器的改进可以用于提供系统性能改进，例如更大的单元尺寸、更长的电池寿命、更高的数据速率、更大的网络容量、更低的成本、增强的安全性、更高的可靠性等。这些改进可以在无线系统的多个级别(例如，在rf模块、rf收发器、移动或固定子系统、或网络级别)处单独和组合地实现。

技术实现思路

1、因此，根据示例性方面，提供了一种滤波器装置，该滤波器装置包括：基板；至少一个压电板，具有相对的第一表面和第二表面，并且附接到基板；导体图案，在至少一个压电板的第一表面处，并且包括多个谐振器各自的多个叉指换能器(idt)，每个叉指换能器在至少一个压电板的相应振膜处具有交错指状物，该振膜悬置在一个或多个空腔上方，其中，多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器；至少一个第一介电涂层，在idt的至少交错指状物上方以及至少一个压电板的第一表面上；以及至少一个第二介电涂层，在至少一个压电板的与第一表面相对的第二表面上。在该方面，并联谐振器的至少一个第二介电涂层的厚度比串联谐振器的至少一个第二介电涂层的厚度大。

2、此外，在示例性方面，并联谐振器的至少一个第二介电涂层的厚度被配置为使得并联谐振器的反谐振频率与串联谐振器的谐振频率大致相同。又此外，并联谐振器的至少一个第二介电涂层的厚度可以是串联谐振器的至少一个第二介电涂层厚度的约十倍。另外，第二介电涂层的厚度大于第一介电涂层的厚度。此外，至少一个第二介电涂层是均匀的，并且具有与至少一个压电板的第二表面平行的相对表面。

3、在另一示例性方面，提供了一种声学谐振器装置，该声学谐振器装置包括：具有表面的基板；压电板，除了压电板的形成跨越空腔的振膜的部分之外，附接到基板的表面；叉指换能器(idt)，在压电板的第一表面处，并且在振膜处具有交错指状物；第一介电涂层，在idt的至少交错指状物上方以及压电板的第一表面上；以及第二介电涂层，在压电板的与第一表面相对的第二表面上。此外，第二介电涂层的厚度大于第一介电涂层的厚度。另外，第二介电涂层是均匀的，并且具有与配置声学谐振器装置的谐振频率的压电板第二表面平行的相对表面。

4、在另一示例性方面，提供了一种制造滤波器装置的方法。在该方面，该方法包括：将具有相对的第一表面和第二表面的至少一个压电板附接到基板；形成导体图案，导体图案在至少一个压电板的第一表面处并且包括多个谐振器各自的多个叉指换能器(idt)，每个叉指换能器在至少一个压电板的相应振膜处具有交错指状物，该振膜悬置在一个或多个空腔上方，其中，多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器；在idt的至少交错指状物上方以及压电板的第一表面上沉积至少一个第一介电涂层；在压电板的与第一表面相对的第二表面上沉积至少一个第二介电涂层；以及修整至少一个第二介电涂层以调整并联谐振器和串联谐振器中的至少一个的谐振频率。

5、以上示例方面的简化概述用于提供对本公开的基本理解。该概述不是对所有设想的方面的广泛概述，并且既不旨在确定所有方面的关键或决定性要素，也不旨在划定本公开的任何或所有方面的范围。其唯一目的是以简化形式呈现一个或多个方面，作为随后对本公开的更详细描述的前言。

技术特征：

1.一种滤波器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，所述并联谐振器的所述至少一个第二介电涂层的厚度被配置为使得所述并联谐振器具有的反谐振频率与所述串联谐振器的谐振频率大致相同。

3.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，所述多个idt全部被配置为：响应于施加到每个idt的相应射频信号，在所述至少一个压电板中激发剪切声波。

4.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，所述基板中的所述一个或多个空腔是所述多个idt中的每个idt的相应空腔。

5.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，所述至少一个压电板是z切铌酸锂压电板。

6.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，所述基板包括基底和中间介电层，并且所述一个或多个空腔在所述中间介电层中延伸。

7.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，所述至少一个压电板的第一表面附接到所述基板，使得所述导体图案面对所述一个或多个空腔。

8.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，所述至少一个第一介电涂层在所述idt的交错指状物和所述至少一个压电板的第一表面上方被平坦化。

9.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，所述并联谐振器的所述至少一个第二介电涂层的厚度是所述串联谐振器的所述至少一个第二介电涂层的厚度的约十倍。

10.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，所述至少一个第二介电涂层是均匀的，并且具有与所述至少一个压电板的第二表面平行的相对表面。

11.一种声学谐振器装置，包括：

12.根据权利要求11所述的声学谐振器装置，其中，所述idt被配置为：响应于施加到每个idt的相应射频信号，在所述压电板中激发剪切声波。

13.根据权利要求11所述的声学谐振器装置，其中，所述压电板是z切铌酸锂压电板。

14.根据权利要求11所述的声学谐振器装置，其中，所述基板包括基底和中间介电层，并且所述空腔在所述中间介电层中延伸。

15.根据权利要求11所述的声学谐振器装置，其中，所述压电板的第一表面附接到所述基板，使得所述idt面对所述空腔。

16.根据权利要求11所述的声学谐振器装置，其中，所述第一介电涂层在所述idt的交错指状物和所述压电板的第一表面上方被平坦化。

17.一种制造滤波器装置的方法，所述方法包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述至少一个第二介电涂层被修整为使得所述并联谐振器比所述串联谐振器的所述至少一个第二介电涂层的厚度大。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述并联谐振器的所述至少一个第二介电涂层的厚度被配置为使得所述并联谐振器的反谐振频率与所述串联谐振器的谐振频率大致相同。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述并联谐振器的所述至少一个第二介电涂层的厚度是所述串联谐振器的所述至少一个第二介电涂层厚度的约十倍。

技术总结提供了一种滤波器装置，该滤波器装置包括基板和附接到该基板的压电板。导体图案(638a、638b、738a、738b)形成在压电板的第一表面上，并且包括串联谐振器和并联谐振器的叉指换能器，每个叉指换能器在悬置板的相应振膜处具有交错指状物。第一介电涂层(612、712)形成在IDT的交错指状物上方以及压电板的第一表面上；以及第二介电涂层(614、714)形成在压电板的与第一表面相对的第二表面上。并联谐振器的第二介电涂层(714)的厚度(tbd7)比串联谐振器的至少一个第二介电涂层(614)的厚度(tbd6)大。技术研发人员：肖恩·麦克休受保护的技术使用者：株式会社村田制作所技术研发日：技术公布日：2024/9/29