部件承载件及其制造方法以及部件承载件装置与流程

本发明涉及一种具有叠置件的部件承载件，该叠置件包括至少三个电传导层结构，其中，第一线宽线距和第二线宽线距大于第三线宽线距。此外，本发明涉及一种制造所述部件承载件的方法。因此，本发明可以涉及例如印刷电路板或集成电路(integrated circuit，ic)基板的部件承载件及其制造的。

背景技术：

1、在配备有一个或更多个电子部件的部件承载件的产品功能不断增加、这样的电子部件日益小型化以及安装在部件承载件诸如印刷电路板上的电子部件的数量不断增加的情况下，具有多个电子部件的越来越强大的阵列式部件或封装件被采用，这些部件或封装件具有多个接触件或连接件，这些接触件之间的间隔越来越小。在操作期间，移除由这些电子部件和部件承载件本身产生的热成为越来越大的问题。此外，对电磁干扰(electromagnetic interference，emi)的有效保护也成为越来越大的问题。同时，部件承载件应在机械上鲁棒，并且在电气和磁性上可靠，以便即使在恶劣条件下也能操作。

2、具体地，在当前技术下提供具有高密度图案金属迹线的部件承载件可以被认为是具有挑战的。用于对高密度图案进行量化的一般参数可以是线宽线距(line spacing，l/s)，即金属迹线的宽度与两条金属迹线之间的介电材料部分的空间的比较。线宽线距越小，金属走线图案的密度会越高。在一个示例中，在技术上可以有利地是具有12/12μm或更低的l/s，例如，关于小型化和(信号)传输质量。

3、尽管小型化(同时保持信号传输质量恒定)是部件承载件制造的重要趋势，但在部件承载件中提供高密度图案时仍可能存在缺陷，特别是关于互连。

4、图2示出了传统电路板200的示例。第一金属迹线210a布置在介电层202的顶部，而第二金属迹线210b嵌入在介电层202的底部。第一金属迹线210a和第二金属迹线210b通过过孔230互连。然而，为了实现金属迹线的电互连，只有应用大的线宽线距比(例如大于15/15μm)。

技术实现思路

1、需要以可靠且经济的方式提供具有高密度图案和电互连的部件承载件。

2、描述了一种部件承载件、部件承载件装置和制造方法。

3、根据本发明的一个方面，描述了一种部件承载件，该部件承载件包括叠置件，该叠置件具有：

4、i)至少两个电绝缘层结构(两个电绝缘层结构可以是分离的或互连的)，ii)第一电传导层结构(例如金属迹线)以及至少一个第二电传导层结构，该第一电传导层结构包括第一线宽线距，第二电传导层结构包括第二线宽线距，第一电传导层结构以及至少一个第二电传导层结构分别嵌入在至少两个电绝缘层结构中的一个电绝缘层结构中和/或设置在至少两个电绝缘层结构中的一个电绝缘层结构上，

5、iii)至少一个第三电传导层结构，所述第三电传导层结构包括第三线宽线距，所述第三电传导层结构设置在至少两个所述电绝缘层结构中的一个电绝缘层结构上和/或设置在至少两个所述电绝缘层结构中的一个电绝缘层结构中，

6、其中，所述第一线宽线距和所述第二线宽线距大于所述第三线宽线距，其中，第三电传导层结构在叠置件的叠置方向(z)上(叠置方向可以特别地垂直于叠置件主表面(主要延伸方向)和/或平行于叠置件厚度方向))布置在(夹置在)第一电传导层结构与第二电传导层结构之间，以及

7、iv)电传导连接件(例如过孔)，该电传导连接件在叠置方向(z)上将第一电传导层结构与第二电传导层结构电连接，

8、其中，电传导连接件在连接层结构(例如垫)处贯穿第三电传导层结构。

9、根据本发明的另一方面，描述了一种部件承载件装置，该部件承载件装置包括：

10、i)部件承载件(特别是如上所述的部件承载件)，以及

11、ii)布置在所述部件承载件上和/或布置在所述部件承载件中的部件，特别地，所述部件为电子部件或另外的部件承载件(例如母板)，。

12、根据本发明的另一方面，描述了一种制造部件承载件的方法，该方法包括：

13、i)形成至少一个电绝缘层结构，

14、ii)在电绝缘层结构中和/或在电绝缘层结构上形成第一电传导层结构，第一电传导层结构包括第一线宽线距，

15、iii)沿叠置方向(z)在第一电传导层结构上形成第三电传导层结构，所述第三电传导层结构包括第三线宽线距，

16、iv)形成连接层结构，

17、v)沿叠置方向(z)在第三电传导层结构上形成第二电传导层结构，所述第二电传导层结构包括第二线宽线距，

18、其中，第一线宽线距和第二线宽线距大于第三线宽线距；以及

19、vi)形成电传导连接件，从而在叠置方向(z)上将第一电传导层结构与第二电传导层结构电连接，使得连接层结构布置在电传导连接件贯穿第三电传导层结构的位置处。

20、在本文件的上下文中，术语“电传导层结构”可以特别地指包括金属，特别是铜的迹线。特别地，金属迹线可以被构造为长形的(优选地在水平方向上)电传导结构，该电传导结构可以用于信号传输，特别是高频信号和/或高速信号。附加地或备选地，金属迹线可以传导电流，特别是1pa-1000a范围内的电流。此外，具有粗糙表面的金属迹线可以与介电材料建立粘附，从而增强部件承载件的稳定性。具有至少一个光滑表面的金属迹线可以提供更高速度的信号传输。金属迹线可以具有例如长形迹线、环形圈的形状或者可以被构造为垫或块。金属迹线的侧壁可以是直的或倾斜/弯曲的。

21、在本上下文中，术语“线宽线距(line spacing)(l/s)”可以特别地指可以用于量化电传导层结构图案的密度的参数。高的l/s比可以表示低的密度图案，而低的l/s比(例如12μm/12μm或更小、5/5μm或更小、3/3μm或更小)可以表示高的密度图案。在评估l/s比时，可以在俯视图或截面图中观察部件承载件，金属迹线可以被视为线，而线之间的介电部件承载件材料可以被视为间隔件。一般来说，线的长度和间隔件的长度是相等的。然而，也有一些示例，其中l和s不相等，但其中一个比另一个大，例如，在基板技术中，9/12或14/17。

22、在本文件的上下文中，术语“部件承载件”可以特别地表示能够在其上和/或其中容纳一个或更多个部件以提供机械支撑和/或电连接和/或导热性的任何支撑结构。换言之，部件承载件可以被构造为用于部件的机械和/或电子和/或热的承载件。特别地，部件承载件可以是下述各者中的一者：印刷电路板、有机中介层、金属芯基板、无机基板和集成电路(integrated circuit，ic)基板。部件承载件还可以是结合了上述类型的部件承载件中的不同类型的部件承载件的混合板。

23、在本上下文中，术语“部件承载件”可以指最终部件承载件产品以及部件承载件预成形件(即，生产中的部件承载件，换言之，半成品)。在一个示例中，部件承载件预成形件可以是包括一起制造的多个半成品部件承载件的面板。在最后阶段，面板可以被分成多个最终部件承载件产品。

24、在本文件的上下文中，术语“电传导连接件”可以特别地指将至少两个电传导层结构互连的结构。在优选示例中，电传导连接件可以被构造为竖向贯通连接件，例如过孔。因此，过孔可以完全或部分地填充有电传导材料(例如铜)。在后一种情况下，只有电传导连接件的侧壁可以是电传导的，例如镀覆的通孔。在一个示例中，电传导连接件被构造为在叠置件厚度方向上以恒定直径延伸的整体(圆形或矩形)柱。电传导连接件可以沿着直线(线性的、不间断的方向)延伸，或者电传导连接件可以包括弯曲的形状。在一个示例中，电传导连接件被构造为附接在部件承载件和/或部件的表面上的凸块，作为部件承载件和部件之间的互连结构。

25、在本文件的上下文中，术语“连接层结构”可以特别地指在一位置/区域处形成的电传导层结构的一部分，其中(竖向取向的)电传导连接件结构贯穿第三电传导层结构/第四电传导层结构(具有细的线宽线距)。连接层结构因此可以用作垫，特别是可以实现到/通过第三电传导层结构/第四电传导层结构的有效且稳固的连接的垫。在具体示例中，连接层结构可以包括10μm或更小、特别是5μm或更小的垂直于叠置方向的延伸。优选地，连接层结构可以具有与第三电传导层结构/第四电传导层结构相似或相同的厚度(在叠置件厚度方向上)。

26、根据示例性实施方式，本发明可以基于这样的构思，即当具有不同线宽线距的电传导层结构在同一部件承载件叠置件中形成(竖向)互连时，可以以可靠且经济的方式提供具有高密度图案的部件承载件，从而使得所述互连穿过垫状连接层结构处的细的线宽线距层结构。

27、由于具有细的线宽线距(和高密度)的层结构可能不太稳固(特别是关于钻孔工艺)，互连(贯穿)这样的层结构可能是一个挑战，并且可能需要很多成本去实现它。然而，发明人已经发现，当在互连过孔和细的线宽线距层结构之间的界面处形成垫状连接层结构时，可以以特别有效且可靠的方式实现这种互连。

28、在所描述的方式中，在同一层叠置件内，可以以经济且直接的方式实现不同的功能。可以使用具有更高密度的迹线例如用于其中更精细的图案可能是有利的信号传输，而具有较低密度的迹线可以仅用于例如电流传输。

29、示例性实施方式

30、根据一个实施方式，第一电传导层结构、第三电传导层结构和第二电传导层结构沿着叠置件的竖向高度(z)彼此上下布置(特别地，所述第一电传导层结构、所述第三电传导层结构和所述第二电传导层结构平行地布置)。

31、这可以提供这样的优点：可以仅为特定层提供高密度图案，在该特定层可能特别需要这种功能。这些高密度层可以被夹置在具有大线宽线距的各层之间。平行的架构能够使各层之间的贯通连接件高效而稳固。在一个示例中，部件承载件可以包括布置在不同竖向高度的多个电传导迹线，其中这些迹线用于不同的目的。细迹线可以传输高速和/或高频信号。

32、根据另外的实施方式，第三电传导层结构的厚度小于第一电传导层结构和第二电传导层结构的厚度。

33、不同的高度(沿着z方向)可以反映不同的制造方法和/或不同的金属层(在形成迹线之前)厚度。因此，不仅迹线的密度(线宽线距)(在不同的竖向高度)可以不同，而且电传导层结构的高度也可以不同。这可以提供这样的优点：可以在部件承载件的不同高度处以容易的方式实现不同功能。

34、根据另外的实施方式，第一线宽线距和/或第二线宽线距为12μm/12μm或更小，特别地第一线宽线距和/或第二线宽线距为10μm/10μm或更小，更特别地第一线宽线距和/或第二线宽线距为8μm/8μm或更小。根据另外的实施方式，第一线宽线距和/或第二线宽线距为5μm/5μm或更大，特别地第一线宽线距和/或第二线宽线距为8μm/8μm或更大，更特别地第一线宽线距和/或第二线宽线距为10μm或更大。根据另外的实施方式，第三线宽线距为5μm/5μm或更小，特别地第三线宽线距为3μm/3μm或更小，更特别地第三线宽线距为2μm/2μm或更小。根据所期望的应用，小的线宽线距可以实现特别高密度的图案以及小型化，特别是部件承载件或甚至是高密度图案的小型化和整个ic封装件的小型化。

35、根据另外的实施方式，电传导连接件的垂直于叠置方向(z)的最大延伸为40μm或更小，特别地是10μm或更小(5μm或更小)。过孔的这种小延伸可以进一步有助于高密度架构和小型化，同时仍然可以实现高效互连。

36、根据另外的实施方式，部件承载件还包括第四电传导层结构，该第四电传导层结构包括第四线宽线距，特别是第四线宽线距与第三线宽线距相当或相等。在一个示例中，第四电传导层结构在叠置方向(z)上布置在第一电传导层结构/第二电传导层结构上方或下方。在另外的示例中，第四电传导层结构布置在第一电传导层结构和第二电传导层结构之间。

37、这可以提供这样的优点：可以以设计灵活的方式应用高密度图案层结构(迹线)。在一个示例中，具有较小线宽线距的两个或更多个层结构(例如第三电传导层结构/第四电传导层结构)可以被夹置在具有较大线宽线距的两个或更多个层结构(例如第一电传导层结构/第二电传导层结构)之间。在另一示例中，具有较大线宽线距的两个或更多个层结构(例如第一电传导层结构/第二电传导层结构)可以被夹置在具有较小线宽线距的两个或更多个层结构(例如第三电传导层结构/第四电传导层结构)之间。

38、在一个示例中，第一线宽线距和第二线宽线距大于第四线宽线距，并且第三线宽线距不同于(小于或大于)第四线宽线距。

39、根据另外的实施方式，电传导连接件在另外的连接层结构处延伸穿过第四电传导层结构。在该示例中，具有细线宽线距的两个或更多个层结构可以被夹置在具有大线宽线距的层结构之间。具有细线宽线距的层结构中的每一个可以包括连接层结构，电传导连接件(垂直地)延伸穿过该连接层结构。这可以提供这样的优点：可以对具有不同特性的多个电传导层结构进行有效地互连。因此，可以显著增加设计灵活性。

40、根据另外的实施方式，电传导连接件的垂直于叠置方向(z)的最大延伸不同于(特别是小于或大于)连接层结构的最大延伸。这可以提供这样的优点：连接层可以用作电传导连接件的稳固的稳定部。在电传导连接件是渐变的过孔(例如激光过孔)的情况下，电传导连接件可以包括垂直于叠置方向的多个延伸。在具体示例中，电传导连接件的最大水平延伸(沿x)可以大于(或等于)连接层结构的水平延伸。在另一示例中，电传导连接件是(基本上)直的过孔；例如，当介电材料是可光成像膜时，过孔将通过曝光形成。在这种情况下，过孔的渐变会非常小，或者会有直的侧壁。

41、根据另外的实施方式，部件承载件还包括种子层(特别是包括钛和/或铜)。这可以提供这样的优点：可以使用已建立的技术用镀覆有效地填充孔(预过孔)。

42、根据另外的实施方式，种子层布置在电传导连接件的至少一个侧壁处和/或底部处。

43、根据另外的实施方式，种子层布置在第一电传导层结构和/或第二电传导层结构的底部。

44、根据另外的实施方式，种子层布置在第二电传导层结构和/或第四电传导层结构的底部。根据另外的实施方式，种子层布置在第三电传导层结构和/或第四电传导层结构的至少一个侧壁处。

45、以这种方式，种子层(例如通过溅射或非电镀覆提供)可以有效地覆盖所需的区域以对过孔进行填充。特别地，在种子层包含钛的情况下，特别是为了提高种子层与介电层之间的粘附(以避免过孔开裂或分层)，在过孔填充之后可以容易地检测到种子层。

46、根据另外的实施方式，电传导连接件的竖向延伸包括位于连接层结构的竖向高度(z)处的底切部。这种底切部可以反映制造过程中的蚀刻步骤(参见例如图8a至图8g，第二种方法)。在一个示例中，种子层包括位于连接层结构的竖向高度处的所述底切部。因此，在过孔填充之后，可以基于种子层的存在而能够检测到底切部。

47、在本文件的上下文中，术语“底切部”可以特别地指电传导连接件的竖向延伸的中断或过蚀刻，从而在该竖向延伸的中间竖向位置上提供水平或倾斜表面。

48、根据另外的实施方式，电传导连接件包括直接位于连接层结构的竖向高度(z)上方的台阶部，特别地，该台阶部是水平台阶部。这样的台阶部可以反映特定的(“保形”)制造过程(参见例如图8a至图8g，第三种方法)，该方法应用两个单独的钻孔步骤和第三电传导层结构的预钻孔。在该实施方式中，电传导连接件的(在连接层结构之上的)上部可以比电传导连接件的(在连接层结构之下的)下部更宽(在垂直于叠置方向的水平(x)方向上更大的延伸)。这可以带来这样的优点：节省部件承载件内部空间，尤其是节省在部件承载件的下部的空间，这可以用于部件承载件的不同组成部分，同时仍然确保高度可靠的电传导连接件。

49、在一个实施方式中，种子层包括所述台阶部。因此，在过孔填充之后，可以基于种子层的存在而能够检测到台阶部。这可以带来这样的优点：扩大种子层和过孔的电传导材料之间的表面积，从而确保各部分之间的良好连接。

50、根据另外的实施方式，部件承载件还包括再分布结构，特别地，其中电传导连接件直接地连接到再分布层结构。这可以提供这样的优点：互连可以经由再分配结构直接连接到另外的部件(承载件)。

51、在本文件的上下文中，术语“再分布(层)结构”可以特别地指一种电传导结构，该电传导结构被设计成将第一表面处的小电接触件转化为第二表面处的大电接触件，特别地其中，第一和第二表面布置成彼此相对。在一个示例中，再分布层结构包括多个竖向结构(过孔)和水平结构(垫、迹线)以将第一电接触件(即ic的端子)的尺寸扩大到第二电接触件的规模(即要安装在较大的部件承载件实体上的焊料球)。在一个示例中，再分布层结构延伸穿过ic基板。

52、根据另外的实施方式的部件承载件装置，部件包括电子部件(例如有源或无源)或另外的部件承载件，例如母板、临时承载件、基板等。

53、根据另外的实施方式的部件承载件装置，该装置是无芯的和/或没有中介层的。这可以实现薄(但稳定)的设计，从而实现进一步的小型化(尤其是在z方向)。

54、根据另外的实施方式的方法，形成电传导连接件包括：形成穿过第三电传导层结构且向下延伸至第一电传导层结构的孔(特别是然后提供种子层)，特别是使用激光形成穿过第三电传导层结构且向下延伸至第一电传导层结构的孔。该方法进一步可以包括：使用电传导材料至少部分地(特别是完全地)填充该孔。该方法的具体示例被描述为图8a至图8g的第一种方法。在一个示例中，可以穿过多个细线宽线距层结构完成钻孔。

55、这可以提供这样的优点：可以使用已建立的技术以直接的方式提供电传导互连。

56、根据另外的实施方式的方法，形成电传导连接件包括：

57、i)形成向下延伸至第三电传导层结构的孔，特别是使用激光形成向下延伸至第三电传导层结构的孔，

58、ii)进行蚀刻步骤，以孔的底部处去除第三电传导层结构的一部分(或氧化层)，从而在孔的侧壁处产生底切部，以及

59、iii)进一步形成向下延伸至第一电传导层结构的孔(特别是然后提供种子层)，特别是使用激光进一步形成向下延伸至第一电传导层结构的孔。

60、在一个示例中，该方法还包括使用电传导材料至少部分地填充该孔。该方法的具体示例被描述为图8a至图8g的第二种方法。可以在叠置件中形成具有相应底切部的多个层结构。换句话说，在两个孔形成(钻孔)步骤之间应用蚀刻步骤(该蚀刻步骤产生底切部)。

61、这可以提供这样的优点：可以提供特别有效的制造，避免钻穿细线宽线距层结构。由于所述层结构的高密度，钻孔过程可能对高密度层结构具有挑战性甚至破坏性。

62、根据另外的实施方式的方法，形成电传导连接件包括：

63、i)去除第三电传导层结构的一部分，然后，

64、ii)将第三电传导层结构嵌入一个电绝缘层结构中，

65、iii)在电绝缘层结构上形成向下延伸至第一电传导层结构的孔，特别是使用激光在电绝缘层结构上形成向下延伸至第一电传导层结构的孔，从而在所述电绝缘层结构与第三电传导层结构之间产生台阶部(台阶状结构)(特别是然后提供种子层)。

66、在一个示例中，该方法还包括使用电传导材料至少部分地填充该孔。该方法的具体示例被描述为图8a至图8g的第三种方法。

67、这可以提供这样的优点：可以提供特别有效的制造，从而避免钻穿细线宽线距层结构以及钻穿介电层。由于所述层结构的高密度，钻孔过程可能对高密度层结构具有挑战性甚至破坏性。因此，当所述层结构仍然暴露时，可以用单独的工艺形成穿过细线宽线距层结构的孔。使用这种方法，电传导连接件的上部可以比电传导连接件的的下部更宽。在此过程中，在连接层结构的上部与下部之间可以产生台阶状结构。

68、根据另外的实施方式的方法，形成第一电传导层结构和/或第二电传导层结构以及/或者形成第三电传导层结构包括减成工艺和/或半加成工艺(semiadditive process，sap)和/或改进的半加成工艺(modified semi-additive process，msap)。这可以提供这样的优点：可以直接应用已建立的且有效的技术。

69、在一个实施方式中，部件承载件被构造为由印刷电路板、基板(特别是ic基板)和中介层组成的组中的一个。

70、在一个实施方式中，部件承载件被成形为板。这有助于紧凑的设计和大规模生产，其中部件承载件仍然为在其上安装部件提供了大的基础。此外，特别是作为例如嵌入式电子部件的裸晶片，由于其厚度小，可以方便地嵌入到诸如印刷电路板的薄板中。

71、在一个实施方式中，部件承载件叠置件包括至少一个电绝缘层结构和至少一个电传导层结构。例如，部件承载件可以是所提到的一个或更多个电绝缘层结构和一个或更多个电传导层结构的层压件，特别是通过施加机械压力和/或热能而形成的所提到的一个或更多个电绝缘层结构和一个或更多个电传导层结构的层压件。所提到的叠置件可以提供板状部件承载件，该板状部件承载件能够为其他部件提供大的安装表面并且仍然是非常薄且紧凑的。

72、在本技术的上下文中，术语“印刷电路板”(pcb)可以特别地表示例如通过施加压力和/或供给热能而将多个电传导层结构与多个电绝缘层结构进行层压而形成的板状部件承载件。作为用于pcb技术的优选材料，电传导层结构由铜制成，而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维、所谓的预浸料、或fr4材料。通过例如以激光钻孔或机械钻孔的方式形成穿过层压件的孔并且通过用电传导材料(特别是铜)对这些孔进行部分地或完全地填充从而形成过孔或任何其他通孔连接件，各个电传导层结构可以以期望的方式彼此连接。经填充的孔将整个叠置件连接(延伸穿过多个层或整个叠置件的通孔连接件)，或者经填充的孔将至少两个电传导层连接，该经填充的孔为所谓的过孔。类似地，光学互连部可以穿过叠置件的各个层而形成以接纳电光电路板(electro-optical circuit boar，eocb)。除了可能被嵌入印刷电路板中的一个或更多个部件之外，印刷电路板通常被构造为将一个或更多个部件容置在板状印刷电路板的一个表面或相反的两个表面上。该一个或更多个部件可以通过焊接而连接至相应的主表面。pcb的介电部分可以包括具有增强纤维(例如，玻璃纤维)的树脂。

73、在本技术的上下文中，术语“基板”可以特别地表示小的部件承载件。相对于pcb而言，基板可以是相对较小的部件承载件，该部件承载件上可以安装一个或更多个部件并且该部件承载件可以用作一个或更多个芯片与另外的pcb之间的连接介质。例如，基板可以具有与待安装在该基板上的部件(特别是，电子部件)大致相同的尺寸(例如，在芯片级封装(chip scale package，csp)的情况下)。在另一实施方式中，基板可以显著地大于所分配的部件(例如，在倒装芯片球栅阵列(flip chip ball grid array，fcbga)配置中。更具体地，基板可以理解为这样的承载件：用于电连接件或电网的承载件、以及与印刷电路板(pcb)相当但具有相当高密度的横向和/或竖向布置的连接件的部件承载件。横向连接件例如是传导路径，而竖向连接件可以是例如钻孔。这些横向连接件和/或竖向连接件布置在基板内并且可以用于提供已容置部件或未容置部件(例如，裸晶片)、特别是ic芯片与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接、热连接和/或机械连接。因此，术语“基板”还包括“ic基板”。基板的介电部分可以包括具有增强颗粒(例如，增强球状件，特别是玻璃球状件)的树脂。

74、基板或中介层可以包括以下各者中的至少一者的层或由以下各者中的至少一者的层构成：玻璃；硅(si)和/或可光成像的或可干蚀刻的有机材料、如环氧基堆叠材料(诸如，环氧基堆叠膜)；或者聚合物化合物(聚合物化合物可以包括或可以不包括光敏和/或热敏分子)、如聚酰亚胺或聚苯并恶唑。

75、在实施方式中，该至少一个电绝缘层结构包括以下各者中的至少一者：树脂或聚合物，诸如环氧树脂、氰酸酯树脂、苯并环丁烯树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂；聚亚苯基衍生物(例如，基于聚苯醚，ppe)、聚酰亚胺(pi)、聚酰胺(pa)、液晶聚合物(lcp)、聚四氟乙烯(ptfe)和/或它们的组合。也可以使用例如由玻璃(多层玻璃)制成的增强结构——诸如网状物、纤维、球状件或其他种类的填充物颗粒——以形成复合物。与增强剂结合的半固化树脂、例如用上述树脂浸渍的纤维被称为预浸料。这些预浸料通常是以它们的性能命名的，例如fr4或fr5，这些预浸料的性能描述了其阻燃性能。尽管预浸料特别是fr4对于刚性pcb而言通常是优选的，但是也可以使用其他材料特别是环氧基堆叠材料(例如，堆叠膜)或可光成像介电材料。对于高频应用，高频材料、例如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂可以是优选的。除了这些聚合物以外，低温共烧陶瓷(low temperature cofired ceramics，ltcc)或其他低的、非常低的或超低的dk材料可以作为电绝缘结构而应用在部件承载件中。

76、在实施方式中，所述至少一个电传导层结构包括以下各者中的至少一者：铜、铝、镍、银、金、钯、钨、镁、碳、(特别是掺杂的)硅、钛和铂。尽管铜通常是优选的，但是也是可以是其他材料或其涂覆变型、特别是涂覆有超导材料或传导性聚合物的变型，超导材料或传导性聚合物分别例如为石墨烯或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(pedot)。

77、至少一个另外的部件可以嵌入叠置件中和/或可以表面安装在叠置件上。该部件和/或至少一个另外的部件可以选自下述各者：非电传导嵌体、电传导嵌体(例如，金属嵌体，优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如，热管)、光引导元件(例如，光波导或光导体连接件)、电子部件或其组合。嵌体可以是例如带有或不带有绝缘材料涂层的金属块(ims-嵌体)，该金属块可以嵌入或表面安装以用于促进散热的目的。合适的材料是根据材料的热导率限定的，热导率应当为至少2w/mk。这种材料通常是基于但不限于金属、金属氧化物和/或陶瓷，例如为铜、氧化铝(al2o3)或氮化铝(aln)。为了提高热交换能力，也经常使用具有增加的表面面积的其他几何形状。此外，部件可以是：有源电子部件(实现了至少一个pn结)、无源电子部件例如电阻器、电感器或电容器、电子芯片、存储装置(例如dram或其他数据存储器)、滤波器、集成电路(例如现场可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)、可编程阵列逻辑(programmable array logic，pal)、通用阵列逻辑(generic arraylogic，gal)和复杂可编程逻辑器件(complex programmable logic device，cpld))、信号处理部件、电源管理部件(例如场效应晶体管(field-effect transistor，fet)、金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)、互补金属氧化物半导体(complementary metal–oxide–semiconductor，cmos)、结型场效应晶体管(junction field-effect transistor，jfet)、或绝缘栅场效应晶体管(insulated-gate field-effect transistor，igfet)，以上均基于诸如碳化硅(sic)、砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)、氧化镓(ga2o3)、砷化铟镓(ingaas)、磷化铟(inp)的半导体材料和/或任何其他合适的无机化合物)、光电接口元件、发光二极管、光耦接器、电压转换器(例如，dc/dc转换器或ac/dc转换器)、密码部件、发送器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(mems)、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、相机、天线、逻辑芯片和能量收集单元。然而，其他部件也可以嵌入到部件承载件中。例如，磁性元件可以用作部件。这种磁性元件可以是永磁性元件(例如，铁磁性元件、反铁磁性元件、多铁性元件或亚铁磁性元件，例如铁氧体芯)，或者这种磁性元件可以是顺磁性元件。然而，该部件还可以是例如呈板中板构型的ic基板、中介层或另外的部件承载件。部件可以表面安装在部件承载件上和/或可以嵌入部件承载件的内部中。此外，还可以使用其他部件、特别是使用那些产生和发射电磁辐射和/或对从环境传播的电磁辐射敏感的部件来作为部件。

78、在一种实施方式中，部件承载件是层压式部件承载件。在这样的实施方式中，部件承载件是通过施加压力和/或热而被叠置并连接在一起的多层结构的复合物。

79、在对部件承载件的内部层结构进行处理之后，可以用一个或更多个另外的电绝缘层结构和/或电传导层结构对称地或不对称地覆盖(特别是通过层压)经处理的层结构的一个主表面或相反的两个主表面。换句话说，可以持续堆叠，直到获得期望的层数为止。

80、在完成电绝缘层结构和电传导层结构的叠置件的形成之后，可以对所获得的层结构或部件承载件进行表面处理。

81、特别地，在表面处理方面，可以将电绝缘的阻焊剂施加至层叠置件或部件承载件的一个主表面或相反的两个主表面。例如，可以在整个主表面上形成这种阻焊剂并且随后对阻焊剂的层进行图形化，以使一个或更多个电传导表面部分暴露，所述一个或更多个电传导表面部分用于将部件承载件电耦合至电子外围件。部件承载件的用阻焊剂保持覆盖的表面部分、特别是含铜的表面部分可以被有效地保护以免受氧化或腐蚀。

82、在表面处理方面，还可以将表面处理部选择性地施加至部件承载件的暴露的电传导表面部分。这种表面处理部可以是部件承载件的表面上的暴露的电传导层结构(诸如垫、传导迹线等，特别地包括铜或由铜构成)上的电传导覆盖材料。如果不对这种暴露的电传导层结构进行保护，则暴露的电传导部件承载件材料(特别是铜)会被氧化，从而导致部件承载件可靠性较低。表面处理部则可以形成为例如表面安装部件与部件承载件之间的接合部。表面处理部具有保护暴露的电传导层结构(特别是铜电路)的功能，并且表面处理部例如通过焊接而实现与一个或更多个部件的接合过程。用于表面处理部的合适材料的示例是有机可焊性保护剂(organic solderability preservative，osp)、非电镀镍浸金(electroless nickel immersion gold，enig)、非电镀镍浸钯浸金(electroless nickelimmersion palladium immersion gold，enipig)、化学镀镍化学钯浸金(electrolessnickel electroless palladium immersion gold，enepig)，金(特别是硬金)、化学锡(化学和电镀)、镍金、镍钯等。也可以使用用于表面处理的无镍材料，特别是用于高速应用。实例是浸银浸金(immersion silver immersion gold，isig)和非电钯自催化金(electroless palladium autocatalytic gold，epag)。

83、本发明的以上限定的方面和另外的方面通过将在下文中描述的实施方式的示例变得明显并且参照这些实施方式的示例进行说明。