测量装置、曝光装置、物品的制造方法以及测量方法与流程

本发明涉及为了得到与光学元件的透射率或反射率相关的信息的测量装置、曝光装置、物品的制造方法以及测量方法。

背景技术：

1、作为在平板显示器、半导体器件的制造工序(光刻工序)中使用的装置之一，存在将由照明光学系统照明的原版的图案经由投影光学系统投影到基板上而对该基板进行曝光的曝光装置。已知在曝光装置中使用的基板涂布有抗蚀剂，通过抗蚀剂被曝光，从而从抗蚀剂产生污染物质。已知该污染物质通过与周围的气氛中的酸、碱、有机等杂质、搭载于曝光装置的光学系统的光学元件的膜的酸、碱、有机等杂质反应，使位于基板周边的光学元件模糊。特别是，配置于投影光学系统的最下端的光学元件配置于基板正上方，因此容易模糊。

2、在日本特开2017-72734号公报中记载了一种曝光装置，能够判定以隔着投影光学系统的光瞳面的方式配置的、其表面的周边区域比中央区域难以被污染的2个光学元件中的任一者或两者是否被污染。该曝光装置具备测量投影光学系统的光瞳面中的强度分布的测量器，在该测量器配置于从投影光学系统的光轴离开的位置的状态下，测量投影光学系统的光瞳面中的光强度分布。然后，通过将测量出的光强度分布的重心位置与基准位置进行比较，判定隔着投影光学系统的光瞳面而配置的2个光学元件的某一者或两者是否被污染。

3、在日本特开2017-72734号公报所记载的曝光装置中，以光学元件的表面的周边区域比中央区域难以被污染为前提来判定污染。然而，实际上根据污染源相对于光学元件的位置、周围的气体的流动，光学元件的表面中的容易被污染的区域发生各种变化。在该情况下，仅通过将测定出的光瞳面的强度分布的重心位置与基准位置进行比较，难以确定被污染的光学元件。并且，仅根据所测定的光瞳面的强度分布的重心位置，无法判定光学元件的被污染的区域的大小、位置这样的污染状态的分布。因此，为了确认污染状态的分布，需要将光学元件从曝光装置卸下来进行确认，存在无法迅速地进行光学元件的污染的原因阐明以及针对污染的应对的问题。

技术实现思路

1、作为解决上述课题的本发明的一方面的测量装置的特征在于，具有：测量部，测量从投影物体的像的光学系统入射到所述光学系统的像面的光的角度分布；以及处理部，使用所述测量部的测量结果，求出与所述光学系统的光学元件的透射率或反射率相关的信息，其中，所述测量部测量入射到所述光学系统的像面上的第1位置和与所述第1位置不同的第2位置的各个光，所述处理部基于所述测量部的测量结果中的、入射到所述第1位置的光和入射到所述第2位置的光在所述光学元件中入射的共同区域中的光强度分布，求出所述信息。

2、本发明的进一步特征将根据以下对示例性实施例(参考附图)的描述变得显而易见。

技术特征：

1.一种测量装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，

6.一种曝光装置，对基板进行曝光，其特征在于，具有：

7.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，

9.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，

10.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，

11.一种物品的制造方法，其特征在于，具有：

12.一种测量方法，其中，该测量方法具有如下工序：

技术总结本发明涉及测量装置、曝光装置、物品的制造方法以及测量方法。在投影物体的像的光学系统的像面中的第1位置和第2位置分别测量从光学系统入射到光学系统的像面的光的角度分布，使用测量出的角度分布，基于入射到第1位置的光和入射到第2位置的光在光学系统的光学元件中入射的共同区域中的光强度分布，求出与光学元件的透射率相关的信息。技术研发人员：箕田贤,本间将人受保护的技术使用者：佳能株式会社技术研发日：技术公布日：2024/10/10