多层电子组件的制作方法

本公开涉及一种多层电子组件。

背景技术：

1、多层陶瓷电容器(mlcc，一种多层电子组件)可以是安装在各种类型的电子产品(诸如，图像显示装置(包括液晶显示器(lcd)或等离子显示面板(pdp))、计算机、智能手机或移动电话)中的任意一种电子产品的印刷电路板上并且用于在其中充电或从其放电的片式电容器。

2、多层陶瓷电容器具有小尺寸，实现高电容，并且易于安装，因此可用作各种电子装置的组件。随着各种电子装置(诸如，计算机、移动装置等)具有减小的尺寸和更高的输出，对具有减小的尺寸和更高的电容的多层陶瓷电容器的需求不断增加。

3、通常，在多层陶瓷电容器的主体中，包括batio3基主成分的介电层和包括导电金属的内电极交替堆叠。这种主体应在还原气氛中被烧结，在这种情况下，形成介电层的材料应具有耐还原性。

4、由于氧化物的独特特性，当在还原气氛中被烧结时，氧化物内的氧被释放并会产生氧空位和电子，并且氧空位的运动导致多层陶瓷电容器的绝缘电阻劣化的问题。

5、为了解决这个问题，可考虑通过向介电层添加稀土元素来抑制产生氧空位的方法。然而，随着最近开发了使用高频带的第五代移动通信技术(5g，第五代)，需要研究具有优异的高温寿命特性和根据温度的电容温度系数(tcc)的多层陶瓷电容器。

技术实现思路

1、本公开的一方面在于提供一种具有改善的高温寿命特性的多层电子组件。

2、本公开的一方面在于提供一种满足x6s温度特性的多层电子组件。

3、本公开的一方面在于提供一种具有优异的室温介电常数的多层电子组件。

4、然而，本公开的目的不限于上述内容，并且在描述本公开的具体实施例的过程中将更容易被理解。

5、根据本公开的一方面，提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述介电层包括多个介电晶粒，所述内电极与所述介电层交替设置；以及外电极，设置在所述主体上，并且连接到所述内电极，其中，所述多个介电晶粒中的至少一个包括ba、ti、sn和稀土元素，并且具有核-双壳结构，所述核-双壳结构包括核、设置在所述核的至少一部分上的第一壳以及设置在所述第一壳的至少一部分上的第二壳，并且当包括在所述第一壳中的sn与ti的平均摩尔比为s1、包括在所述第二壳中的sn与ti的平均摩尔比为s2、包括在所述第一壳中的稀土元素与ti的平均摩尔比为r1并且包括在所述第二壳中的稀土元素与ti的平均摩尔比为r2时，满足s1>s2且r2>r1。

6、根据本公开的一方面，提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述介电层包括多个介电晶粒，所述内电极与所述介电层交替设置；以及外电极，设置在所述主体上，并且连接到所述内电极，其中，所述多个介电晶粒中的至少一个包括ba、ti、sn和稀土元素，并且具有核-双壳结构，其中，所述核-双壳结构包括核、设置在所述核的至少一部分上的第一壳以及设置在所述第一壳的至少一部分上的第二壳，其中，当包括在所述核、所述第一壳和所述第二壳中的sn与ti的平均摩尔比分别为sco、s1和s2，并且包括在所述核、所述第一壳和所述第二壳中的稀土元素与ti的平均摩尔比分别为rco、r1和r2时，满足s1>s2、s1>sco、r2>s2、r2>sco和r2>rco。

技术特征：

1.一种多层电子组件，包括：

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，s1和s2满足3<s1/s2≤10。

3.根据权利要求1或2所述的多层电子组件，其中，r1和r2满足4<r2/r1≤12。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，s2和r2满足r2>s2。

5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一壳中的sn与ti的摩尔比从所述第一壳的内部朝向所述第一壳与所述核的边界和所述第一壳与所述第二壳的边界中的至少一个边界逐渐减小。

6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述稀土元素是dy、tb、y、gd和ho中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第二壳还包括si、al、mn、v和mg中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述核-双壳结构的截面中，当所述核-双壳结构的中心被定义为α并且所述第二壳的外表面之中距离α最远的点被定义为β时，

9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述核-双壳结构的截面中，当所述核-双壳结构的中心被定义为α并且所述第二壳的外表面之中距离α最远的点被定义为β时，并且

10.根据权利要求9所述的多层电子组件，其中，ls1大于0nm且小于等于20nm。

11.根据权利要求9所述的多层电子组件，其中，ls2大于等于25nm且小于等于50nm。

12.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，包括在所述核中的sn与ti的平均摩尔比为sco，并且包括在所述核中的稀土元素与ti的平均摩尔比为rco，满足s1>sco并且r2>rco。

13.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度在0.6μm至2.0μm的范围内。

14.一种多层电子组件，包括：

15.根据权利要求14所述的多层电子组件，其中，s1和s2满足3<s1/s2≤10。

16.根据权利要求14或15所述的多层电子组件，其中，r1和r2满足4<r2/r1≤12。

17.根据权利要求14所述的多层电子组件，其中，包括在所述第一壳中的sn与ti的摩尔比从所述第一壳的内部朝向所述第一壳与所述核的边界和所述第一壳与所述第二壳的边界中的至少一个边界逐渐减小。

技术总结本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，介电层包括多个介电晶粒，内电极与介电层交替设置；以及外电极，设置在主体上并且连接到内电极。所述多个介电晶粒中的至少一个包括Ba、Ti、Sn和稀土元素，并且具有核‑双壳结构，所述核‑双壳结构包括核、设置在所述核的至少一部分上的第一壳以及设置在所述第一壳的至少一部分上的第二壳。当包括在所述第一壳中的Sn与Ti的平均摩尔比为S1、包括在所述第二壳中的Sn与Ti的平均摩尔比为S2、包括在所述第一壳中的稀土元素与Ti的平均摩尔比为R1并且包括在所述第二壳中的稀土元素与Ti的平均摩尔比为R2时，满足S1>S2且R2>R1。技术研发人员：金亨旭,金润,权亨纯,南光熙,尹硕晛受保护的技术使用者：三星电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/10/17