二次电池用负极活性物质及二次电池的制作方法

本发明涉及二次电池用负极活性物质及二次电池。

背景技术：

1、非水电解质二次电池、特别是锂离子二次电池由于具有高电压以及高能量密度，因此作为小型民生用途、电力储存装置及电动汽车的电源受到期待。在要求电池的高能量密度化的过程中，作为理论容量密度高的负极活性物质，期待利用包含与锂发生合金化的硅(silicon)的材料。

2、专利文献1中提出了在非水电解质二次电池中使用具备以li2zsio2+z(0＜z＜2)表示的硅酸锂相和分散于硅酸锂相内的硅粒子的负极活性物质。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：国际公开第2016/35290号小册子

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、专利文献1中记载的包含硅酸锂相和分散于硅酸锂相内的硅粒子的复合粒子与在sio2相内分散有微小硅的复合物(siox)相比，伴随着充放电的不可逆容量小，有利于初始的充放电效率的提高。

3、然而，已知上述的复合粒子在充放电时伴随着锂的吸留及释放的硅粒子的膨胀及收缩的程度大。因此，伴随着硅粒子的膨胀及收缩，在存在于硅粒子的周围的硅酸锂相中产生大的应力，由此在复合粒子中产生龟裂、裂纹。与之相伴，复合粒子与其周边的粘结材料的结合力变弱，特别是破裂了的复合粒子丧失与周围的粒子的导电通路而孤立，引起充放电循环特性的降低。

4、用于解决课题的手段

5、鉴于以上情况，本发明的一个方面涉及一种二次电池用负极活性物质，其具备硅酸盐复合粒子，上述硅酸盐复合粒子具备硅酸锂相、氧化硅相和硅相，上述硅酸锂相包含锂、硅和氧，上述氧化硅相包含sio2，上述氧化硅相及上述硅相分散于上述硅酸锂相中，在基于x射线衍射法(xrd)的上述硅酸盐复合粒子的衍射图谱中，在2θ＝26°附近出现的、来自于上述氧化硅相的sio2(011)面的衍射峰a的最大强度ia与在2θ＝28°附近出现的、来自于上述硅相的si(111)面的衍射峰b的最大强度ib的比ia/ib为0.9以上且1.4以下。

6、本发明的另一个方面涉及一种二次电池，其具备正极、负极、电解质及夹设于上述正极与上述负极之间的间隔件，上述负极包含集电体和负极活性物质层，上述负极活性物质层包含上述二次电池用负极活性物质。

7、发明效果

8、使用本发明的二次电池用负极活性物质，能够实现具有优异的充放电循环特性的二次电池。

9、将本发明的新的特征记述于附加的权利要求的范围中，然而本发明在构成及内容两方面都应当与本发明的其他目的及特征一起地通过参照了附图的以下的详细说明来更加充分地理解。

技术特征：

1.一种二次电池用负极活性物质，

2.根据权利要求1所述的二次电池用负极活性物质，其中，

3.根据权利要求1或2所述的二次电池用负极活性物质，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的二次电池用负极活性物质，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的二次电池用负极活性物质，其中，

6.一种二次电池，

技术总结二次电池用负极活性物质具备硅酸盐复合粒子。硅酸盐复合粒子具备包含锂、硅和氧的硅酸锂相、包含SiO<subgt;2</subgt;的氧化硅相、以及硅相，氧化硅相及硅相分散于硅酸锂相中。在基于X射线衍射法(XRD)的衍射图谱中，在2θ＝26°附近出现的、来自于氧化硅相的SiO<subgt;2</subgt;(011)面的衍射峰A的最大强度IA与在2θ＝28°附近出现的、来自于硅相的Si(111)面的衍射峰B的最大强度IB的比IA/IB为0.9以上且1.4以下。技术研发人员：上平峻己,朝野泰介受保护的技术使用者：松下新能源株式会社技术研发日：技术公布日：2024/11/4