阵列基板及其制作方法、显示面板与流程

本申请涉及显示，尤其是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术：

1、当前的显示面板中会采用顶栅氧化铟镓锌薄膜晶体管(top gate igzo tft)以减小寄生电容，但形成顶栅结构的薄膜晶体管所需要的掩膜板的数量相对于形成底栅结构的薄膜晶体管所需要的掩膜板的数量更多，导致成本上升，工艺增多。

2、而为了减少顶栅结构的薄膜晶体管制备过程中所需要的掩膜板的数量，现有显示面板会将栅极、源极及漏极层采用同一金属层形成，从而减少掩膜板的数量，但该结构需要在栅绝缘层的两侧开设过孔，以使源极和漏极均与对应的导体化有源层电连接，增加了薄膜晶体管的尺寸，导致显示面板的像素密度无法进一步增加。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，用以解决现有显示面板中像素密度较小的技术问题。

2、本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：

3、衬底；

4、有源层，设置于所述衬底的一侧，所述有源层包括沟道部和设置于所述沟道部两侧的第一导体部及第二导体部；

5、栅绝缘层，包括间隔设置的第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一绝缘部设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述第二绝缘部设置于所述有源层的一端；

6、导电层，设置于所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧，所述导电层包括分离设置的栅极和漏极，所述栅极位于所述第一绝缘部上，所述栅极在所述有源层上的正投影位于所述沟道部内；所述漏极位于所述第二绝缘部上，且所述漏极与部分所述第一导体部搭接；以及

7、第一电极，设置于所述导电层远离所述衬底的一侧，所述第一电极与所述第二导体部连接；

8、其中，在所述第一导体部至所述第二导体部的方向上，所述第一导体部具有第一长度，所述第二导体部具有第二长度，所述第一长度大于所述第二长度。

9、在本申请的阵列基板中，所述第一长度与所述第二长度的比值范围为1.2至2。

10、在本申请的阵列基板中，所述第一绝缘部和第二绝缘部之间设有第一过孔，所述漏极与所述第二绝缘部的侧壁接触，且沿所述侧壁延伸至所述第一导体部远离所述衬底一侧的表面。

11、在本申请的阵列基板中，所述漏极包括与所述第一导体部接触的重叠面，所述重叠面在所述第一导体部至所述沟道部的方向上的长度为2微米至8微米。

12、在本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括：

13、第一钝化层，设于所述导电层远离所述衬底的一侧；

14、平坦层，设于所述第一钝化层远离所述衬底的一侧；

15、公共电极，设于所述平坦层远离所述衬底的一侧；

16、第二钝化层，设于所述公共电极远离所述衬底的一侧；

17、其中，所述阵列基板上还开设有贯穿所述第二钝化层、所述平坦层及所述第一钝化层的第二过孔，所述第一电极设于所述第二钝化层远离所述衬底的一侧，且所述第一电极穿过所述第二过孔与所述第二导体部连接。

18、在本申请的阵列基板中，所述第二过孔的倾斜角度小于70°。

19、在本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括：

20、缓冲层，设于所述衬底和所述有源层之间；

21、至少一条传输电压信号的传输线，所述传输线与所述有源层均设于所述缓冲层远离所述衬底一侧的表面。

22、在本申请的阵列基板中，所述传输线的材料与所述第一导体部或/和所述第二导体部的材料相同。

23、本申请还提出了一种阵列基板的制作方法，其包括：

24、提供一衬底；

25、在所述衬底上形成有源层；

26、在所述有源层上形成栅绝缘层，且在所述栅绝缘层上开设第一过孔；

27、对未被所述栅绝缘层覆盖的所述有源层进行第一次导体化处理；

28、在所述栅绝缘层上形成导电材料层，并对所述导电材料层进行图案化处理，以使所述导电材料层形成包括栅极和漏极的导电层，所述栅极和所述漏极分离设置；

29、利用自对准工艺，对未被所述栅极和所述漏极覆盖的所述栅绝缘层进行蚀刻处理，以使所述栅绝缘层形成间隔设置的第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一绝缘部设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述第二绝缘部设置于所述有源层的一端，所述栅极位于所述第一绝缘部上，所述漏极位于所述第二绝缘部上，且所述漏极与所述第一过孔对应的所述有源层搭接；

30、对未被所述栅极和所述漏极覆盖的所述有源层进行第二次导体化处理，以使与所述栅极对应的所述有源层形成沟道部，与所述沟道部连接且靠近所述漏极的所述有源层形成第一导体部，与所述沟道部连接且远离所述漏极的所述有源层形成第二导体部；

31、在所述导电层远离所述衬底的一侧形成与所述第二导体部连接的第一电极；

32、其中，在所述第一导体部至所述第二导体部的方向上，所述第一导体部具有第一长度，所述第二导体部具有第二长度，所述第一长度大于所述第二长度。

33、本申请还提出了一种显示面板，其包括上述阵列基板。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一长度与所述第二长度的比值范围为1.2至2。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘部和第二绝缘部之间设有第一过孔，所述漏极与所述第二绝缘部的侧壁接触，且沿所述侧壁延伸至所述第一导体部远离所述衬底一侧的表面。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极包括与所述第一导体部接触的重叠面，所述重叠面在所述第一导体部至所述沟道部的方向上的长度为2微米至8微米。

5.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔的倾斜角度小于70°。

7.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述传输线的材料与所述第一导体部或/和所述第二导体部的材料相同。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。

技术总结本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板；该阵列基板包括衬底、有源层、栅绝缘层、导电层和第一电极，有源层包括沟道部、第一导体部及第二导体部，导电层包括栅极和漏极，栅极在有源层上的正投影位于沟道部内，漏极与部分第一导体部搭接，第一电极与第二导体部连接，在第一导体部至第二导体部的方向上，第一导体部具有第一长度，第二导体部具有第二长度，第一长度大于第二长度；本申请的漏极与第一导体部连接，第一电极直接与第二导体部连接，减少了源极和源极接触孔的设置，同时第二导体部的第二长度小于第一导体部的第一长度，减小了有源层的长度减小了阵列基板中晶体管的尺寸，改善了产品中像素密度较小的技术问题。技术研发人员：刘方梅受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/4