半导体模块、半导体装置以及车辆的制作方法

本发明涉及半导体模块、半导体装置以及车辆。

背景技术：

1、在逆变器装置等电力转换装置中，存在具备半导体装置的电力转换装置，该半导体装置具有搭载了igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极晶体管)、功率mosfet(metal ode semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、fwd(free wheeling diode：续流二极管)等半导体元件的电路板。电路板具备在绝缘基板的表面设有导体图案的布线板和配置于布线板上的半导体元件等电路部件。

2、在这种半导体装置中，作为将半导体元件的电极中的在与朝向布线板侧的面相反的一侧的面(上表面)设置的电极与布线板的导体图案电连接的导电构件，有时使用被称为引线等的导体板。

3、在使用引线将半导体元件的电极与布线板的导体图案电连接的半导体装置中，为了防止引线与密封材料之间的界面处的剥离，而提出了各种对策。

4、例如，在专利文献1中记载有如下树脂密封型半导体装置：在固着有半导体元件的金属板的表面的除平坦的半导体元件搭载区域以外的部分以大致等间隔纵横地配置有多个凹部，多个凹部各自为在对角线方向上错开的两个方形凹部。

5、另外，例如，在专利文献2中，记载有如下半导体装置：形成于引线框的浅坑的侧壁具有向内侧突出的折回部，且浅坑之间利用槽部连通。另外，例如，在专利文献3中记载有如下半导体装置：在形成于引线框的多个浅坑分别形成有使内周壁的局部向内侧突出而成的折回部，且多个浅坑包括折回部的朝向不同的两种浅坑。

6、另外，例如，在专利文献4中记载有如下半导体装置：在引线框中的芯片焊盘的至少一侧的主表面形成有在该主表面开口的大浅坑和在大浅坑的内表面开口的小浅坑。

7、另外，例如，在专利文献5中记载有如下半导体装置：在固着有半导体元件的金属板的表面中的半导体元件搭载区域以外的部分以大致等间隔纵横地配置有多个方形凹部。

8、现有技术文献

9、专利文献

10、专利文献1：日本特许第3748849号公报

11、专利文献2：日本特许第4086774号公报

12、专利文献3：日本特开2017-005124号公报

13、专利文献4：日本特开2015-060889号公报

14、专利文献5：日本特开2004-186622号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在上述的半导体装置中的防止引线与密封材料之间的界面处的剥离的结构中，在利用冲压加工形成在引线的表面形成的被称为浅坑等的凹部、折回部的情况下，通过对引线施加与引线的表面正交的方向上的外力，从而使作为引线的导电材料变形。在利用这样的冲压加工形成折回部的情况下，由于加工尺寸的制约等，以为了防止密封材料的剥离而要求的尺寸形成凹部、折回部较为困难。

3、本发明是鉴于这点而完成的，其目的之一在于防止利用接合材料与半导体元件的电极接合的引线与密封材料之间的界面处的剥离。

4、用于解决问题的方案

5、本发明的一个技术方案的半导体模块具备：电路板，其搭载有半导体元件；引线，其利用接合材料与所述半导体元件的上表面的电极接合；以及密封材料，其将所述半导体元件以及所述引线密封，所述引线在与所述电极接合的接合部中的与和所述电极相对的下表面相反的一侧的上表面形成有粗糙化用凹部，该粗糙化用凹部防止所述引线与所述密封材料的界面处的剥离，所述粗糙化用凹部包括：主凹部，其在凹部中的一个以上的壁面形成有朝向相对的壁面突出的折回部；以及副凹部，其中心位于俯视时所述主凹部的外侧、且是与形成有所述折回部的壁面分开了规定的距离的位置，该副凹部具有随着自所述中心向所述主凹部的开口端去而变浅的倾斜面。

6、发明的效果

7、根据本发明，能够防止利用接合材料与半导体元件的电极接合的引线与密封材料之间的界面处的剥离。

技术特征：

1.一种半导体模块，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体模块，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

9.根据权利要求8所述的半导体模块，其中，

10.一种半导体装置，其中，

11.一种车辆，其中，

技术总结防止利用接合材料与半导体元件的电极接合的引线与密封材料之间的界面处的剥离。半导体模块(2)具备：电路板(5)，其搭载有半导体元件(510)；引线(7)，其利用接合材料与半导体元件的上表面的电极接合；以及密封材料(9)，其将半导体元件以及引线密封，引线在与电极接合的接合部(701)中的上表面(710)形成有粗糙化用凹部(720)，该粗糙化用凹部(720)防止引线与密封材料之间的界面处的剥离，粗糙化用凹部包括：主凹部(721)，其在凹部中的一个以上的壁面形成有朝向相对的壁面突出的折回部；以及副凹部(722)，其中心位于俯视时主凹部的外侧、且是与形成有折回部的壁面分开了规定的距离的位置，该副凹部(722)具有随着自其中心向主凹部的开口端去而变浅的倾斜面。技术研发人员：中村瑶子,岩谷昭彦,齐藤麻衣,渡壁翼,玉井雄大受保护的技术使用者：富士电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/11/18