半导体装置的制作方法

本申请说明书所公开的技术涉及具有主开关元件和感测开关元件的开关元件。

背景技术：

1、以往，为了实现短路保护而使用电流感测方式的短路电流检测电路。例如，专利文献1公开了一种半导体装置，其具有流过主电流的主半导体元件部、流过用于对主电流进行检测的感测电流的感测半导体元件部、感测电阻、比较器和控制电路。

2、专利文献1：日本特开2011-171478号公报

技术实现思路

1、上述的电流感测方式由集成了主开关元件和感测开关元件的开关元件构成。

2、然而，作为实现短路保护的方法，除专利文献1所示的电流感测方式的短路电流检测电路(以下记为电流感测电路)之外，还具有desat方式的短路电流检测电路(以下记为desat电路)。

3、desat电路是保护电路，其具有主开关元件的外部的高耐压二极管、电阻、电容器和包含恒流源的控制电路。

4、在未发生短路动作的情况下，主开关元件导通，主开关元件的漏极电压降低至接通电压。这样，从恒流源供给的电流经由电阻和高耐压二极管而流入主开关元件的漏极端子。

5、在发生了短路动作的情况下，主开关元件的漏极电压变为高于接通电压的电压，向主开关元件的漏极端子流入的恒定电流被供给至desat电路内的电容器。然后，如果该电容器的电压超过预先设定的阈值，则检测到短路动作而进行保护动作。

6、在desat电路中，不需要如在专利文献1中作为例子而记载的半导体装置那样集成感测开关元件。因此，需要区分制定如下所述的开关元件的布局，即：在通过电流感测电路实施保护的开关元件集成感测开关元件，在通过desat电路实施保护的开关元件不集成感测开关元件。

7、本申请说明书所公开的技术是鉴于上面记载的问题而提出的，是用于无需变更开关元件的布局就能够应对多种保护电路的方式的技术。

8、本申请说明书所公开的技术的第1方案即半导体装置具有主开关元件和感测开关元件，该主开关元件由mosfet构成，该感测开关元件由mosfet构成，该感测开关元件在俯视观察时的面积小于所述主开关元件，并且用于对流过所述主开关元件的电流进行检测，在所述半导体装置中，所述感测开关元件的栅极端子即第1栅极端子配置在所述主开关元件的栅极端子即第2栅极端子与所述感测开关元件的源极端子之间。

9、发明的效果

10、根据本申请说明书所公开的技术的至少第1方案，无需变更开关元件的布局就能够应对多种保护电路的方式。因此，便利性提高。

11、另外，与本申请说明书所公开的技术相关联的目的、特征、方案和优点将通过以下示出的详细说明和附图而变得更加清楚。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有主开关元件和感测开关元件，该主开关元件由mosfet构成，该感测开关元件由mosfet构成，该感测开关元件在俯视观察时的面积小于所述主开关元件，并且用于对流过所述主开关元件的电流进行检测，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还具有：

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还具有：

4.一种半导体装置，其是将多个开关元件并联连接的半导体装置，该开关元件具有主开关元件和感测开关元件，该主开关元件由mosfet构成，该感测开关元件由mosfet构成，该感测开关元件在俯视观察时的面积小于所述主开关元件，并且用于对流过所述主开关元件的电流进行检测，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，

技术总结无需变更开关元件的布局就应对多种保护电路的方式。半导体装置具有主开关元件和感测开关元件，该主开关元件由MOSFET构成，该感测开关元件在俯视观察时的面积小于主开关元件，并且用于对流过主开关元件的电流进行检测，感测开关元件的栅极端子即第1栅极端子配置在主开关元件的栅极端子即第2栅极端子与感测开关元件的源极端子之间。技术研发人员：井芹果奈,阿多保夫受保护的技术使用者：三菱电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/11/18