控制电路、方法、设备、存储介质、装置及电子负载与流程

本技术涉及电子负载，特别涉及一种控制电路、方法、设备、存储介质、装置及电子负载。

背景技术：

1、电子负载是测控技术中的一种常用仪表，电子负载控制内部mos管的导通量，依靠mos管的耗散功率消耗电能的设备，其在电源测试领域扮演着非常重要的角色。

2、由于电子负载中存在多个mos管，电子负载工作在不同的电流量程时，需要导通不同数量的mos管。因此，在相关技术中，电子负载的控制信号通过模拟开关输入至mos管的栅极，利用模拟开关实现mos管的通断控制，利用控制信号调节mos管的导通程度，控制mos管的输出电流。由于模拟开关存在导通电阻，会导致通过的控制信号发生衰减，进而导致对mos管的控制产生偏差，使得电子负载的精度下降。

技术实现思路

1、本技术旨在提出一种控制电路、方法、设备、存储介质、装置及电子负载，能够提高电子负载的精度。

2、第一方面，本技术实施例提供了一种电子负载控制电路，用于控制电子负载的多个mos管，所述电路包括：

3、控制单元；

4、dac，所述控制单元的输出端连接所述dac的输入端，所述控制单元通过所述dac输出控制信号，所述控制信号用于控制所述mos管的导通程度；

5、多个运放单元，多个所述运放单元与多个所述mos管对应，每个所述运放单元皆包括运算放大器和可控开关，所述dac的输出端通过第一电阻连接所述运算放大器的同相输入端，所述运算放大器的反相输入端通过第二电阻接地，所述运算放大器的输出端对应连接所述mos管的栅极，所述mos管的源极通过第三电阻接地，所述第三电阻的一端通过第四电阻连接所述运算放大器的反相输入端，所述第三电阻的另一端通过第五电阻连接所述运算放大器的同相输入端，所述可控开关的第一连接端连接所述运算放大器的输出端，所述可控开关的第二连接端连接所述运算放大器的反相输入端，所述控制单元的输出端连接所述可控开关的控制端；在所述可控开关导通的情况下，最大输入电压小于所述mos管的阈值电压，所述最大输入电压为：所述控制信号的预设最大值通过所述第一电阻和所述第五电阻分压后，输入至所述运算放大器的同相输入端的电压。

6、根据本技术的一些实施例，所述控制单元包括：

7、mcu，所述mcu的输出端连接所述dac的输入端；

8、多路模拟开关，所述多路模拟开关具有控制端、多个第一连接端和多个第二连接端，所述mcu的输出端连接所述多路模拟开关的控制端，所述多路模拟开关的多个第一连接端皆与供电端连接，所述多路模拟开关的第二连接端与至少一个所述可控开关的控制端连接。

9、根据本技术的一些实施例，还包括：

10、电容，所述电容的一端连接所述运算放大器的输出端，所述电容的另一端连接所述运算放大器的反相输入端。

11、第二方面，本技术实施例提供了一种电子负载控制方法，应用于如上所述的电子负载控制电路，所述方法包括：

12、控制目标mos管对应的可控开关断开，使得对应的所述运放单元为误差放大器；

13、发送控制信号，使得所述控制信号经过所述运放单元输出至所述目标mos管的栅极，从而控制所述目标mos管的导通程度；

14、控制目标mos管对应的可控开关导通，使得对应的所述运放单元为电压跟随器，所述控制信号由于第一电阻和第五电阻的分压作用，经过所述运放单元输出至所述目标mos管的栅极电压无法达到阈值电压，所述目标mos管断开。

15、根据本技术的一些实施例，所述控制单元包括mcu和多路模拟开关，所述mcu的输出端连接所述dac的输入端，所述多路模拟开关具有控制端、多个第一连接端和多个第二连接端，所述mcu的输出端连接所述多路模拟开关的控制端，所述多路模拟开关的多个第一连接端皆与供电端连接，所述多路模拟开关的第二连接端与至少一个所述可控开关的控制端连接；

16、所述控制目标mos管对应的可控开关断开，包括：

17、控制目标第二连接端与所述供电端断开连接，使得所述目标mos管对应的所述可控开关断开，所述目标第二连接端为：连接所述目标mos管对应的所述可控开关的所述第二连接端；

18、所述控制目标mos管对应的可控开关导通，包括：

19、控制目标第二连接端与所述供电端连接，使得所述目标mos管对应的所述可控开关导通。

20、第三方面，本技术实施例提供了一种电子设备，包括：

21、至少一个处理器；

22、至少一个存储器，用于存储至少一个程序；

23、当至少一个所述程序被至少一个所述处理器执行时实现如上所述的电子负载控制方法。

24、第四方面，本技术实施例提供了一种计算机可读存储介质，其中存储有处理器可执行的程序，所述处理器可执行的程序被处理器执行时用于实现如上所述的电子负载控制方法。

25、第五方面，本技术实施例提供了一种电子负载控制装置，应用于如上所述的电子负载控制电路，包括：

26、第一控制模块，用于控制目标mos管对应的可控开关断开，使得对应的所述运放单元为误差放大器；

27、发送模块，用于发送控制信号，使得所述控制信号经过所述运放单元输出至所述目标mos管的栅极，从而控制所述目标mos管的导通程度；

28、第二控制模块，用于控制目标mos管对应的可控开关导通，使得对应的所述运放单元为电压跟随器，所述控制信号由于第一电阻和第五电阻的分压作用，经过所述运放单元输出至所述目标mos管的栅极电压无法达到阈值电压，所述目标mos管断开。

29、根据本技术的一些实施例，所述控制单元包括mcu和多路模拟开关，所述mcu的输出端连接所述dac的输入端，所述多路模拟开关具有控制端、多个第一连接端和多个第二连接端，所述mcu的输出端连接所述多路模拟开关的控制端，所述多路模拟开关的多个第一连接端皆与供电端连接，所述多路模拟开关的第二连接端与至少一个所述可控开关的控制端连接；

30、所述第一控制模块，包括：

31、第一控制子模块，用于控制目标第二连接端与所述供电端断开连接，使得所述目标mos管对应的所述可控开关断开，所述目标第二连接端为：连接所述目标mos管对应的所述可控开关的所述第二连接端；

32、所述第二控制模块，包括：

33、第二控制子模块，用于控制目标第二连接端与所述供电端连接，使得所述目标mos管对应的所述可控开关导通。

34、第六方面，本技术实施例提供了一种电子负载，包括如上所述的电子负载控制电路。

35、本技术实施例中，通过控制目标mos管对应的可控开关断开，使得运放单元为误差放大器，发送控制信号，使得控制信号经过运放单元输出至目标mos管的栅极，从而控制目标mos管的导通程度。通过控制目标mos管对应的可控开关导通，使得运放单元为电压跟随器，控制信号由于第一电阻和第五电阻的分压作用，经过运放单元输出至目标mos管的栅极电压无法达到阈值电压，目标mos管断开。本技术实施例，相较于传统的电子负载控制技术，在避免控制信号衰减的情况下，实现mos管通断控制，提高了电子负载的精度。

36、本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。